[發明專利]陣列基板的制作方法

有效

• 申請號: 201610020299.6
• 申請日: 2016-01-12
• 公開（公告）號: CN105514033B
• 公開（公告）日: 2019-01-15
• 發明（設計）人: 劉元甫;湯富雄
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1368
• 代理公司: 深圳市德力知識產權代理事務所 44265
• 代理人: 林才桂

本發明提供一種陣列基板的制作方法，通過在平坦層光罩(40)上用于形成溝槽的條形圖案(401)兩側設置坡角改善圖案(402)，從而可以降低在平坦層(30)上形成的溝槽(32)的坡角(321)，使其坡度變緩，防止后續制程中造成金屬或ITO殘留引起信號線間的短路，提高產品良率；對于內嵌式觸控結構的陣列基板的溝槽處，不需對觸控感應線進行換線，降低工藝難度，提升產品良率。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板的制作方法。

背景技術

隨著顯示技術的發展，液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)等平面顯示裝置因具有高畫質、省電、機身薄及應用范圍廣等優點，而被廣泛的應用于手機、電視、個人數字助理、數字相機、筆記本電腦、臺式計算機等各種消費性電子產品，成為顯示裝置中的主流。

現有市場上的液晶顯示裝置大部分為背光型液晶顯示器，其包括液晶顯示面板及背光模組(backlight module)。液晶顯示面板的工作原理是在兩片平行的玻璃基板當中放置液晶分子，兩片玻璃基板中間有許多垂直和水平的細小電線，通過通電與否來控制液晶分子改變方向，將背光模組的光線折射出來產生畫面。

通常液晶顯示面板由彩膜(CF，Color Filter)基板、薄膜晶體管(TFT，Thin FilmTransistor)基板、夾于彩膜基板與薄膜晶體管基板之間的液晶(LC，Liquid Crystal)及密封膠框(Sealant)組成，其成型工藝一般包括：前段陣列(Array)制程(薄膜、黃光、蝕刻及剝膜)、中段成盒(Cell)制程(TFT基板與CF基板貼合)及后段模組組裝制程(驅動IC與印刷電路板壓合)。其中，前段Array制程主要是形成TFT基板，以便于控制液晶分子的運動；中段Cell制程主要是在TFT基板與CF基板之間添加液晶；后段模組組裝制程主要是驅動IC壓合與印刷電路板的整合，進而驅動液晶分子轉動，顯示圖像。

為了解決現實屏幕的亮度保持不變且背光亮度功耗不提升，技術人員想出了各種辦法來提升透過率，現在常規的做法是采用平坦層來減少像素電極和公共電極與信號線或掃描線間的電容，一般平坦層的厚度為1.5μm以上，這使得開口率增大。同時為了實現顯示設備窄邊框的需求，通常的做法是壓縮液晶顯示面板的框膠寬度；為了不減小框膠對于TFT基板和CF基板的黏附性，通常會在TFT基板周邊的平坦層(PLN)上挖一條溝槽，這樣框膠與TFT基板的接觸面積不會減小，但這又帶來了一個技術上的問題，PLN的溝槽一般是1.5μm以上的較深的溝槽，且溝槽邊緣的坡角(Taper)很大，一般大于50度，在后續進行ITO像素電極時通常在溝槽里面有大量的ITO殘留，這使得ITO引起了信號線間的短路，引起顯示不良，如何解決ITO引起的信號線間的短路是中小尺寸面對的一個問題。

如圖1-2所示，現有的陣列基板制作方法包括如下步驟：在基板100上形成TFT層200，在所述TFT層200上涂布有機材料形成平坦層300，并采用黃光制程在所述平坦層300的周邊區域中形成溝槽320；在完成平坦層300的制程后，在平坦層300沉積ITO薄膜400，之后采用光刻制程對所述ITO薄膜400進行圖形化處理，首先，在所述ITO薄膜400上涂布光阻形成光阻層500，之后對所述光阻層500進行曝光、顯影，由于溝槽320的坡角(Taper)過大，因此在曝光、顯影后所述溝槽320內通常會形成光阻殘留530(如圖1所示)，由于殘留光阻的遮擋，對ITO薄膜400蝕刻之后在溝槽320內形成了ITO殘留430(如圖2所示)。同理，對于In-cell Touch(內嵌式觸控)結構的陣列基板，也會出現M3(觸控感應線Rx所在金屬層)的金屬殘留，進而造成觸控(Touch)信號錯亂，影響產品品質。

發明內容

本發明的目的在于提供一種陣列基板的制作方法，可以降低在平坦層周邊區域上形成的溝槽的坡角，使其坡度變緩，防止后續制程中造成金屬或ITO殘留引起信號線間的短路，提高產品良率。

為實現上述目的，本發明提供一種陣列基板的制作方法，包括如下步驟：