[發(fā)明專(zhuān)利]一種陣列基板、其制作方法及顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610008966.9
• 申請(qǐng)日: 2016-01-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105607357B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-12-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張斌;劉震;曹占鋒;周婷婷;何曉龍;李正亮;張偉
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G02F1/1343
• 分類(lèi)號(hào): G02F1/1343;G02F1/1333;H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：襯底基板，設(shè)置在襯底基板上的各像素單元所在區(qū)域內(nèi)的第一電極層，設(shè)置在所述第一電極層下方且與所述第一電極層直接接觸的平坦層；

其中，所述第一電極層為由多條導(dǎo)電納米線搭接成的薄膜；所述第一電極層和所述平坦層的圖案相同。

2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述納米線的材料為納米金屬。

3.如權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述納米金屬為納米銀。

4.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述納米線的粗度不大于1μm。

5.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述納米線的長(zhǎng)度為根據(jù)所述第一電極層和所述平坦層的圖案選取的數(shù)值。

6.如權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述納米線的長(zhǎng)度為3μm-20μm。

7.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一電極層的透過(guò)率大于80％。

8.如權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述第一電極層的電阻值不大于200歐姆/方塊。

9.如權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，還包括：設(shè)置在所述第一電極層上方且具有狹縫形狀的第二電極層。

10.如權(quán)利要求9所述的陣列基板，其特征在于，所述第一電極層為公共電極層，所述第二電極層為像素電極層；或，

所述第一電極層為像素電極層，所述第二電極層為公共電極層。

11.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-10任一項(xiàng)所述的陣列基板。

12.一種如權(quán)利要求1-10任一項(xiàng)所述陣列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在襯底基板上形成一整層的平坦層和一整層的第一電極層；

使用掩膜版通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成所述平坦層和所述第一電極層的圖案；

其中，所述第一電極層為由多條導(dǎo)電納米線搭接成的薄膜；所述第一電極層和所述平坦層的圖案相同。

13.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，在襯底基板上形成一整層的平坦層和一整層的第一電極層，包括：

在襯底基板上沉積一整層的平坦層；

在所述平坦層上涂覆一整層包含導(dǎo)電納米線的可揮發(fā)溶液，以使所述可揮發(fā)溶液在揮發(fā)之后，能夠形成一整層的第一電極層；

其中，所述可揮發(fā)溶液發(fā)生揮發(fā)的溫度小于使所述陣列基板發(fā)生熔化的最低溫度值。

14.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，在襯底基板上形成一整層的平坦層和一整層的第一電極層，包括：

在襯底基板上轉(zhuǎn)印一整層的包含平坦層和由導(dǎo)電納米線搭接成的第一電極層的復(fù)合薄膜，形成位于襯底基板上的一整層的平坦層和一整層的第一電極層。

15.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，使用掩膜版通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成所述平坦層和所述第一電極層的圖案，包括：

使用掩膜版對(duì)所述平坦層進(jìn)行曝光刻蝕；

在曝光完成后，使用顯影液對(duì)所述平坦層上刻蝕掉的部分進(jìn)行清洗，并清洗掉位于所述平坦層上刻蝕掉的部分上方的導(dǎo)電納米線，形成所述平坦層和所述第一電極層的圖案。

16.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，所述顯影液為弱堿性溶液。

17.如權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于，所述弱堿性溶液為Na₂CO₃溶液。

18.如權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，所述Na₂CO₃溶液的濃度為0.1％-1％。