[發(fā)明專利]中介層嵌置于加強層中的線路板及其制作方法

在審

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• 申請日: 2016-01-14
• 公開（公告）號: CN105789058A
• 公開（公告）日: 2016-07-20
• 發(fā)明（設計）人: 林文強;王家忠
• 申請（專利權）人: 鈺橋半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L21/60;H01L23/488;H01L23/52;H01L23/12;H01L23/14;H05K3/00;H05K1/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 宋焰琴

技術領域

本發(fā)明涉及一種線路板，尤其涉及一種中介層嵌置于樹脂模制加強層 中的線路板及其制作方法。

背景技術

就高腳數(shù)半導體芯片封裝及組體而言，其必需提供高密度線路板，以 供半導體芯片接置其上，進而將芯片I/O墊布線成具有更大的墊間距，以 達可靠的板級組裝(board-levelassembly)。例如，美國專利案號9,060,455、 9,089,041、8,859,912及8,797,757公開的各種無核心層基板，即是為了芯 片的扇出路由。相比于具有核心層的基板，無核心層基板具有較低寄生電 阻、較低電感及電容等優(yōu)點。最重要的是，無核心層基板的互連密度相比 于現(xiàn)有的具有核心層的基板高很多，這是應用于精細間距及高I/O所需的 重要特性。然而，由于無核心層基板容易因工藝中重復加熱及冷卻而發(fā)生 彎翹，因而仍無法被普遍采用。美國專利案號8,860,205、7,981,728及 7,902,660企圖解決此問題卻收效甚微。

更糟的是，由于半導體芯片的熱膨脹系數(shù)(硅約3至4ppm)比有機 基板(環(huán)氧樹脂約15ppm)來的低，故常因熱膨脹系數(shù)(CTE)不匹配而 導致界面應力，使得芯片級連接(chip-levelconnection)的可靠度不佳。

因為上述理由及以下所述的其他理由，目前亟需發(fā)展一種新式線路板， 以滿足高效能IC封裝的需求，并改善信號完整度，且達到較高生產(chǎn)合格 率、較高可靠度及較低成本。

發(fā)明內容

本發(fā)明的主要目的是提供一種線路板，其是將一無機中介層結合于線 路板中，以用于接置半導體芯片，使具有低熱膨脹系數(shù)(CTE)且高模數(shù) 的中介層可提供可靠的芯片連接界面。

本發(fā)明的另一目的是提供一種線路板，其是將該中介層嵌置于樹脂模 制加強層中，以避免線路板發(fā)生彎翹，可改善線路板的機械可靠度。

本發(fā)明的再一目的是提供一種線路板，其中該樹脂模制加強層包含有 一基底及一凸起部，該凸起部自基底凸起，以加強基底及嵌置中介層的剛 度。

本發(fā)明的又一目的是提供一種線路板，其是將該中介層與增層電路電 性耦接，以提供階段式的扇出路由，可改善生產(chǎn)合格率且降低成本。

依據(jù)上述及其他目的，本發(fā)明提供一種線路板，其包括一樹脂模制加 強層、一中介層及一增層電路。于一較佳實施例中，該樹脂模制加強層包 含有一基底及自該基底第一表面凸起的一凸起部，且可對中介層及增層電 路提供高模數(shù)抗彎平臺；該中介層嵌置于樹脂模制加強層的基底中，并對 后續(xù)組裝其上的芯片提供初級的扇出路由，以避免I/O墊間距緊密而可能 導致微盲孔未連接上接合墊的問題；增層電路設置于基底的相對第二表面 上，并電性耦接至中介層，以提供第二級的扇出路由，將中介層的墊尺寸 及墊間距進一步放大。

在另一方案中，本發(fā)明提供一種中介層嵌置于加強層中的線路板，其 包括：一樹脂模制加強層，其包括一基底及一凸起部，該凸起部自該基底 的一第一表面凸起；一中介層，其包括多個接合墊、多個接觸墊及多個金 屬化導孔，其中這些接合墊位于其第一表面處，這些接觸墊位于其相對的 第二表面處，且這些金屬化導孔電性耦接這些接合墊與這些接觸墊，其中 該中介層嵌置于該基底中，且該中介層的該第一表面與該基底的該第一表 面朝向同一方向，同時該中介層的該第一表面未被該基底所覆蓋；以及一 增層電路，其位于該基底的一相對第二表面上，其中該增層電路電性耦接 至該中介層的這些接觸墊，且包括側向延伸超過該中介層外圍邊緣的至少 一導線。