[發明專利]DRAM不良晶粒的回收再利用方法

有效

• 申請號: 201610015283.6
• 申請日: 2016-01-08
• 公開（公告）號: CN105655268B
• 公開（公告）日: 2018-03-27
• 發明（設計）人: 黃曦;黃華
• 申請（專利權）人: 沛頓科技（深圳）有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L21/67;H01L21/8242
• 代理公司: 東莞市中正知識產權事務所(普通合伙)44231
• 代理人: 徐康

1.一種DRAM不良芯片的回收再利用方法，其特征在于包括如下步驟：

1)在晶圓測試過程中，根據正常全容量測試過程出現失效的地址范圍，對每顆芯片做出初步分類，并在晶圓對位圖對每顆芯片做出標記；

2)在芯片貼片時通過晶圓對位圖將相同類型半容量的芯片抓取貼到同一個基板上，并將不同類別芯片分別放置；

3)針對每種類型的半容量芯片，定制對應的專用邦線方式，讓對應地址線在芯片內部強制連接到低電平或者高電平;所述專用邦線方式，對于不同的地址邦線修改方式可以產生左半好芯片（H1)、右半好芯片(H2)、上半好芯片(H5)、下半好芯片(H6)不同組合Bin的半容量芯片；對于左半好芯片，將上半好芯片的（A15）邦線點從其（A15）輸入端改為直接接地VSS；右半好芯片則是（A15）接電壓源VDD；對于Bin上半好芯片/Bin下半好芯片，則是將其（BA2）邦線點不再接輸入端而直接接地VSS和電源VDD；

4)包括對于左半好芯片/右半好芯片，將其（A15 pin）輸入信號由原來的地址輸入端（ADDRESS pin）調整為不連接端（NC pin）；對于上半好芯片/下半好芯片則修改其（BA2）引腳的測試條件由原來的地址輸入端（ADDRESS pin）重置為不連接端（NC pin），對測試向量（pattern）所訪問的bank進行修改，屏蔽一半不會被訪問的bank；

5)完成封裝后的芯片，通過定制測試程序完成最終芯片測試，篩選出真正半容量參數、功能、速度均達標的芯片作為最終成品。