[發明專利]晶圓承載裝置在審
| 申請號: | 201610015332.6 | 申請日: | 2016-01-11 |
| 公開(公告)號: | CN106960810A | 公開(公告)日: | 2017-07-18 |
| 發明(設計)人: | 顏錫銘 | 申請(專利權)人: | 錫宬國際有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/687 | 分類號: | H01L21/687 |
| 代理公司: | 上海翼勝專利商標事務所(普通合伙)31218 | 代理人: | 翟羽 |
| 地址: | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 承載 裝置 | ||
1.一種晶圓承載裝置,用于承載一晶圓,其特征在于,該晶圓承載裝置包括:
一基座;以及
一承載盤,固定于該基座上,該承載盤包括:
一底盤,包括若干個連接部,各連接部包括若干個氣孔;
一出氣盤,設置于該底盤上且包括若干個多孔性薄膜;以及
若干個限位單元,固定在該底盤之周圍。
2.根據權利要求1所述的晶圓承載裝置,其特征在于,該基座具有一進氣部,該進氣部用于提供使該晶圓漂浮至一特定位置之氣壓。
3.根據權利要求2所述的晶圓承載裝置,其特征在于,該晶圓漂浮至該特定位置時,這些限位單元夾持住該晶圓并帶動該晶圓旋轉。
4.根據權利要求2所述的晶圓承載裝置,其特征在于,該特定位置為該出氣盤上方0.5毫米至10毫米之間。
5.根據權利要求1所述的晶圓承載裝置,其特征在于,這些多孔性薄膜的位置對應至這些氣孔的位置。
6.根據權利要求1所述的晶圓承載裝置,其特征在于,這些多孔性薄膜的孔徑為0.1至0.5微米,這些多孔性薄膜的厚度為1至5毫米。
7.根據權利要求1所述的晶圓承載裝置,其特征在于,這些多孔性薄膜被設置成同心圓的形狀,且相同圈之多孔性薄膜被分離成若干個部分。
8.根據權利要求1所述的晶圓承載裝置,其特征在于,這些連接部被設置成同心圓的形狀,且相同圈之連接部被分離成若干個部分。
9.根據權利要求1所述的晶圓承載裝置,其特征在于,該出氣盤進一步包括若干個鎖固件,這些鎖固件用于鎖固在該底盤上。
10.根據權利要求1所述的晶圓承載裝置,其特征在于,各限位單元包括:
一固定部,呈倒L形狀,該固定部用于固定在該出氣盤上;以及
一可移動部,嵌入于該固定部之一垂直邊中。
11.根據權利要求10所述的晶圓承載裝置,其特征在于,該可移動部包括一扣件部,該可移動部可朝向該固定部之一水平邊的方向傾斜,并帶動該扣件部朝向該固定部之該水平邊的方向傾斜。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





