[發(fā)明專利]一種階梯型厚柵氧化層的制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610018432.4
• 申請日: 2016-01-13
• 公開（公告）號: CN105489481B
• 公開（公告）日: 2018-08-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 連延杰
• 申請（專利權(quán)）人: 成都芯源系統(tǒng)有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

公開了一種階梯型厚柵氧化層的制作方法。該制作方法可以減少階梯型厚柵氧化層制作工藝中的掩膜數(shù)，降低高壓BCD工藝中高壓器件的制作成本。此外，采用該制作方法，階梯型厚柵氧化層的尺寸易于控制，有利于改善整個高壓器件的性能，且厚柵氧化層的總厚度可以達(dá)到3000埃以上，可承受更高的電壓。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件的制造，更具體地，本發(fā)明涉及一種高壓BCD工藝中階梯型厚柵氧化層的制作方法。

背景技術(shù)

在高壓BCD(雙極型-互補金屬氧化半導(dǎo)體-雙擴散金屬氧化半導(dǎo)體，Bipolar-CMOS-DMOS)工藝的集成電路結(jié)構(gòu)中，通常需要厚柵氧化層來制作高壓MOS器件。與具有傳統(tǒng)厚柵氧化層的高壓MOS器件相比，具有階梯型厚柵氧化層的高壓MOS器件可減小導(dǎo)通電阻，有效削弱柵極下方的漏端表面電場以提高擊穿電壓。現(xiàn)有技術(shù)中階梯型厚氧化層的制作工藝為：利用掩膜1淀積出傳統(tǒng)厚柵氧化層之后，再利用掩膜2對傳統(tǒng)厚柵氧化層進(jìn)行蝕刻以形成臺階。然而，通過上述工藝制作的階梯型厚柵氧化層的厚度一般只有1000埃左右，不能承受足夠的電壓，影響整個高壓器件的性能。此外，該制作方法成本較高，制約著半導(dǎo)體器件集成的發(fā)展。

發(fā)明內(nèi)容

考慮到現(xiàn)有技術(shù)的一個或多個技術(shù)問題，提出了一種既節(jié)約成本又便于調(diào)整尺寸的階梯型厚柵氧化層的制作方法，從而更好地為高壓BCD工藝的器件性能提供保證。

根據(jù)上述目的，本發(fā)明提出了一種階梯型厚柵氧化層的制作方法，包括：在半導(dǎo)體襯底上形成第一襯墊氧化層；在第一襯墊氧化層上形成氮化層；在氮化層上形成第二襯墊氧化層；在第二襯墊氧化層上淀積多晶硅；通過掩膜開口從多晶硅的露出面開始蝕刻，制作貫穿多晶硅的多晶硅開口；從第二襯墊氧化層的露出面開始蝕刻，制作貫穿第二襯墊氧化層的氧化層開口；從氮化層的露出面開始蝕刻，制作貫穿氮化層的氮化層開口，其中氮化層開口的寬度大于氧化層開口的寬度；向氮化層開口、氧化層開口以及多晶硅開口構(gòu)成的階梯型溝槽內(nèi)淀積填充氧化物；去除淀積在多晶硅表面的填充氧化物；去除剩余的多晶硅；去除剩余的第二襯墊氧化層；去除剩余的氮化層；以及去除暴露的第一襯墊氧化層。

根據(jù)上述制作方法，不僅節(jié)省了掩膜，降低了成本，同時在制作過程中，階梯型厚柵氧化層的尺寸易于控制，有利于改善整個高壓器件的性能。

附圖說明

為了更好的理解本發(fā)明，將根據(jù)以下附圖對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述：

圖1-13示出了根據(jù)本發(fā)明一實施例的階梯型厚柵氧化層108的制作流程圖；

圖14和15分別示出了階梯型厚柵氧化層108制作完成后薄柵氧化層109與多晶硅柵110的制作流程圖；

圖16示出了根據(jù)本發(fā)明一實施例的階梯型厚柵氧化層制作方法300的流程圖。

具體實施方式

下面將詳細(xì)描述本發(fā)明的具體實施例，應(yīng)當(dāng)注意，這里描述的實施例只用于舉例說明，并不用于限制本發(fā)明。在以下描述中，為了提供對本發(fā)明的透徹理解，闡述了大量特定細(xì)節(jié)。然而，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員顯而易見的是：不必采用這些特定細(xì)節(jié)來實行本發(fā)明。在其他實例中，為了避免混淆本發(fā)明，未具體描述公知的電路、材料或方法。

在整個說明書中，對“一個實施例”、“實施例”、“一個示例”或“示例”的提及意味著：結(jié)合該實施例或示例描述的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性被包含在本發(fā)明至少一個實施例中。因此，在整個說明書的各個地方出現(xiàn)的短語“在一個實施例中”、“在實施例中”、“一個示例”或“示例”不一定都指同一實施例或示例。此外，可以以任何適當(dāng)?shù)慕M合和/或子組合將特定的特征、結(jié)構(gòu)或特性組合在一個或多個實施例或示例中。此外，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，在此提供的附圖都是為了說明的目的，并且附圖不一定是按比例繪制的。

圖1-13示出了根據(jù)本發(fā)明一實施例的階梯型厚柵氧化層108的制作流程圖，下面結(jié)合附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的具體實施例方式。