[發明專利]一種階梯型厚柵氧化層的制作方法有效
| 申請號： | 201610018432.4 | 申請日： | 2016-01-13 |
| 公開（公告）號： | CN105489481B | 公開（公告）日： | 2018-08-03 |
| 發明（設計）人： | 連延杰 | 申請（專利權）人： | 成都芯源系統有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/28 | 分類號： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 611731 四川省成都市成都*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 階梯 型厚柵 氧化 制作方法 | ||
1.一種階梯型厚柵氧化層的制作方法，包括：
在半導體襯底上形成第一襯墊氧化層；
在第一襯墊氧化層上形成氮化層；
在氮化層上形成第二襯墊氧化層；
在第二襯墊氧化層上淀積多晶硅；
通過掩膜開口從多晶硅的露出面開始蝕刻，制作貫穿多晶硅的多晶硅開口；
從第二襯墊氧化層的露出面開始蝕刻，制作貫穿第二襯墊氧化層的氧化層開口；
從氮化層的露出面開始蝕刻，制作貫穿氮化層的氮化層開口，其中氮化層開口的寬度大于氧化層開口的寬度；
向氮化層開口、氧化層開口以及多晶硅開口構成的階梯型溝槽內淀積填充氧化物；
去除淀積在多晶硅表面的填充氧化物；
去除剩余的多晶硅；
去除剩余的第二襯墊氧化層；
去除剩余的氮化層；以及
去除暴露的第一襯墊氧化層；其中
剩余的第一襯墊氧化層和剩余的填充氧化層構成了階梯型厚柵氧化層，所述階梯型厚柵氧化層的厚度等于剩余的第一襯墊氧化層和填充氧化層的厚度之和。
2.如權利要求1所述的制作方法，其中氧化層開口的寬度大于多晶硅開口的寬度。
3.如權利要求1所述的制作方法，其中氧化層開口的寬度等于多晶硅開口的寬度。
4.如權利要求1所述的制作方法，其中該階梯型柵氧化層具有兩級臺階，該制作方法通過控制掩膜開口的寬度來控制上級臺階的寬度。
5.如權利要求4所述的制作方法，其中通過控制掩膜開口的寬度和氮化層開口的寬度來控制下級臺階的寬度。
6.如權利要求1所述的制作方法，進一步包括在去除剩余的第二襯墊氧化層和去除暴露的第一襯墊氧化層的步驟中，控制階梯型厚柵氧化層的厚度。
7.如權利要求1所述的制作方法，其中填充氧化物為正硅酸乙酯。
8.如權利要求1所述的制作方法，其中制作多晶硅開口的方法包括各向異性蝕刻。
9.如權利要求1所述的制作方法，其中氮化層的厚度區間為至
10.如權利要求1所述的制作方法，其中多晶硅的厚度區間為至
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
