[發明專利]屏蔽環和基板載置臺

有效

• 申請號: 201610007290.1
• 申請日: 2016-01-06
• 公開（公告）號: CN105762052B
• 公開（公告）日: 2017-11-24
• 發明（設計）人: 田中誠治;并木未央
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01J37/20
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司11322
• 代理人: 龍淳,邸萬杰

技術領域

本發明涉及進行等離子體蝕刻等的等離子體處理的等離子體處理裝置的基板載置臺所使用的屏蔽環、使用這樣的屏蔽環的基板載置臺。

背景技術

在平板顯示器(FPD)的制造過程中，對于被處理基板，多使用蝕刻、濺射、CVD(化學氣相沉積)等等離子體處理。在進行等離子體處理的等離子體處理裝置中，在將基板載置于設置在處理腔室內的基板載置臺上的狀態下生成等離子體，通過該等離子體對基板實施規定的等離子體處理。

在這種等離子體處理裝置中，用于載置被處理基板的基板載置臺具備作為用于施加用于生成等離子體的高頻電力的下部電極發揮作用的基材和設置于基材的周圍的屏蔽環。該屏蔽環是為了等離子體的聚焦性提高和高頻電力的絕緣而設置的，由氧化鋁等絕緣性陶瓷形成，設置成與基材相接。

FPD基板為矩形形狀且大型，所以作為屏蔽環，提出了一種在與基板對應的矩形形狀的基板載置臺的周圍設置成框狀，并且被分割成多個構成零件的分割式的屏蔽環(例如，專利文獻1)。另外，專利文獻2中公開了一種用于防止因構成基板屏蔽環的陶瓷和構成基板載置臺的基材的金屬的熱膨脹差而形成間隙等的技術。

在上述專利文獻1和2的技術中，通過在基板載置臺施加高頻電力，屏蔽環被等離子體侵蝕，所以需要在屏蔽環被侵蝕規定量以上的時刻更換屏蔽環。

另外，將屏蔽環采用上下兩層構造，且能夠分離的技術也是公知的(專利文獻3)。

專利文獻1：日本特開2003－243364號公報

專利文獻2：日本特開2013－46002號公報

專利文獻3：日本特開平10－64989號公報

發明內容

發明想要解決的技術問題

然而，屏蔽環被等離子體侵蝕的部位集中在基板附近部分，在只有基板附近部分局部地侵蝕規定量以上的時刻，在上述專利文獻1和2的技術中，需要更換屏蔽環整體，在上述專利文獻3的技術中，需要更換屏蔽環的上部。

但是，屏蔽環價格較高，即使如引用文獻3那樣只是更換上部，成本也高，希望盡力延長屏蔽環的壽命并低成本化。

因此，本發明的課題在于，提供一種比目前高壽命的屏蔽環和使用其的基板載置臺。

用于解決技術問題的技術方案

為了解決上述技術問題，本發明的第一方面提供一種屏蔽環，其具有絕緣性，在用于對基板實施等離子體處理的腔室內載置基板、具有金屬制的基材和基板載置部的基板載置臺上，配置于上述基材和上述基板載置部的周圍，其中，對上述基材施加施加高頻電力，上述基板載置部設置于上述基材之上，上述屏蔽環的特征在于：將多個構成部件組合而成，各構成部件包括安裝于上述基材的下層部和以覆蓋上述下層部之上的方式設置的上層部，上述上層部被設置成能夠反轉。

本發明的第二方面提供一種基板載置臺，其用于在對基板實施等離子體處理的腔室內載置基板，上述基板載置臺的特征在于，包括：被施加高頻電力的金屬制的基材；設置于上述基材之上的基板載置部；和配置于上述基材和上述基板載置部的周圍的絕緣性的屏蔽環，上述屏蔽環具有上述第一方面的構成。

優選上述屏蔽環由絕緣性陶瓷構成。在該情況下，上述上層部和上述下層部可以由相同的材料構成，也可以由不同的材料構成。

上述上層部能夠正反面反轉、或面內反轉、或正反面反轉和面內反轉。

上述構成部件的上述下層部能夠被螺釘緊固于上述基材，上述上層部能夠被設置成覆蓋上述被螺釘緊固的部分。另外，優選：上述構成部件的上述下層部具有對上述上層部進行定位的定位銷，上述上層部具有用于插入上述定位銷的定位用孔，且上述上層部在進行了規定的反轉時，在用于插入上述定位銷的位置形成有另外的定位用孔。

能夠采用如下結構：上述基板形成矩形形狀，上述屏蔽環形成框狀。在該情況下，上述構成部件能夠采用構成框狀的長邊的長邊部件和構成短邊的短邊部件，另外，上述構成部件能夠采用將構成框狀的長邊的長邊部件和構成短邊的短邊部件進一步分割成多個而成的部件。在這些情況下，上述長邊部件和上述短邊部件的下層部件，采用如下結構：具有被約束的一端和作為自由端的另一端，容許另一端側因熱而以上述一端為基準進行熱膨脹。