[發明專利]晶圓承載裝置

在審

• 申請號: 201610015332.6
• 申請日: 2016-01-11
• 公開（公告）號: CN106960810A
• 公開（公告）日: 2017-07-18
• 發明（設計）人: 顏錫銘
• 申請（專利權）人: 錫宬國際有限公司
• 主分類號: H01L21/687
• 分類號: H01L21/687
• 代理公司: 上海翼勝專利商標事務所(普通合伙)31218
• 代理人: 翟羽

技術領域

本發明涉及晶圓領域，特別是涉及一種晶圓承載裝置。

背景技術

隨著科技的進步，對于晶圓厚度的要求越來越薄，因此需要背面研磨的制程。

請參閱圖1，圖1顯示現有技術中背面研磨及背面研磨之后的制程。

于步驟S100中，對一晶圓進行針測(wafer probe)。于步驟S102中，對該晶圓進行植球。于步驟S104中，對該晶圓進行背面研磨。于步驟S106中，以紫外光照射20～30秒，移除晶圓上之錫球面的保護膠帶。于步驟S108中，對該晶圓進行固化。于步驟S110中，對該晶圓進行研磨面(即背面)上的微粒(particle)殘膠清洗或蝕刻。于步驟S112中，對該晶圓背面之薄膜進行雷射標識(laser marking)。于步驟S114中，再次進行晶圓針測(wafer probe)。于步驟S116中，對該晶圓進行清洗或蝕刻。于步驟S118中，貼上芯片背面保護膠帶(LC tape)并上框架(thin frame)。于步驟S120中，切割該晶圓以獲得晶粒。于步驟S122 中，以紫外光照射20～30秒，移除芯片背面保護膠帶。于步驟S124中，傳送到測試分類(pick and place)站。于步驟S126中，檢驗各晶粒。于步驟S128中，選取并放置晶粒。于步驟S130中，將選取的晶粒傳送至吸取晶粒站(reel)。

在上述步驟S110及S116中，需要對晶圓進行清洗，然而由于晶圓厚度越來越薄，因此在清洗過程中容易造成晶圓破裂的情況發生。此外，現有技術中，采用吸盤吸住晶圓或用頂針承載晶圓，在清洗過程中也容易造成晶圓破裂的情況發生。

此外，在對晶圓進行研磨面上的微粒及殘膠清洗或蝕刻制程中，所噴灑的液體或清水容易流至不需要清洗或蝕刻的表面，造成不需要清洗或蝕刻的表面受到侵蝕甚至破壞線路。

因此需要針對現有技術中晶圓容易破裂以及不需要清洗或蝕刻的表面受到破壞的問題提出解決方法。

發明內容

本發明的目的是提供一種晶圓承載裝置，其能解決現有技術中晶圓容易破裂以及不需要清洗或蝕刻的表面受到破壞的問題。

本發明提供一種晶圓承載裝置，用于承載一晶圓，該晶圓承載裝置包括一基座以及一承載盤。該承載盤固定于該基座上并包括一底盤、一出氣盤、以及若干個限位單元。該底盤包括若干個連接部，各連接部包括若干個氣孔。該出氣盤設置于該底盤上且包括若干個多孔性薄膜。這些限位單元固定在該底盤之周圍。

依據本發明的實施例，該基座具有一進氣部，該進氣部用于提供使該晶圓漂浮至一特定位置之氣壓。

依據本發明的實施例，該晶圓漂浮至該特定位置時，這些限位單元夾持住該晶圓并帶動該晶圓旋轉。

依據本發明的實施例，該特定位置為該出氣盤上方0.5毫米至10毫米之間。

依據本發明的實施例，這些多孔性薄膜的位置對應至這些氣孔的位置。

依據本發明的實施例，這些多孔性薄膜的孔徑為0.1至0.5微米，這些多孔性薄膜的厚度為1至5毫米。

依據本發明的實施例，這些連接部被設置成同心圓的形狀，且相同圈之連接部被分離成若干個部分。

依據本發明的實施例，這些多孔性薄膜被設置成同心圓的形狀，且相同圈之多孔性薄膜被分離成若干個部分。

依據本發明的實施例，該出氣盤進一步包括若干個鎖固件，這些鎖固件用于鎖固在該底盤上。

依據本發明的實施例，各限位單元包括一固定部以及一可移動部。該固定部呈倒L形狀并用于固定在該出氣盤上。該可移動部嵌入于該固定部之一垂直邊中。

依據本發明的實施例，該可移動部包括一扣件部，該可移動部可朝向該固定部之一水平邊的方向傾斜，并帶動該扣件部朝向該固定部之該水平邊的方向傾斜。

相較于現有技術，本發明之晶圓承載裝置采用之多孔性薄膜能提供均勻的氣壓給晶圓，使得晶圓不會有破裂的情況發生。再者，本發明之晶圓承載裝置采用限位單元帶動晶圓旋轉，在清洗或蝕刻時所噴灑的化學藥劑、氮氣、或清水不會流至該晶圓不需要清洗或蝕刻的表面，因此不會破壞不需要清洗或蝕刻的表面上的線路。

為讓本發明的上述內容能更明顯易懂，下文特舉優選實施例，并配合所附圖式，作詳細說明如下：

附圖說明

圖1顯示現有技術中背面研磨及背面研磨之后的制程。

圖2顯示根據本發明一實施例之晶圓承載裝置之立體圖。

圖3顯示圖2之承載盤之分解圖。

圖4顯示根據本發明一實施例之限位單元之立體圖。

具體實施方式