[發(fā)明專利]中介層嵌置于加強(qiáng)層中的線路板及其制作方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610023302.X | 申請日: | 2016-01-14 |
| 公開(公告)號: | CN105789058A | 公開(公告)日: | 2016-07-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 林文強(qiáng);王家忠 | 申請(專利權(quán))人: | 鈺橋半導(dǎo)體股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H01L21/60;H01L23/488;H01L23/52;H01L23/12;H01L23/14;H05K3/00;H05K1/00 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人: | 宋焰琴 |
| 地址: | 中國臺灣臺北*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 中介 置于 加強(qiáng) 中的 線路板 及其 制作方法 | ||
1.一種中介層嵌置于加強(qiáng)層中的線路板,其包括:
一樹脂模制加強(qiáng)層,其包括一基底及一凸起部,該凸起部自該基底的 一第一表面凸起;
一中介層,其包括多個(gè)接合墊、多個(gè)接觸墊及多個(gè)金屬化導(dǎo)孔,其中 這些接合墊位于其第一表面處,這些接觸墊位于其相對的第二表面處,且 這些金屬化導(dǎo)孔電性耦接這些接合墊與這些接觸墊,其中該中介層嵌置于 該基底中,且該中介層的該第一表面與該基底的該第一表面朝向同一方向, 同時(shí)該中介層的該第一表面未被該基底所覆蓋;以及
一增層電路,其位于該基底的一相對第二表面上,其中該增層電路電 性耦接至該中介層的這些接觸墊,且包括側(cè)向延伸超過該中介層外圍邊緣 的至少一導(dǎo)線。
2.如權(quán)利要求1所述的線路板,其中,該樹脂模制加強(qiáng)層的彈性模量 大于該增層電路的彈性模量。
3.如權(quán)利要求1所述的線路板,其中,該中介層的表面積小于該增層 電路的表面積。
4.如權(quán)利要求1所述的線路板,其中,該中介層的熱膨脹系數(shù)小于該 增層電路的熱膨脹系數(shù)。
5.一種中介層嵌置于加強(qiáng)層中的線路板制作方法,其包括:
提供一中介層半成品,其包含具有一第一表面及一相對第二表面的一 基板、位于該基板的該第一表面處的多個(gè)接合墊、以及多個(gè)金屬化導(dǎo)孔, 其中這些金屬化導(dǎo)孔的每一個(gè)均形成于該基板中,并且具有電性耦接至這 些接合墊的一第一端以及與該基板的該第二表面保持距離的一相對第二 端;
通過一粘合劑,將該中介層半成品貼附于一犧牲載板上,其中該基板 的該第一表面面向該犧牲載板;
形成一樹脂模制加強(qiáng)層,其覆蓋該犧牲載板,并側(cè)向環(huán)繞該中介層半 成品及該犧牲載板;
移除部分該樹脂模制加強(qiáng)層及部分該中介層半成品,以顯露這些金屬 化導(dǎo)孔的這些第二端,并使該基板具有與這些金屬化導(dǎo)孔的這些第二端實(shí) 質(zhì)上共平面的一外露第二表面;
在該基板的該外露第二表面上形成多個(gè)接觸墊,以制作完成一中介層, 其中該中介層包括分別位于其相對第一表面及第二表面上的這些接合墊 及這些接觸墊、以及電性耦接至這些接觸墊及這些接合墊的這些金屬化導(dǎo) 孔;
形成一增層電路,其覆蓋該中介層的該第二表面及該樹脂模制加強(qiáng)層, 并電性耦接至該中介層的這些接觸墊,且包括側(cè)向延伸超過該中介層外圍 邊緣的至少一導(dǎo)線;以及
移除該犧牲載板及該粘合劑,以顯露該中介層的這些接合墊。
6.如權(quán)利要求5所述的制作方法,其中,該中介層半成品貼附至該犧 牲載板上時(shí),自該犧牲載板凸起的一定位件延伸超過該基板的該第一表面, 并側(cè)向?qū)?zhǔn)并靠近該中介層半成品的外圍邊緣。
7.如權(quán)利要求5所述的制作方法,更包括:在形成該樹脂模制加強(qiáng)層 前,將該犧牲載板貼附至一載膜上。
8.如權(quán)利要求5所述的制作方法,其中(i)該犧牲載板包括一凸塊 部及一凸緣部,該凸塊部自該凸緣部凸起,而該凸緣部自該凸塊部側(cè)向延 伸,(ii)該中介層半成品貼附于該犧牲載板的該凸塊部,且(iii)該樹脂 模制加強(qiáng)層覆蓋該犧牲載板的該凸塊部及該凸緣部,并側(cè)向環(huán)繞該中介層 半成品及該犧牲載板的該凸塊部。
9.一種中介層嵌置于加強(qiáng)層中的線路板制作方法,其包括:
提供一中介層,其包括多個(gè)接合墊、多個(gè)接觸墊及多個(gè)金屬化導(dǎo)孔, 這些接合墊位于其第一表面處,這些接觸墊位于其相對的第二表面處,且 這些金屬化導(dǎo)孔電性耦接這些接合墊與這些接觸墊;
通過一粘合劑,將該中介層貼附于一犧牲載板上,其中該中介層的該 第一表面面向該犧牲載板;
形成一樹脂模制加強(qiáng)層,其覆蓋該犧牲載板,并側(cè)向環(huán)繞該中介層及 該犧牲載板;
形成一增層電路,其覆蓋該中介層的該第二表面及該樹脂模制加強(qiáng)層, 并電性耦接至該中介層的這些接觸墊,且包括側(cè)向延伸超過該中介層外圍 邊緣的至少一導(dǎo)線;以及
移除該犧牲載板及該粘合劑,以顯露該中介層的這些接合墊。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





