[發(fā)明專利]制造傳感器集成電路的方法及使用該方法制造的集成電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610018737.5
• 申請日: 2016-01-12
• 公開（公告）號: CN105675051B
• 公開（公告）日: 2018-06-05
• 發(fā)明（設計）人: 賴建文
• 申請（專利權）人: 上海申矽凌微電子科技有限公司
• 主分類號: G01D21/02
• 分類號: G01D21/02;H01L21/77
• 代理公司: 上海漢聲知識產(chǎn)權代理有限公司 31236
• 代理人: 郭國中

1.一種制造傳感器集成電路的方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟1，在第一襯底硅片上制造溫濕度傳感器集成電路，在所述第一襯底硅片上制造與所述溫濕度傳感器集成電路連接的第一金屬鋁布線；

步驟2，在所述第一襯底硅片上制造第二襯底硅片，在所述第二襯底硅片上制造紅外光和可見光亮度傳感器，在所述第二襯底硅片面向所述第一襯底硅片的一側(cè)設有與所述紅外光和可見光亮度傳感器連接的第二金屬鋁布線；

步驟3，連接所述紅外光和可見光亮度傳感器與所述溫濕度傳感器集成電路；

步驟4，封裝。

2.根據(jù)權利要求1所述的制造傳感器集成電路的方法，其特征在于，所述步驟2包括：

步驟2.1，在所述第二襯底硅片內(nèi)通過離子注入和高溫擴散的方法制造第一二極管、第二二極管、第三二極管、第四二極管及第五二極管；

步驟2.2，在所述第二襯底硅片的表面通過等離子體增強化學氣相沉積法淀積第一電隔離層；

步驟2.3，在所述第一電隔離層上通過光刻和干法刻蝕方法刻出第一接觸孔，所述第一接觸孔貫穿所述第一電隔離層；

步驟2.4，在所述第一接觸孔內(nèi)通過化學氣相沉積法沉積金屬鎢，所述金屬鎢與所述第一二極管、所述第二二極管、所述第三二極管、所述第四二極管及所述第五二極管連接；

步驟2.5，在所述第一電隔離層上通過物理氣相沉積法濺射金屬鋁連線，所述金屬鋁連線與所述金屬鎢連接；

步驟2.6，在所述第一電隔離層上通過涂布和光刻的方法設置紅光過濾薄膜，所述紅光過濾薄膜的位置與所述第三二極管對應；

步驟2.7，在所述第一電隔離層上通過涂布和光刻的方法設置黃光過濾薄膜，所述黃光過濾薄膜的位置與所述第二二極管對應；

步驟2.8，在所述第一電隔離層上通過涂布和光刻的方法設置藍光過濾薄膜，所述藍光過濾薄膜的位置與所述第一二極管對應；

步驟2.9，在所述第一電隔離層上通過等離子體增強化學氣相沉積法淀積第二電隔離層，所述第二電隔離層包裹所述金屬鋁連線、所述紅光過濾薄膜、所述黃光過濾薄膜及所述藍光過濾薄膜；

步驟2.10，在所述第二電隔離層上通過物理氣相沉積法濺射和光刻的方法設置紅外光吸收薄膜，所述紅外光吸收薄膜的位置與所述第一二極管、所述第二二極管、所述第三二極管及所述第四二極管對應；

步驟2.11，在所述第二電隔離層上淀積介質(zhì)層，所述介質(zhì)層包裹所述紅外光吸收薄膜。

3.根據(jù)權利要求2所述的制造傳感器集成電路的方法，其特征在于，所述第一電隔離層及所述第二電隔離層的厚度為1微米。

4.根據(jù)權利要求2或3所述的制造傳感器集成電路的方法，其特征在于，所述第一電隔離層及所述第二電隔離層的材質(zhì)為二氧化硅。

5.根據(jù)權利要求2所述的制造傳感器集成電路的方法，其特征在于，所述紅光過濾薄膜的厚度為0.5微米～1.0微米，所述紅光過濾薄膜允許光譜波長為610納米～760納米的紅光通過；

所述黃光過濾薄膜的厚度為0.5微米～1.0微米，所述黃光過濾薄膜允許光譜波長為490納米～570納米的黃光通過；

所述藍光過濾薄膜的厚度為0.5微米～1.0微米，所述藍光過濾薄膜允許光譜波長為450納米～480納米的藍光通過。

6.根據(jù)權利要求2所述的制造傳感器集成電路的方法，其特征在于，所述紅外光吸收薄膜吸收波長為760納米～30000納米的紅外光頻譜的光束。

7.根據(jù)權利要求2所述的制造傳感器集成電路的方法，其特征在于，所述步驟3包括：

步驟3.1，在所述第二襯底硅片上設置通孔，所述通孔貫穿所述第一電隔離層和所述第二襯底硅片；

步驟3.2，在所述通孔內(nèi)填充金屬銅，所述金屬銅的兩端分別與所述金屬鋁連線及所述第二金屬鋁布線連接；

步驟3.3，在所述第一襯底硅片上涂布聚希亞胺層，所述聚希亞胺層包裹所述第一金屬鋁布線，在所述聚希亞胺層上設有第二接觸孔，在所述第二接觸孔內(nèi)設有金屬球；

步驟3.4，通過所述金屬球連接所述第一金屬鋁布線及所述第二金屬鋁布線。