[發明專利]一種陣列基板、其制作方法及顯示裝置

有效

• 申請號: 201610008966.9
• 申請日: 2016-01-06
• 公開（公告）號: CN105607357B
• 公開（公告）日: 2018-12-18
• 發明（設計）人: 張斌;劉震;曹占鋒;周婷婷;何曉龍;李正亮;張偉
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1343
• 分類號: G02F1/1343;G02F1/1333;H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

本發明涉及一種陣列基板、其制作方法及顯示裝置，以解決現有技術中陣列基板的制造方法中，采用ITO作電極層時，電極層和平坦層的圖形需要兩次構圖工藝才能完成的問題。本發明的陣列基板包括：襯底基板，第一電極層，平坦層；其中第一電極層為由多條導電納米線搭接成的薄膜；第一電極層和平坦層的圖案相同。由于第一電極層是導電納米線搭接成的薄膜，且平坦層和第一電極層有相同圖案，因而可以采用曝光顯影的方式對平坦層進行刻蝕，顯影液可以通過導電納米線間的縫隙滲透到平坦層，在清洗平坦層的同時，一起洗掉位于已經刻蝕掉的平坦層上方的導電納米線，進而通過一次構圖工藝同時形成平坦層和電極層的圖形，減少了一次構圖工藝。

技術領域

本發明涉及顯示面板領域，尤其涉及一種陣列基板、其制作方法及顯示裝置。

背景技術

陣列基板是組成液晶顯示裝置的重要組件，現有的用于ADS(Advanced SuperDimension Switch，高級超維場開關)顯示面板的陣列基板，在制作過程中需要依次經過最少6次構圖工藝才能完成陣列基板的制作。而采用ITO(Indium-Tin Oxide，氧化銦錫)作為電極層時，電極層和平坦層的圖形需要兩次構圖工藝才能完成。

綜上所述，目前現有的陣列基板的制造方法中，采用ITO作為電極層時，電極層和平坦層的圖形需要兩次構圖工藝才能完成。

發明內容

本發明實施例提供的一種陣列基板、其制作方法及顯示裝置，用以解決現有技術中存在的陣列基板的制造方法中，采用ITO作為電極層時，電極層和平坦層的圖形需要兩次構圖工藝才能完成的問題。

本發明實施例提供的一種陣列基板，包括：襯底基板，設置在襯底基板上的各像素單元所在區域內的第一電極層，設置在所述第一電極層下方且與所述第一電極層直接接觸的平坦層；

其中，所述第一電極層為由多條導電納米線搭接成的薄膜；所述第一電極層和所述平坦層的圖案相同。

由于本發明中第一電極層是由多條導電納米線搭接而成的薄膜，且平坦層和第一電極層有相同的圖案，因而可以采用曝光顯影的方式對平坦層進行刻蝕，在曝光刻蝕之后進行顯影時，顯影液可以通過導電納米線之間的縫隙滲透到平坦層，在清洗平坦層的同時，可以一起沖洗掉位于已經刻蝕掉的平坦層上方的導電納米線；進而通過一次構圖工藝同時形成平坦層和電極層的圖形，這樣不僅可以減少一次構圖工藝，還可以節約成本，提高產能。

可選的，所述納米線的材料為納米金屬。

可選的，所述納米金屬為納米銀。

可選的，所述納米線的粗度不大于1μm。

可選的，所述納米線的長度為根據所述第一電極層和所述平坦層的圖案選取的數值。

可選的，所述納米線的長度為3μm-20μm。

可選的，所述第一電極層的透過率大于80％。

可選的，所述第一電極層的電阻值不大于200歐姆/方塊。

可選的，還包括：設置在所述第一電極層上方且具有狹縫形狀的第二電極層。

可選的，所述第一電極層為公共電極層，所述第二電極層為像素電極層；或，

所述第一電極層為像素電極層，所述第二電極層為公共電極層。

本發明實施例提供的一種顯示裝置，包括本發明實施例提供的上述所述的陣列基板。

本發明實施例提供的一種如本發明實施例提供的上述陣列基板的制作方法，包括：

在襯底基板上形成一整層的平坦層和一整層的第一電極層；

使用掩膜版通過一次構圖工藝形成所述平坦層和所述第一電極層的圖案；