[發(fā)明專利]一種量子點電致發(fā)光二極管及其制備方法、顯示器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610009415.4
• 申請日: 2016-01-06
• 公開（公告）號: CN105576139B
• 公開（公告）日: 2017-11-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 徐威;何曉龍;舒適
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11291
• 代理人: 任嘉文

技術(shù)領(lǐng)域

本申請涉及量子點電致發(fā)光技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種量子點電致發(fā)光二極管及其制備方法、顯示器。

背景技術(shù)

量子點電致發(fā)光二極管(Quantum dot light-emitting diode，QLED)是一種電流直接激發(fā)量子點發(fā)光的器件。QLED結(jié)合了量子點材料優(yōu)勢，例如量子點具有發(fā)光波長可調(diào)諧、線寬窄(15-30nm)、效率高(70％-100％)，光、熱及化學(xué)穩(wěn)定性好，以及OLED成膜工藝，有望應(yīng)用于新一代高色彩質(zhì)量、低功耗的平板顯示，受到越來越多人們的關(guān)注。然而，以紅光QLED為例，其外量子效率(EQE)達(dá)20.5％，最大亮度＞10⁴cd/m²，壽命達(dá)10Wh(T50@100cd/m²)，與已經(jīng)推向量產(chǎn)的OLED性能有一定的差距，不能滿足商業(yè)化產(chǎn)品的需求。

目前，傳統(tǒng)的有機-無機雜化QLED器件中，量子點發(fā)光層夾在的有機空穴傳輸層和無機電子傳輸層中間的三明治結(jié)構(gòu)，其中無機電子傳輸材料多采用具有較高的電子遷移率(10^-3cm²V^-1S^-1)ZnO納米粒子薄膜，有利于器件中電子的注入和傳輸。而有機空穴傳輸材料的HOMO能級位于-5.0eV～-6.0eV范圍，量子點價帶能級位于-6.0eV～-7.0eV范圍，存在著較大的空穴注入勢壘；另外，多數(shù)有機空穴傳輸材料的遷移率＜10^-4cm²V^-1S^-1，不利于器件中空穴的注入和傳輸，將導(dǎo)致器件中電子和空穴注入不平衡，并以熱的形式消耗能量，且有機材料受熱老化以及容易受到環(huán)境中水、氧侵蝕，影響器件效率和壽命。

發(fā)明內(nèi)容

本申請實施例提供了一種QLED及其制備方法、顯示器，用以阻擋QLED中的電子注入，增強QLED中載流子注入平衡，同時改善QLED中光的輸出效率以及器件抵抗水、氧侵蝕的能力，提高QLED亮度、工作效率及壽命。

本申請實施例提供的一種QLED，包括：

第一電極層和第二電極層、設(shè)置在所述第一電極層和所述第二電極層之間的空穴傳輸層、設(shè)置在所述空穴傳輸層和所述第二電極層之間的量子點發(fā)光層、設(shè)置在所述量子點發(fā)光層和所述第二電極層之間的電子傳輸層、設(shè)置在所述電子傳輸層和所述第二電極層之間的電子緩沖層。

本申請實施例提供的QLED，通過在電子傳輸層和第二電極層之間設(shè)置電子緩沖層，或者，在電子傳輸層和第一電極層之間設(shè)置電子緩沖層，可以阻擋電子注入，增強載流子注入平衡，同時將改善器件中光的輸出效率以及器件抵抗水、氧侵蝕的能力，提高器件亮度和效率及壽命。

較佳地，所述電子緩沖層采用的材料的折射率小于所述電子傳輸層采用的材料的折射率。

這樣，可以改善QLED中金屬電極和電子傳輸層之間的界面特性以及QLED中光的輸出效率。

較佳地，所述電子緩沖層是采用真空蒸鍍或電子束熱蒸鍍的方法制備得到的。

這樣，使得QLED穩(wěn)定性好，可以改善QLED抵抗水、氧侵蝕的能力，有利于獲得更長壽命的QLED。

較佳地，所述電子緩沖層的材料包括下列材料的一種或多種：MgF₂、AlF₃、SiO₂。

較佳地，所述第一電極層為透明第一電極層。

較佳地，所述第二電極層為金屬第二電極層。

較佳地，所述電子緩沖層的厚度為：0.5nm～50nm。

較佳地，所述電子緩沖層的厚度是所述電子傳輸層的厚度的1％～20％。

本申請實施例提供的一種顯示器，包括本申請實施例提供的所述的QLED。

本申請實施例提供的一種量子點電致發(fā)光二極管QLED的制備方法，包括：

制備第一電極層；在所述第一電極層之上制備空穴傳輸層；在所述空穴傳輸層之上制備量子點發(fā)光層；在所述量子點發(fā)光層之上制備電子傳輸層；所述電子傳輸層之上制備電子緩沖層；在所述電子緩沖層之上制備第二電極層；

或者，制備第一電極層；在所述第一電極層之上制備電子緩沖層；在所述電子緩沖層之上制備電子傳輸層；在所述電子傳輸層之上制備量子點發(fā)光層；在所述量子點發(fā)光層之上制備空穴傳輸層；在所述空穴傳輸層之上制備第二電極層。

較佳地，所述制備第一電極層，包括：