[發明專利]一種量子點電致發光二極管及其制備方法、顯示器

有效

• 申請號: 201610009415.4
• 申請日: 2016-01-06
• 公開（公告）號: CN105576139B
• 公開（公告）日: 2017-11-07
• 發明（設計）人: 徐威;何曉龍;舒適
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司11291
• 代理人: 任嘉文

1.一種量子點電致發光二極管QLED，其特征在于，包括：

第一電極層和第二電極層、設置在所述第一電極層和所述第二電極層之間的空穴傳輸層、設置在所述空穴傳輸層和所述第二電極層之間的量子點發光層、設置在所述量子點發光層和所述第二電極層之間的電子傳輸層、設置在所述電子傳輸層和所述第二電極層之間的電子緩沖層；

所述電子緩沖層是采用真空蒸鍍或電子束熱蒸鍍的方法制備得到的；

所述電子緩沖層的材料包括下列材料的一種或多種：MgF₂、AlF₃、SiO₂。

2.根據權利要求1所述的QLED，其特征在于，所述電子緩沖層采用的材料的折射率小于所述電子傳輸層采用的材料的折射率。

3.根據權利要求1所述的QLED，其特征在于，所述第一電極層為透明第一電極層。

4.根據權利要求1所述的QLED，其特征在于，所述第二電極層為金屬第二電極層。

5.根據權利要求1所述的QLED，其特征在于，所述電子緩沖層的厚度為：0.5nm～50nm。

6.根據權利要求1所述的QLED，其特征在于，所述電子緩沖層的厚度是所述電子傳輸層的厚度的1％～20％。

7.一種顯示器，其特征在于，包括權利要求1～6任一權項所述的QLED。

8.一種量子點電致發光二極管QLED的制備方法，其特征在于，包括：

制備第一電極層；在所述第一電極層之上制備空穴傳輸層；在所述空穴傳輸層之上制備量子點發光層；在所述量子點發光層之上制備電子傳輸層；所述電子傳輸層之上制備電子緩沖層；在所述電子緩沖層之上制備第二電極層；

或者，制備第一電極層；在所述第一電極層之上制備電子緩沖層；在所述電子緩沖層之上制備電子傳輸層；在所述電子傳輸層之上制備量子點發光層；在所述量子點發光層之上制備空穴傳輸層；在所述空穴傳輸層之上制備第二電極層；

所述電子緩沖層是采用真空蒸鍍或電子束熱蒸鍍的方法制備得到的；

所述電子緩沖層的材料包括下列材料的一種或多種：MgF₂、AlF₃、SiO₂。

9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述制備第一電極層，包括：

利用丙酮、乙醇、去離子水、異丙醇對已經圖案化的透明導電膜基板清洗，并采用等離子體或紫外光線UV照射處理，得到透明第一電極層。

10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，在所述第一電極層之上制備空穴傳輸層，包括：利用旋涂工藝在所述透明第一電極層上制備第一空穴傳輸層；利用旋涂工藝在所述第一空穴傳輸層上制備第二空穴傳輸層；

或者，在所述量子點發光層之上制備空穴傳輸層，包括：利用旋涂工藝在所述量子點發光層上制備第一空穴傳輸層；利用旋涂工藝在所述第一空穴傳輸層上制備第二空穴傳輸層。

11.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，在所述空穴傳輸層之上制備量子點發光層，包括：利用旋涂工藝在所述第二空穴傳輸層上制備一層量子點薄膜，該量子點薄膜為量子點發光層；

或者，在所述電子傳輸層之上制備量子點發光層，包括：利用旋涂工藝在所述電子傳輸層上制備一層量子點薄膜，該量子點薄膜為量子點發光層。

12.根據權利要求11所述的方法，其特征在于，在所述量子點發光層之上制備電子傳輸層，包括：利用旋涂工藝在所述量子點發光層上制備一層無機納米粒子薄膜，該無機納米粒子薄膜為電子傳輸層；

或者，在所述電子緩沖層之上制備電子傳輸層，包括：利用旋涂工藝在所述電子緩沖層上制備一層無機納米粒子薄膜，該無機納米粒子薄膜為電子傳輸層。