[發明專利]顯示基板及其制作方法和顯示裝置在審
| 申請號: | 201610006929.4 | 申請日: | 2016-01-05 |
| 公開(公告)號: | CN105575893A | 公開(公告)日: | 2016-05-11 |
| 發明(設計)人: | 朱夏明 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/77 | 分類號: | H01L21/77;H01L27/12;H01L29/43 |
| 代理公司: | 北京路浩知識產權代理有限公司 11002 | 代理人: | 李相雨 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 及其 制作方法 顯示裝置 | ||
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,具體而言,涉及一種顯示基板制作方 法、一種顯示基板和一種顯示裝置。
背景技術
現有技術中,為了提高顯示基板上薄膜晶體管器件的電學性能, 會制作雙柵結構薄膜晶體管,也即形成上下兩個柵極結構。但是雙 柵結構薄膜晶體管的兩個柵極及源極和漏極通常需要用不同的掩膜 來形成,以這種方法制作的雙柵結構薄膜晶體管具有較大的寄生電 容,隨著顯示尺寸和分辨率的不斷提升,陣列基板上所有薄膜晶體 管寄生電容之和將變得非常大,這會直接降低顯示裝置的性能。
發明內容
本發明所要解決的技術問題是,如何減小雙柵結構薄膜晶體管器 件的寄生電容。
為此目的,本發明提出了一種顯示基板制作方法,包括:
在透明基底之上的第一區域形成第一柵極;
在所述第一柵極之上形成透明柵絕緣層;
在所述柵絕緣層之上形成透明有源層;
在所述有源層之上的第二區域形成透明源極和漏極,所述第一區 域和第二區域不重疊;
在所述源極和漏極之上形成鈍化層;
在所述鈍化層之上的第一區域形成第二柵極。
優選地,形成第一柵極包括:
在透明基底之上形成第一柵極金屬層;
在所述第一柵極金屬層之上形成正性光刻膠;
對第一區域以外的正性光刻膠進行曝光和顯影;
蝕刻掉第一區域以外的第一柵極金屬層;
剝離第一區域的正性光刻膠。
優選地,形成源極和漏極包括:
在所述有源層之上形成正性光刻膠;
以所述第一柵極為掩膜,從所述透明基底之下對第二區域的正性 光刻膠進行曝光和顯影;
在所述顯影后的光刻膠圖形層之上形成透明導體層;
剝離第一區域的正性光刻膠和透明導體層,第二區域剩余的透明 導體層作為所述透明源極和漏極。
優選地,形成第二柵極包括:
在所述鈍化層之上形成負性光刻膠;
以所述第一柵極為掩膜,從所述透明基底之下對第一區域以外的 負性光刻膠進行曝光,顯影去除第一區域的負性光刻膠;
在所述顯影后的負性光刻膠圖形層之上形成第二柵極金屬層;
剝離第一區域以外的負性光刻膠和第二柵極金屬層,第一區域剩 余的第二柵極金屬層作為所述第二柵極。
優選地,形成有源層包括:
在透明柵絕緣層之上形成第一透明絕緣層;
在第一透明絕緣層之上形成多個透明子有源層;
在相鄰透明子有源層之間形成透明層間絕緣層;
在最上方的透明子有源層之上形成第二透明絕緣層。
優選地,形成每個子有源層包括:
形成透明半導體層。
優選地,形成每個子有源層包括:
形成第一透明半導體層;
在第一透明半導體層之上形成第二透明半導體層。
優選地,形成每個子有源層包括:
形成第一透明半導體層;
在第一透明半導體層之上形成第三透明絕緣層;
在第三透明絕緣層之上形成第二透明半導體層。
優選地,形成有源層包括:
在相同的真空環境下形成第一透明絕緣層、第二透明絕緣層、所 有透明子有源層和透明層間絕緣層。
本發明還提出了一種顯示基板,包括:
透明基底;
第一柵極,設置在所述透明基底之上的第一區域;
柵絕緣層,設置在所述第一柵極之上;
透明有源層,設置在所述柵絕緣層之上;
透明源極和漏極,設置在所述有源層之上的第二區域,所述第一 區域和第二區域不重疊;
鈍化層,設置在所述源極和漏極之上;
第二柵極,設置在所述鈍化層之上的第一區域。
優選地,所述有源層包括:多個子有源層以及設置在相鄰子有源 層之間的層間絕緣層,所述子有源層包括:
第一透明絕緣層,設置在透明柵絕緣層之上;
多個子有源層,設置在所述第一透明絕緣層之上;
透明層間絕緣層,設置在相鄰透明子有源層之間;
第二透明絕緣層,設置在最上方的透明子有源層之上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





