[發明專利]短路緩解設備有效
| 申請號: | 201610008673.0 | 申請日: | 2016-01-07 |
| 公開(公告)號: | CN105761730B | 公開(公告)日: | 2018-11-20 |
| 發明(設計)人: | R.G.比斯克博恩;小羅伯特.E.方塔納;J.梁;C.S.洛 | 申請(專利權)人: | 國際商業機器公司 |
| 主分類號: | G11B5/11 | 分類號: | G11B5/11;G11B5/187;G11B5/39 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 侯宇 |
| 地址: | 美國紐*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 短路 緩解 設備 | ||
根據一實施例的設備包括換能器結構,具有:下部屏蔽體,在其上表面中具有凹槽;形成于該下部屏蔽體上方的上部屏蔽體;在該上部屏蔽體和該下部屏蔽體之間的電流垂直于平面傳感器,該凹槽位于該傳感器的兩側;以及在該下部屏蔽體的該上表面中的該凹槽中的第一絕緣層。根據另一實施例的設備包括換能器結構,具有:下部屏蔽體;形成于該下部屏蔽體上方的上部屏蔽體,該上部屏蔽體在其下表面中具有凹槽;在該上部屏蔽體和該下部屏蔽體之間的電流垂直于平面傳感器,該凹槽位于該傳感器的兩側;以及在該上部屏蔽體的該下表面中的該凹槽中的第一絕緣層。
技術領域
本發明涉及數據存儲系統,并且更具體地,本發明涉及隧穿磁阻(TMR)頭中緩解短路的絕緣層。
背景技術
在磁存儲系統中,磁換能器(magnetic transducer)從磁記錄介質讀取數據以及對其寫入數據。通過使磁記錄換能器移動至介質上要存儲數據的位置處,將該數據寫在該磁記錄介質上。然后,該磁記錄換能器產生磁場,該磁場將該數據編碼至該磁性介質中。類似地,通過定位磁讀取換能器然后感測磁性介質的磁場而從該介質讀取數據。讀取和寫入操作可獨立地與該介質的運動同步,從而確保可從該介質上期望的位置處讀取和寫入該數據。
數據存儲領域中重要并且持續的目標在于增加介質上存儲的數據的密度。對于磁帶存儲系統,該目標已使得存儲磁帶上的磁道和線位密度提高以及磁帶介質的厚度減小。然而,具有小覆蓋面積(footprint)以及更高性能的磁帶驅動系統的發展在用于此類系統的磁帶頭組件的設計方面產生了各種各樣的問題。
在磁帶驅動系統中,該驅動使磁帶在磁帶頭表面上方高速移動。通常,磁帶頭被設計以最小化磁帶頭和磁帶之間的間隔。磁帶頭和磁帶之間的該間隔是關鍵性的,并且因此這些系統的目標在于使換能器的記錄間隙(其是磁記錄磁通源)與磁帶近距離接觸從而產生寫銳轉變(writing sharp transition),以及使讀取元件與磁帶近距離接觸從而提供從該磁帶的磁場到該讀取元件的有效耦合。
發明內容
根據一實施例的設備包括換能器結構,該換能器結構具有:下部屏蔽體,其上表面中具有凹槽;上部屏蔽體,其形成于該下部屏蔽體上方;電流垂直于平面(CPP)傳感器,其在該上部屏蔽體和下部屏蔽體之間,該凹槽位于該傳感器的兩側;以及第一絕緣層,其在該下部屏蔽體的該上表面中的該凹槽中。
根據另一實施例的設備包括換能器結構,該換能器結構具有:下部屏蔽體;上部屏蔽體,其形成于該下部屏蔽體上方,該上部屏蔽體在其下表面中具有凹槽;電流垂直于平面(CPP)傳感器,其在該上部屏蔽體和下部屏蔽體之間,該凹槽位于該傳感器的兩側;以及第一絕緣層,其在該上部屏蔽體的該下表面中的該凹槽中。
根據再一實施例的設備包括換能器結構,該換能器結構具有:下部屏蔽體;上部屏蔽體,其形成于該下部屏蔽體上方;以及電流垂直于平面(CPP)傳感器,其在該上部屏蔽體和下部屏蔽體之間。在磁道方向上在該上部屏蔽體和該下部屏蔽體之間該傳感器的側面位置處的間隔大于在磁道方向上在該上部屏蔽體和該下部屏蔽體之間跨越該傳感器的間隔。
這些實施例中的任一實施例可在諸如磁帶驅動系統的磁數據存儲系統中實施,該磁帶驅動系統可包括磁頭、用于使磁性介質(例如,記錄磁帶)在該磁頭之上通過的驅動機構以及電耦合至該磁頭的控制器。
本發明的其他方面和實施例將通過以下詳細說明而變得明顯易懂,該詳細說明與附圖相結合時、以舉例方式例示出了本發明的原理。
附圖說明
圖1A是根據一實施例的簡化的磁帶驅動系統的示意圖;
圖1B是根據一實施例的磁帶盒的示意圖;
圖2示出了根據一實施例的平面研磨(flat-lapped)的雙向雙模塊磁帶頭的側視圖;
圖2A是從圖2的線2A取的磁帶支承面的視圖;
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