[發明專利]半導體芯片和處理半導體芯片的方法

有效

• 申請號: 201610022831.8
• 申請日: 2016-01-14
• 公開（公告）號: CN105789162B
• 公開（公告）日: 2019-07-05
• 發明（設計）人: D.博納特;L.博魯基;M.德比;B.魏德岡斯
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/485
• 分類號: H01L23/485;H01L21/60
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 申屠偉進;張濤

本發明涉及半導體芯片和處理半導體芯片的方法。各種實施例提供了一種半導體芯片，其中所述半導體芯片包括：第一接觸區域和第二接觸區域，兩者都形成在半導體芯片的前側處；鈍化層，其布置在第一接觸區域與第二接觸區域之間的前側處；以及接觸堆疊，其形成在半導體芯片的前側之上并且包括多個層，其中所述多個層中的至少一個層從所述鈍化層和與所述鈍化層相鄰的接觸區域的邊界區被移除，并且其中多個不同層中的至少另一個層存在于鄰接所述鈍化層的接觸區域的邊界區中。

技術領域

各種實施例涉及半導體芯片、特別是開關元件，以及處理半導體芯片的方法。

背景技術

在半導體器件或者制造半導體部件（例如，所謂的壓合功率二極管）的領域中，已知的是使用焊料層來電學地連接半導體芯片或管芯。

例如，從US 8350378 B2已知一種二極管，例如用于機動車中的整流器的壓合功率二極管，其包括經由焊料層連接到頭線和基座的半導體芯片。至少位于芯片區域中且包括塑料套筒的塑料護套使得能夠使用硬鑄造化合物并且在基座與頭線之間建立機械連接，以及形成與基座一起的外殼。延伸到鑄造化合物中的底切以及套筒與基座邊緣之間的間隙實現了緊湊設計。提供在兩側上的斜角使得能夠將二極管從兩側壓入整流器中。

發明內容

各種實施例提供了一種半導體芯片，其中所述半導體芯片包括：第一接觸區域和第二接觸區域，兩者都形成在半導體芯片的前側處；鈍化層，其布置在第一接觸區域與第二接觸區域之間的前側處；以及接觸堆疊，其形成在半導體芯片的前側處并且包括多個層，其中所述多個層中的至少一個層從所述鈍化層和與所述鈍化層相鄰的接觸區域的邊界區被移除；并且其中多個不同層中的至少另一個層存在于鄰接所述鈍化層的接觸區域的邊界區中。

此外，各種實施例提供了一種半導體芯片，其中所述半導體芯片包括：接觸區域，其形成在半導體芯片的前側處，其中鈍化層布置在接觸區域的邊界區中鄰接所述接觸區域的前側處；以及多層金屬化堆疊，其包括第一層和第二層，其中所述第一層形成在所述接觸區域的至少部分、所述邊界區和所述鈍化層的部分上方，并且所述第二層僅形成在所述接觸區域的部分上方。

而且，各種實施例提供了一種處理半導體芯片的方法，其中所述方法包括：提供未經處理的半導體芯片，其包括在其處形成至少兩個接觸區域的前側，其中鈍化層布置在所述至少兩個接觸區域之間；在所述未經處理的半導體芯片的前側上形成接觸堆疊的第一層；在所述第一層上形成接觸堆疊的第二層；以及移除第二層在所述鈍化層上方的部分和所述接觸區域中的至少一個的部分。

附圖說明

在圖中，相同的參考字符一般遍及不同視圖指代相同的部件。這些圖不一定按比例。替代地，一般將強調放在圖示本發明的原理上。在以下描述中，參照以下圖描述各種實施例，在附圖中：

圖1示意性地圖示了半導體布置的橫截面視圖；

圖2A到2F示意性地圖示了處理半導體芯片的工藝流程；

圖3A和3B示出了分別按照現有技術和按照示范性實施例處理的半導體芯片的比較；以及

圖4示出了處理半導體芯片的方法的流程圖。

具體實施方式

在下文中描述半導體芯片以及處理半導體芯片的方法的另外的示范性實施例。應當注意的是，在一個特定示范性實施例的上下文中描述的特定特征的描述也可以與其他示范性實施例相組合。

詞語“示范性”在本文中用來意指“充當示例、實例或舉例說明”。在本文中被描述為“示范性”的任何實施例或設計不一定被解釋為相對于其他實施例或設計優選或者有利。