[發(fā)明專利]陣列基板的制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610020299.6
• 申請日: 2016-01-12
• 公開（公告）號: CN105514033B
• 公開（公告）日: 2019-01-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉元甫;湯富雄
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1368
• 代理公司: 深圳市德力知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44265
• 代理人: 林才桂

1.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟1、提供一基板(10)，在所述基板(10)上形成TFT層(20)，之后在所述TFT層(20)上涂布有機(jī)光阻材料，形成平坦層(30)；

步驟2、提供一平坦層光罩(40)，所述平坦層光罩(40)上設(shè)有對應(yīng)于所述平坦層(30)周邊區(qū)域的數(shù)條溝槽圖案(41)，所述溝槽圖案(41)包括用于在平坦層上形成溝槽的條形圖案(401)、以及設(shè)于所述條形圖案(401)兩側(cè)的坡角改善圖案(402)，所述坡角改善圖案(402)包括沿所述條形圖案(401)的邊界并列密集排布的數(shù)個微型圖案(421)，所述微型圖案(421)的寬度從所述條形圖案(401)的邊界向外逐漸變小；所述微型圖案(421)包括從所述條形圖案(401)的邊界向外依次排列且半徑逐漸變小的數(shù)個圓形圖案(425)，所述圓形圖案(425)的直徑為1～3μm，或者所述微型圖案(421)為三角形圖案(426)，所述三角形圖案(426)的寬度為1～3μm；

步驟3、采用所述平坦層光罩(40)對所述平坦層(30)進(jìn)行曝光、顯影，在所述平坦層(30)的周邊區(qū)域形成數(shù)條溝槽(32)，由于所述平坦層光罩(40)上用于形成溝槽的條形圖案(401)兩側(cè)設(shè)有坡角改善圖案(402)，從而可以降低溝槽(32)的坡角(321)，使其坡度變緩；

所述步驟3中得到的溝槽(32)的坡角(321)介于20度與50度之間。

2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述基板(10)為透明基板；所述TFT層(20)包括緩沖層(21)、柵極絕緣層(23)、層間介電層(25)、以及分布于所述緩沖層(21)、柵極絕緣層(23)、層間介電層(25)、及平坦層(30)之間的有源層、柵極、及源/漏極。

3.如權(quán)利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，當(dāng)所述平坦層(30)為正型有機(jī)光阻材料時，所述平坦層光罩(40)上的溝槽圖案(41)為透明，其它區(qū)域為不透明；當(dāng)所述平坦層(30)為負(fù)型有機(jī)光阻材料時，所述平坦層光罩(40)上的溝槽圖案(41)為不透明，其它區(qū)域為透明。

4.如權(quán)利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，還包括步驟4、在所述平坦層(30)上沉積氧化物導(dǎo)電層(50)，采用光刻制程對所述氧化物導(dǎo)電層(50)進(jìn)行圖案化處理，形成像素電極(51)，由于所述步驟3中形成的溝槽(32)的坡角(321)較緩，從而可以避免氧化物導(dǎo)電層(50)在溝槽(32)中造成殘留。

5.如權(quán)利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，還包括步驟4’、在所述平坦層(30)上沉積金屬層(60)，采用光刻制程對所述金屬層(60)進(jìn)行圖案化處理，形成觸控感應(yīng)線(61)，由于所述步驟3中形成的溝槽(32)的坡角(321)較緩，從而可以避免金屬層(60)在溝槽(32)中造成殘留。