[發(fā)明專利]半導體芯片和處理半導體芯片的方法

有效

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• 申請日: 2016-01-14
• 公開（公告）號: CN105789162B
• 公開（公告）日: 2019-07-05
• 發(fā)明（設計）人: D.博納特;L.博魯基;M.德比;B.魏德岡斯
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/485
• 分類號: H01L23/485;H01L21/60
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 申屠偉進;張濤

1.一種半導體芯片，包括：

第一接觸區(qū)域和第二接觸區(qū)域，兩者都形成在所述半導體芯片的前側處；

鈍化層，布置在所述第一接觸區(qū)域與所述第二接觸區(qū)域之間的所述前側處；以及

接觸堆疊，形成在所述半導體芯片的所述前側處并且包括多個層，

其中所述接觸堆疊包括粘合促進劑層、接觸層和平面保護層，其中所述接觸層布置在所述粘合促進劑層與所述平面保護層之間，

其中所述多個層中的所述接觸層和所述平面保護層從所述鈍化層和與所述鈍化層相鄰的接觸區(qū)域的邊界區(qū)被移除；并且

其中只有多個不同層中的所述粘合促進劑層存在于鄰接所述鈍化層的所述接觸區(qū)域的所述邊界區(qū)中；并且

其中間隙直接位于所述粘合促進劑層的側壁和與所述接觸堆疊的所述粘合促進劑層緊鄰的層的鄰近側壁之間，并且此外所述間隙插入在所述第一接觸區(qū)域與所述第二接觸區(qū)域上的所述鈍化層的兩個側壁之間。

2.按照權利要求1所述的半導體芯片，其中所述多個不同層中的至少一個層存在于鄰接所述接觸區(qū)域的所述鈍化層的所述邊界區(qū)中。

3.按照權利要求1所述的半導體芯片，其中所述多個不同層由至少三個層形成，每個層包括不同金屬材料。

4.按照權利要求1所述的半導體芯片，其中所述多個層中的至少一個層包括從由鈦、鎢、氮化鈦、鎳、釩、銅、銀、金及其化合物組成的組中選出的一個元素。

5.按照權利要求1所述的半導體芯片，其中所述第一接觸區(qū)域可以形成柵極觸點并且所述第二接觸區(qū)域可以形成源極觸點。

6.按照權利要求1所述的半導體芯片，其中所述半導體芯片形成由下述各項組成的組中的一個元件：

晶體管；和

二極管。

7.一種半導體芯片，包括：

接觸區(qū)域，形成在所述半導體芯片的前側處，其中鈍化層布置在接觸區(qū)域的邊界區(qū)中鄰接所述接觸區(qū)域的所述前側處；

多層金屬化堆疊，包括粘合促進劑層、接觸層和平面保護層，其中所述接觸層布置在所述粘合促進劑層與所述平面保護層之間，

其中只有所述粘合促進劑層形成在所述接觸區(qū)域的至少部分、所述邊界區(qū)和所述鈍化層的部分上方，并且所述接觸層和所述平面保護層僅形成在所述接觸區(qū)域的部分上方；并且

其中間隙直接位于所述粘合促進劑層的側壁和與所述接觸堆疊的所述粘合促進劑層緊鄰的層的鄰近側壁之間，并且此外所述間隙插入在所述接觸區(qū)域上的所述鈍化層的兩個側壁之間。

8.按照權利要求7所述的半導體芯片，其中所述接觸層至少在所述鈍化層上方被移除。

9.按照權利要求7所述的半導體芯片，進一步包括第二接觸區(qū)域，所述第二接觸區(qū)域被布置成使得所述鈍化層布置在所述接觸區(qū)域與所述第二接觸區(qū)域之間。

10.一種處理半導體芯片的方法，所述方法包括：

提供未經(jīng)處理的半導體芯片，所述未經(jīng)處理的半導體芯片包括在其處形成至少兩個接觸區(qū)域的前側，其中鈍化層布置在所述至少兩個接觸區(qū)域之間；

在所述未經(jīng)處理的半導體芯片的所述前側上形成接觸堆疊的粘合促進劑層；

在所述粘合促進劑層上形成所述接觸堆疊的接觸層和平面保護層；以及

移除所述接觸層和所述平面保護層在所述鈍化層上方的部分和所述接觸區(qū)域中的至少一個的部分，

其中只有所述粘合促進劑層形成在所述接觸區(qū)域的至少部分和所述鈍化層的部分上方，并且所述接觸層和所述平面保護層僅形成在所述接觸區(qū)域的部分上方；并且

其中間隙直接位于所述粘合促進劑層的側壁和與所述接觸堆疊的所述粘合促進劑層緊鄰的層的鄰近側壁之間，并且此外所述間隙插入在所述接觸區(qū)域上的所述鈍化層的兩個側壁之間。

11.按照權利要求10所述的方法，其中移除所述接觸層的部分是通過刻蝕工藝執(zhí)行的。