[發明專利]短路緩解設備有效
| 申請號： | 201610008673.0 | 申請日： | 2016-01-07 |
| 公開（公告）號： | CN105761730B | 公開（公告）日： | 2018-11-20 |
| 發明（設計）人： | R.G.比斯克博恩;小羅伯特.E.方塔納;J.梁;C.S.洛 | 申請（專利權）人： | 國際商業機器公司 |
| 主分類號： | G11B5/11 | 分類號： | G11B5/11;G11B5/187;G11B5/39 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人： | 侯宇 |
| 地址： | 美國紐*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 短路 緩解 設備 | ||
1.一種用于緩解短路的設備，包括：
換能器結構，具有：
下部屏蔽體，在其上表面中具有凹槽；
上部屏蔽體，形成于該下部屏蔽體的上方；
電流垂直于平面傳感器，在該上部屏蔽體和該下部屏蔽體之間，該凹槽位于該傳感器的兩側；以及
第一絕緣層，在該下部屏蔽體的該上表面中的該凹槽中；
其中，在磁道方向上，該第一絕緣層的厚度大于該上部屏蔽體和該下部屏蔽體之間在該傳感器處的間隔。
2.如權利要求1所述的設備，還包括在該上部屏蔽體的下表面中的凹槽中的第二絕緣層。
3.如權利要求2所述的設備，還包括在該第一絕緣層和該第二絕緣層之間的偏置層，該偏置層在磁道寬度方向上設置于該傳感器的兩側。
4.如權利要求1所述的設備，其中，該第一絕緣層的厚度大于100納米。
5.如權利要求1所述的設備，還包括在該第一絕緣層和該上部屏蔽體之間的偏置層，該偏置層在磁道寬度方向上設置于該傳感器的兩側，其中，該偏置層通過絕緣材料與該設備的所有其他部分電隔離。
6.如權利要求1所述的設備，其中，該傳感器是隧穿磁阻傳感器。
7.如權利要求1所述的設備，其中，至少八個該換能器結構設置于公共基板上方。
8.如權利要求1所述的設備，還包括：
驅動機構，用于使磁性介質在該傳感器上方通過；以及
控制器，電耦合至該傳感器。
9.如權利要求8所述的設備，其中，該磁性介質是磁性記錄帶。
10.一種用于緩解短路的設備，包括：
換能器結構，具有：
下部屏蔽體；
上部屏蔽體，形成于該下部屏蔽體的上方，該上部屏蔽體在其下表面中具有凹槽；
電流垂直于平面傳感器，在該上部屏蔽體和該下部屏蔽體之間，該凹槽位于該傳感器的兩側；以及
第一絕緣層，在該上部屏蔽體的該下表面中的該凹槽中；
其中，在磁道方向上，該第一絕緣層的厚度大于該上部屏蔽體和該下部屏蔽體之間在該傳感器處的間隔。
11.如權利要求10所述的設備，還包括：在該下部屏蔽體的上表面中的凹槽中的第二絕緣層；以及在該第一絕緣層和該第二絕緣層之間的偏置層，該偏置層在磁道寬度方向上設置于該傳感器的兩側。
12.如權利要求11所述的設備，其中，該偏置層通過絕緣材料與該設備的所有其他部分電隔離。
13.如權利要求10所述的設備，其中，該第一絕緣層的厚度大于100納米。
14.如權利要求10所述的設備，其中，該傳感器是隧穿磁阻傳感器。
15.如權利要求10所述的設備，其中，至少八個該換能器結構設置于公共基板上方。
16.如權利要求10所述的設備，還包括：
驅動機構，用于使磁性介質在該傳感器上方通過；以及
控制器，電耦合至該傳感器。
17.如權利要求16所述的設備，其中，該磁性介質是磁性記錄帶。
18.一種用于緩解短路的設備，包括：
換能器結構，具有：
下部屏蔽體；
上部屏蔽體，形成于該下部屏蔽體的上方；
在該上部屏蔽體和該下部屏蔽體之間的傳感器；
其中該下部屏蔽體在其上表面中具有凹槽，該凹槽在該傳感器的兩側，和/或該上部屏蔽體在其下表面中具有凹槽，該凹槽在該傳感器的兩側；以及
第一絕緣層，在該下部屏蔽體的凹槽中或在該上部屏蔽體的凹槽中；
其中，在磁道方向上，該第一絕緣層的厚度大于該上部屏蔽體和該下部屏蔽體之間在該傳感器處的間隔。
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