[發明專利]一種半導體器件以及制備方法、電子裝置

有效

• 申請號: 201610018229.7
• 申請日: 2016-01-12
• 公開（公告）號: CN106960817B
• 公開（公告）日: 2020-02-11
• 發明（設計）人: 由云鵬;劉輝;孟令成
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H01L21/8234
• 分類號: H01L21/8234;H01L27/088
• 代理公司: 11336 北京市磐華律師事務所
• 代理人: 高偉;馮永貞

1.一種半導體器件的制備方法，其特征在于，包括：

步驟S1：提供半導體襯底，所述半導體襯底包括高壓器件區域和低壓器件區域，在所述高壓器件區域的半導體襯底上形成有圖案化的高壓柵極氧化物層；

步驟S2：在所述低壓器件區域的半導體襯底上和所述高壓柵極氧化物層的兩側形成低壓柵極氧化物層；

步驟S3：在所述低壓柵極氧化物層上形成低壓柵極結構及其間隙壁，同時在所述高壓柵極氧化物層上形成高壓柵極結構及其間隙壁，其中在所述高壓器件區域中所述間隙壁的關鍵尺寸和所述高壓柵極結構的關鍵尺寸之和等于下方的所述高壓柵極氧化物層的關鍵尺寸；

步驟S4：在所述高壓器件區域和所述低壓器件區域形成金屬硅化物阻擋層并圖案化，以露出所述低壓柵極結構兩側的所述低壓柵極氧化物層和所述高壓柵極結構；

步驟S5：去除露出的所述低壓柵極氧化物層，以露出要形成自對準硅化物的區域；

步驟S6：在露出的所述區域和所述高壓柵極結構上形成自對準硅化物；

所述制備方法使得定位金屬硅化物阻擋層位置的光刻膠保持形貌上的穩定性，不會發生光刻膠脫落的缺陷，避免電路失效。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟S1包括：

步驟S11：提供半導體襯底，在所述半導體襯底中形成有高壓阱區和低壓阱區，所述高壓阱區和所述低壓阱區之間形成有隔離結構；

步驟S12：在所述高壓阱區和所述低壓阱區上形成高壓柵極氧化物層，然后圖案化所述高壓柵極氧化物層，以減小所述高壓柵極氧化物層的關鍵尺寸，同時去除所述低壓阱區上的所述高壓柵極氧化物層。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述高壓柵極氧化物層的厚度為130～140埃；

所述低壓柵極氧化物層的厚度為24～29埃。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟S3包括：

步驟S31：在所述低壓柵極氧化物層和所述高壓柵極氧化物層上形成柵極材料層，以覆蓋所述低壓柵極氧化物層和所述高壓柵極氧化物層；

步驟S32：圖案化所述柵極材料層，以分別在所述低壓柵極氧化物層和所述高壓柵極氧化物層上形成所述高壓柵極結構和所述低壓柵極結構，其中所述高壓柵極氧化物層上的所述高壓柵極結構的關鍵尺寸小于所述高壓柵極氧化物層的關鍵尺寸；

步驟S33：在所述高壓柵極結構和所述低壓柵極結構的側壁上形成間隙壁，其中在所述高壓器件區域中所述間隙壁位于所述高壓柵極氧化物層上且完全能覆蓋所述高壓柵極氧化物層。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，在所述步驟S33之后還進一步包括在所述高壓柵極結構和所述低壓柵極結構的兩側形成高壓源漏區和低壓源漏區的步驟。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，在所述步驟S4中，形成所述金屬硅化物阻擋層并圖案化，以露出所述高壓源漏區和所述低壓源漏區。

7.根據權利要求1或6所述的方法，其特征在于，所述金屬硅化物阻擋層的厚度為740～900埃。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S5中通過干法蝕刻去除所述低壓柵極氧化物層。

9.一種基于權利要求1至8之一所述方法制備得到的半導體器件。

10.一種電子裝置，包括權利要求9所述的半導體器件。