[發(fā)明專利]陣列基板及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610007189.6
• 申請日: 2016-01-06
• 公開（公告）號: CN105425492B
• 公開（公告）日: 2018-12-11
• 發(fā)明（設計）人: 李彥辰;王攀華;李婧;劉漢青;趙偉
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;H01L27/32
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 柴亮;張?zhí)焓?/td>

本發(fā)明提供一種陣列基板及其制備方法，屬于陣列基板技術領域，其可解決現(xiàn)有陣列基板中引入區(qū)的數(shù)據線易引起暗線不良的問題。本發(fā)明的陣列基板分為顯示區(qū)和引入區(qū)，并包括基底，基底上依次設有第一引線、第一絕緣層、第二引線、第二絕緣層，所述引入區(qū)中設有位于第一引線上方并貫穿第二絕緣層和第一絕緣層的第一過孔，以及位于第二引線上方并貫穿第二絕緣層的第二過孔；且所述陣列基板還包括：設于第二引線和第二絕緣層間、位于第二過孔處第二引線上的保護層，所述保護層由導電金屬氧化物構成。

技術領域

本發(fā)明屬于陣列基板技術領域，具體涉及一種陣列基板及其制備方法。

背景技術

液晶顯示裝置等的陣列基板包括用于進行顯示的顯示區(qū)(AA區(qū))和位于顯示區(qū)外的引入區(qū)。顯示區(qū)中的柵極線、數(shù)據線等引線的驅動信號均通過引入區(qū)引入。但在引入區(qū)中，數(shù)據線經常因為電化學腐蝕而發(fā)生斷線，從而導致暗線不良等問題。

發(fā)明內容

本發(fā)明針對現(xiàn)有陣列基板中引入區(qū)的數(shù)據線易引起暗線不良的問題，提供一種可避免暗線不良的陣列基板及其制備方法。

解決本發(fā)明技術問題所采用的技術方案是一種陣列基板，分為顯示區(qū)和引入區(qū)，并包括基底，基底上依次設有第一引線、第一絕緣層、第二引線、第二絕緣層，所述引入區(qū)中設有位于第一引線上方并貫穿第二絕緣層和第一絕緣層的第一過孔，以及位于第二引線上方并貫穿第二絕緣層的第二過孔；且所述陣列基板還包括：

設于第二引線和第二絕緣層間、位于第二過孔處第二引線上的保護層，所述保護層由導電金屬氧化物構成。

本發(fā)明的陣列基板中，在第二過孔處設有位于第二引線和第二絕緣層間的導電金屬氧化物保護層，在形成過孔的過程中，保護層可保護第二引線不受刻蝕，且保護層本身具有較強的抗腐蝕能力，故不會產生針孔(Pinhole)，可消除暗線不良。

優(yōu)選的是，所述導電金屬氧化物為氧化銦錫。

進一步優(yōu)選的是，所述陣列基板為液晶顯示裝置的陣列基板；所述顯示區(qū)中還包括與所述保護層同步形成的像素電極或公共電極。

優(yōu)選的是，所述陣列基板還包括設于所述第二絕緣層上方的引入線，其中，所述引入線一端用于連接驅動芯片，另一端通過第一過孔連接第一引線，或通過第二過孔連接第二引線上的保護層；所述引入線由與保護層相同的材料構成。

優(yōu)選的是，所述第一引線為柵極線；所述第一絕緣層為柵絕緣層；所述第二引線為數(shù)據線；所述第二絕緣層為鈍化層。

解決本發(fā)明技術問題所采用的技術方案是一種陣列基板，分為顯示區(qū)和引入區(qū)，并包括基底，基底上依次設有第一引線、第一絕緣層、第二引線、第二絕緣層，所述陣列基板還包括與所述第一引線同層設置的第一輔助引線；且

所述引入區(qū)中設有分別位于第一引線和第一輔助引線上方并貫穿第二絕緣層和第一絕緣層的第一過孔；

在顯示區(qū)中，所述第一輔助引線通過第一絕緣層中的連通過孔與第二引線相連。

本發(fā)明的陣列基板中，引入區(qū)的過孔均貫穿至同一層，由此其不存在引線被過度刻蝕的問題，可消除暗線不良。

優(yōu)選的是，所述第一引線為柵極線；所述第一絕緣層為柵絕緣層；所述第二引線為數(shù)據線；所述第二絕緣層為鈍化層。

解決本發(fā)明技術問題所采用的技術方案是一種陣列基板，分為顯示區(qū)和引入區(qū)，并包括基底，基底上依次設有第一引線、第一絕緣層、第二引線、第二絕緣層，所述陣列基板還包括與所述第二引線同層設置的第二輔助引線；且

所述引入區(qū)中設有分別位于第二引線和第二輔助引線上方并貫穿第二絕緣層的第二過孔；

在顯示區(qū)中，所述第二輔助引線通過第一絕緣層中的連通過孔與第一引線相連。