[發明專利]搬送裝置、搬送方法及蒸鍍設備在審
| 申請號: | 201610007169.9 | 申請日: | 2016-01-06 |
| 公開(公告)號: | CN105575866A | 公開(公告)日: | 2016-05-11 |
| 發明(設計)人: | 鄒清華;郭書鵬;胡長奇 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/677 | 分類號: | H01L21/677 |
| 代理公司: | 北京路浩知識產權代理有限公司 11002 | 代理人: | 李相雨 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 裝置 方法 設備 | ||
技術領域
本發明涉及顯示領域,尤其涉及一種搬送裝置、搬送方法及蒸鍍 設備。
背景技術
目前,有機發光二極管(OLED)的主流制備工藝是蒸鍍技術,蒸 鍍設備一般使用inline式(連續搬送式)和cluster式(八爪式)的構造, 其中,cluster式的蒸鍍設備一般使用機械手臂搬送玻璃基板進入各個腔 體,待與mask(掩膜板)進行對位后,再進行蒸鍍;inline式則是利用 搬送裝置固定基板,待與mask對位后,勻速經過各個填裝有不同材料 的加熱源的上方,從而在基板上形成OLED器件。
相比cluster式的構造,使用inline式的蒸鍍設備具有節省設備空間 和減少tacttime(生產時間)的優勢,但是在inline式設計中,如何承載 和搬送基板,使其與mask對位,再進入蒸鍍腔體,是一個難度較大的 問題,由于大尺寸基板的重量和自身的bending量(形變量)等因素, 一般采用直立式方式搬送,這勢必需要線性加熱源也是直立式,這增 加了控制線性加熱源保持蒸鍍過程中有機材料膜厚均一性的難度,而 且在采用直立式的搬送過程中,由于基板的鍍膜面呈斜向上設置,使 基板的鍍膜面更容易沉積particle(微粒),從而增加了particle導致的不 良幾率,降低了產品的良率。
為了避免上述問題,在inline式的設計中,大尺寸蒸鍍設備也采用 使基板的TFT面(即鍍膜面)向下的傳送方式,為了克服大尺寸基板的 重量和自身的bending量等因素,一般采用靜電式或者粘附式等方式將 基板固定在搬送裝置上,但是,靜電式的固定方式容易對基板的TFT (薄膜晶體管)造成損傷,而對于粘附式,粘性物的粘性大小不易被 控制,粘性過小容易導致基板掉落,粘性過大則導致后續的分離困難, 并且粘性物在蒸鍍受熱時會發生粘性變化、粘性物老化等問題。
發明內容
(一)要解決的技術問題
本發明要解決的技術問題是:提供一種搬送裝置、搬送方法及蒸 鍍設備,能夠減小對所搬送基板造成的損傷,且便于基板的接取和分 離。
(二)技術方案
為解決上述技術問題,本發明的技術方案提供了一種搬送裝置, 包括:
承載機構,用于承載基板;
固定機構,用于以機械方式將所述基板固定在所述承載機構上。
優選地,還包括升降機構,所述承載機構上設置有穿孔,所述升 降機構通過穿過所述穿孔控制所述基板升降。
優選地,所述承載機構上均勻設置有多個所述穿孔。
優選地,所述升降機構包括與每一個所述穿孔一一對應的升降針。
優選地,還包括驅動所述升降機構升降的驅動器。
優選地,所述固定機構包括設置在所述承載機構邊緣位置上的可 滑動件,所述可滑動件上設置有槽結構,所述基板的邊緣部分通過嵌 入所述槽結構被固定。
優選地,所述固定機構包括兩組可滑動件,每一組可滑動件包括 兩個相對設置的兩個可滑動件。
優選地,所述可滑動件采用金屬材料制成。
優選地,所述槽結構內設置有彈性潤滑層。
優選地,所述可滑動件可拆卸的安裝在所述承載機構上。
優選地,所述可滑動件的與其延伸方向垂直的橫截面形狀為凹字 形或L字形。
優選地,所述可滑動件的與其延伸方向垂直的橫截面形狀為凹字 形,所述承載機構用于承載所述基板的位置上設置有凸起,所述凸起 位于所述穿孔之外的區域,所述凸起用于當所述基板放置在所述承載 機構上時使所述基板的邊緣部分懸空。
為解決上述技術問題,本發明還提供了一種蒸鍍設備,包括上述 的搬送裝置。
為解決上述技術問題,本發明還提供了一種搬送方法,包括:
將基板放置在承載機構上;
通過固定機構將所述基板以機械方式固定在所述承載機構上。
優選地,將基板放置在承載機構上包括:
控制升降機構穿過所述承載機構的穿孔,并升至預設位置;
將所述基板放置在所述升降機構上;
控制所述升降機構下降,使所述基板下降從而使所述基板放置在 所述承載機構上。
優選地,通過固定機構將所述基板以機械方式固定在所述承載機 構上之后還包括:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





