[發明專利]TFT基板的制作方法

有效

• 申請號: 201610020660.5
• 申請日: 2016-01-13
• 公開（公告）號: CN105514034B
• 公開（公告）日: 2018-11-23
• 發明（設計）人: 徐向陽
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 深圳市德力知識產權代理事務所 44265
• 代理人: 林才桂

本發明提供一種TFT基板的制作方法，首先在基板上制作像素電極、數據線和源/漏極，然后再制作溝道保護層和氧化物半導體層；或者首先在基板上制作一層緩沖層，避免氧化物半導體層跟基板直接接觸影響TFT特性，然后在源/漏極制作完成后直接制作氧化物半導體層，省去一層蝕刻阻擋層，從而可避免制作源/漏極的蝕刻制程對氧化物半導體層造成的損傷；并通過在制作公共電極的同時制作覆蓋于柵極表面的保護層，以保護柵極不被腐蝕，進而可省去一層絕緣保護層的制作；從而有效簡化了制程，提高了TFT基板的信賴性。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種TFT基板的制作方法。

背景技術

液晶顯示裝置已被廣泛應用于人類的生活和工作中，其中液晶顯示裝置的液晶面板攸關到液晶顯示裝置的顯示效果，包括視角、明暗程度以及顏色等。

根據液晶分子轉向后的排列方式分類，常見的液晶顯示器可以分為：窄視角的扭曲向列(Twisted Nematic-LCD，TN-LCD)、超扭曲向列(Super Twisted Nematic-LCD，STN-LCD)、雙層超扭曲向列(Double Layer STN-LCD，DSTN-LCD)；寬視角的橫向電場切換方式(In-Plane Switching，IPS)、邊界電場切換技術(Fringe Field Switching，FFS)和多域垂直配向技術(Multi-Domain Vertical Alignment，MVA)等。其中，目前市場上最主流的液晶顯示器采用的模式是TN型，但TN型液晶顯示器在視角方面有天然痼疾，即使增加一層廣視角補償膜，仍無法滿足廣視角的要求。為此，許多公司都研發相關的廣視角技術，IPS就是其中頗具優勢的一種。

橫向電場切換(IPS)技術利用空間厚度、摩擦強度并有效利用橫向電場驅動的改變讓液晶分子做最大的平面旋轉角度來增加視角。換句話說，傳統LCD顯示器的液晶分子一般都在垂直-平行狀態間切換，多域垂直配向技術(MVA)和PVA將其改良成垂直-雙向傾斜的切換方式，而橫向電場切換(IPS)則將液晶分子改為水平旋轉切換作為背光通過方式，即不管在何種狀態下液晶分子始終都與屏幕平行，只是在加電/常規狀態下分子的旋轉方向有所不同。為了配合這種結構，橫向電場切換(IPS)對電極進行改良，電極做到了同側，形成平面電場，從而避免了液晶在豎直方向上的偏轉，可以達到較大的視角。橫向電場切換(IPS)技術像素電極與公共電極位于同一層條狀排列，由于位于電極上方的液晶無法進行面內偏轉，導致橫向電場切換(IPS)模式面板的有效開口率和透過率較低，為改善橫向電場切換(IPS)模式的開口率，出現了邊界電場切換(FFS)顯示模式。

在IPS或者FFS型液晶顯示裝置的TFT結構中如果以a-Si:H層作為TFT溝道來使用，在高分辨率，高速驅動面板上會發生驅動不良。這是因為不能確保充足的充電電壓。從高分辨率面板來看，隨著分辨率的增加，在規定時間內需要驅動的TFT數量增加了，所以1個TFT的動作時間就會減少。高速驅動的面板，60Hz驅動速度時TFT需要在16msec時間內開啟，120Hz時為8.3msec，240Hz時在4.2msec時間內TFT要開啟。所以TFT充電時間越短，用現有的a-Si:H層的移動度特性是無法對應的。所以TFT的驅動速度需要增加,因此也需要高移動度的TFT。氧化物(Oxide)TFT，與之前的a-Si:H相比，移動度高(>10cm²/Vs)，所以高分辨率高速驅動顯示驅動元件可以適用。基于以上原因，氧化物TFT技術被廣泛開發，并應用于AMOLED和高規格LCD產品上。氧化物TFT的禁帶寬度較大，如非晶金屬氧化物半導體IGZO(氧化銦鎵鋅)的禁帶寬度在3.5eV左右，因此對于波長大于300nm的可見光照射下，幾乎不受影響，因此也是柔性顯示中首選的材料之一。由于金屬氧化物半導體通常采用濕法進行刻蝕，而源漏極金屬也是采用濕法刻蝕，因此被溝道刻蝕(BCE)結構通常不適用于金屬氧化物半導體的生產工藝，目前通常采用刻蝕阻擋(Etch Stopper)型結構來制作氧化物半導體TFT。

發明內容