[發明專利]TFT基板的制作方法

有效

• 申請號: 201610020660.5
• 申請日: 2016-01-13
• 公開（公告）號: CN105514034B
• 公開（公告）日: 2018-11-23
• 發明（設計）人: 徐向陽
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 深圳市德力知識產權代理事務所 44265
• 代理人: 林才桂

1.一種TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟1、提供基板(1)，在所述基板(1)上沉積第一透明導電層，對所述第一透明導電層進行圖案化處理，形成像素電極(2)；

步驟2、在所述基板(1)、像素電極(2)上沉積第一金屬層，對所述第一金屬層進行圖案化處理，形成源/漏極(3)、數據線(31)，所述數據線(31)具有形成于基板(1)的周邊區域的數據線端子(312)；

步驟3、在所述基板(1)、像素電極(2)、源/漏極(3)、數據線(31)上沉積溝道保護層(4)；在所述溝道保護層(4)上對應所述源/漏極(3)上方形成第一過孔(41)；

步驟4、在所述溝道保護層(4)、源/漏極(3)上沉積氧化物半導體層，對所述氧化物半導體層進行圖案化處理，形成有源層(5)；所述有源層(5)經由所述第一過孔(41)與所述源/漏極(3)相接觸；

步驟5、在所述溝道保護層(4)、有源層(5)上沉積柵極絕緣層(6)；

步驟6、在所述柵極絕緣層(6)上沉積第二金屬層，對所述第二金屬層進行圖案化處理，形成柵極(7)、及柵極掃描線(71)，所述柵極掃描線(71)具有形成于基板(1)的周邊區域的掃描線端子(712)；在所述溝道保護層(4)、及柵極絕緣層(6)上對應所述數據線端子(312)上方形成第二過孔(8)；

步驟7、在所述柵極絕緣層(6)、柵極(7)、及柵極掃描線(71)上沉積第二透明導電層，對所述第二透明導電層進行圖案化處理，形成公共電極(9)、分別覆蓋于柵極(7)與柵極掃描線(71)上方的保護層(91)、以及經由所述第二過孔(8)與所述數據線端子(312)相接觸的連接導線(92)。

2.如權利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述第一透明導電層、第二透明導電層的厚度為所述第一金屬層、第二金屬層的厚度為

3.如權利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述溝道保護層(4)的厚度為所述柵極絕緣層(6)的厚度為所述有源層(5)的厚度為

4.如權利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述第一透明導電層、第二透明導電層的材料為ITO或IZO；所述第一金屬層、第二金屬層的材料為Cr、Mo、Al、或Cu。

5.如權利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述溝道保護層(4)的材料為氧化硅；所述柵極絕緣層(6)的材料為氧化硅、氮化硅或二者的組合；所述有源層(5)的材料為ZnO、InZnO、ZnSnO、GaInZnO、或ZrInZnO。

6.一種TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟1、提供基板(1)，在所述基板(1)上沉積緩沖層(10)；

步驟2、在所述緩沖層(10)上沉積第一透明導電層，對所述第一透明導電層進行圖案化處理，形成像素電極(2)；

步驟3、在所述緩沖層(10)、像素電極(2)上沉積第一金屬層，對所述第一金屬層進行圖案化處理，形成源/漏極(3)、數據線(31)，所述數據線(31)具有形成于基板(1)的周邊區域的數據線端子(312)；

步驟4、在所述緩沖層(10)、像素電極(2)、源/漏極(3)、數據線(31)上沉積氧化物半導體層，對所述氧化物半導體層進行圖案化處理，形成有源層(5)；所述有源層(5)與所述源/漏極(3)相接觸；

步驟5、在所述緩沖層(10)、像素電極(2)、源/漏極(3)、數據線(31)、有源層(5)上沉積柵極絕緣層(6)；

步驟6、在所述柵極絕緣層(6)上沉積第二金屬層，對所述第二金屬層進行圖案化處理，形成柵極(7)、及柵極掃描線(71)，所述柵極掃描線(71)具有形成于基板(1)的周邊區域的掃描線端子(712)；在所述柵極絕緣層(6)上對應所述數據線端子(312)上方形成第三過孔(81)；

步驟7、在所述柵極絕緣層(6)、柵極(7)、及柵極掃描線(71)上沉積第二透明導電層，對所述第二透明導電層進行圖案化處理，形成公共電極(9)、分別覆蓋于柵極(7)與柵極掃描線(71)上方的保護層(91)、以及經由所述第三過孔(81)與所述數據線端子(312)相接觸的連接導線(92)。