[發(fā)明專(zhuān)利]高壓晶體管

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610017653.X
• 申請(qǐng)日: 2016-01-12
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106960841B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-02-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王志銘;王禮賜;唐天浩
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 聯(lián)華電子股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/02
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/02
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種高壓晶體管，包括：

基底；

高壓阱，設(shè)置于該基底中；

第一基體區(qū)，設(shè)置于該高壓阱中，其中該第一基體區(qū)具有一第一導(dǎo)電類(lèi)型；

第一摻雜區(qū)，設(shè)置于該第一基體區(qū)中，其中該第一摻雜區(qū)具有互補(bǔ)于該第一導(dǎo)電類(lèi)型的一第二導(dǎo)電類(lèi)型；

第二摻雜區(qū)，設(shè)置于位于該第一基體區(qū)的一側(cè)的該高壓阱中，其中該第二摻雜區(qū)具有該第二導(dǎo)電類(lèi)型，且該第二摻雜區(qū)具有一第一摻雜濃度；

第二基體區(qū)，設(shè)置于位于該第二摻雜區(qū)下的該高壓阱中，且該第二基體區(qū)與該第二摻雜區(qū)相接觸，其中該第二基體區(qū)與該高壓阱相接觸，該第二基體區(qū)具有該第二導(dǎo)電類(lèi)型，且該第二基體區(qū)具有一第二摻雜濃度，小于該第一摻雜濃度；以及

第三摻雜區(qū)，設(shè)置于位于該第二基體區(qū)下的該高壓阱，且該第三摻雜區(qū)與該第二基體區(qū)相接觸，其中該第三摻雜區(qū)具有該第二導(dǎo)電類(lèi)型，且該第三摻雜區(qū)具有一第三摻雜濃度，小于該第二摻雜濃度，其中該第三摻雜區(qū)與該第二摻雜區(qū)相接觸。

2.如權(quán)利要求1所述的高壓晶體管，其中該第二基體區(qū)具有一穿孔，且該第三摻雜區(qū)通過(guò)該穿孔與該第二摻雜區(qū)相接觸。

3.如權(quán)利要求1所述的高壓晶體管，其中該第二基體區(qū)具有面對(duì)該第一基體區(qū)的第一側(cè)邊，該第三摻雜區(qū)延伸至位于該第二基體區(qū)相對(duì)于該第一側(cè)邊的一側(cè)并與該第二摻雜區(qū)相接觸。

4.如權(quán)利要求1所述的高壓晶體管，其中該第一摻雜濃度實(shí)質(zhì)上為10¹⁹/cm³至10²⁰/cm³，該第二摻雜濃度實(shí)質(zhì)上為4×10¹⁹/cm³至1×10¹⁸/cm³，且該第三摻雜濃度實(shí)質(zhì)上為5×10¹⁶/cm³至8×10¹⁶/cm³。

5.如權(quán)利要求1所述的高壓晶體管，其中該高壓阱具有該第二導(dǎo)電類(lèi)型，且該高壓阱具有一第四摻雜濃度，小于該第三摻雜濃度。

6.如權(quán)利要求5所述的高壓晶體管，其中該第四摻雜濃度實(shí)質(zhì)上為4×10¹⁵/cm³至1×10¹⁶/cm³。

7.如權(quán)利要求1所述的高壓晶體管，另包括一高壓深阱，設(shè)置于該高壓阱中，且該高壓深阱包覆該第一基體區(qū)，其中該高壓深阱具有該第一導(dǎo)電類(lèi)型。

8.如權(quán)利要求1所述的高壓晶體管，其中該高壓阱具有該第一導(dǎo)電類(lèi)型。

9.如權(quán)利要求1所述的高壓晶體管，另包括一埋入層，設(shè)置于該基底中，其中該埋入層具有該第二導(dǎo)電類(lèi)型，且該高壓阱設(shè)置于該埋入層上。

10.如權(quán)利要求1所述的高壓晶體管，其中該第一導(dǎo)電類(lèi)型為n型，且該第二導(dǎo)電類(lèi)型為p型。

11.如權(quán)利要求1所述的高壓晶體管，另包括一柵極結(jié)構(gòu)，設(shè)置于位于該第二基體區(qū)與該第一摻雜區(qū)之間的該第一基體區(qū)與該高壓阱上。

12.如權(quán)利要求11所述的高壓晶體管，還包括一絕緣結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該柵極結(jié)構(gòu)與該高壓阱之間，且該絕緣結(jié)構(gòu)將該柵極結(jié)構(gòu)與該第二摻雜區(qū)分隔開(kāi)。

13.如權(quán)利要求1所述的高壓晶體管，還包括一摻雜接觸區(qū)，設(shè)置于該第一摻雜區(qū)中，且該摻雜接觸區(qū)具有該第二導(dǎo)電類(lèi)型。

14.如權(quán)利要求1所述的高壓晶體管，其中該第二摻雜區(qū)環(huán)繞該第一基體區(qū)。