[發(fā)明專利]晶圓自動(dòng)目檢系統(tǒng)及自動(dòng)目檢方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610006715.7 | 申請(qǐng)日: | 2016-01-06 |
| 公開(公告)號(hào): | CN106949926A | 公開(公告)日: | 2017-07-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 高海林;張學(xué)良 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01D21/02 | 分類號(hào): | G01D21/02 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務(wù)所31219 | 代理人: | 余明偉 |
| 地址: | 201203 *** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 自動(dòng) 系統(tǒng) 方法 | ||
1.一種晶圓自動(dòng)目檢系統(tǒng),其特征在于,所述晶圓自動(dòng)目檢系統(tǒng)包括:
獲取模塊,適于獲取參考晶圓的光學(xué)圖像及待目檢晶圓的電性測(cè)試圖;
分區(qū)模塊,適于將所述參考晶圓的光學(xué)圖像分為多個(gè)面積相等的分區(qū)區(qū)域,并對(duì)各所述分區(qū)區(qū)域內(nèi)的芯片進(jìn)行編號(hào);
疊圖模塊,適于將編號(hào)后的所述參考晶圓的光學(xué)圖像與所述待目檢晶圓的電性測(cè)試圖疊加;
芯片選定模塊,適于在所述待目檢晶圓的電性測(cè)試圖對(duì)應(yīng)于所述參考晶圓的光學(xué)圖像的各個(gè)分區(qū)區(qū)域內(nèi)按照編號(hào)順序選擇需要抽檢數(shù)量的合格芯片進(jìn)行目檢。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓自動(dòng)目檢系統(tǒng),其特征在于:位于區(qū)域分界線上的所述芯片,根據(jù)所述芯片中心所在的位置,將其歸于其中心所在的分區(qū)區(qū)域內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓自動(dòng)目檢系統(tǒng),其特征在于:將所述參考晶圓的光學(xué)圖像分為9個(gè)面積相等的分區(qū)區(qū)域。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶圓自動(dòng)目檢系統(tǒng),其特征在于:將所述參考晶圓的光學(xué)圖像分為一個(gè)圓形區(qū)域及兩個(gè)圓環(huán)區(qū)域;所述圓形區(qū)域位于所述參考晶圓的光學(xué)圖像的中心,包括一個(gè)所述分區(qū)區(qū)域;所述兩個(gè)圓環(huán)區(qū)域分別位于所述圓形區(qū)域的外圍,且每個(gè)所述圓環(huán)區(qū)域內(nèi)包括4個(gè)所述分區(qū)區(qū)域。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓自動(dòng)目檢系統(tǒng),其特征在于:將編號(hào)后的所述參考晶圓的光學(xué)圖像與所述待目檢晶圓的電性測(cè)試圖進(jìn)行疊加后,所述參考晶圓的光學(xué)圖像內(nèi)的所述芯片與所述待目檢晶圓的電性測(cè)試圖內(nèi)的所述芯片一一對(duì)應(yīng)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓自動(dòng)目檢系統(tǒng),其特征在于:在所述待目檢晶圓的電性測(cè)試圖對(duì)應(yīng)于所述參考晶圓的光學(xué)圖像的各個(gè)分區(qū)區(qū)域內(nèi)按照編號(hào)順序選擇芯片的過(guò)程中,遇到電性不良或不需要目檢的芯片時(shí)不計(jì)數(shù)并自動(dòng)調(diào)至下一編號(hào)的所述芯片。
7.一種晶圓自動(dòng)目檢方法,其特征在于,包括以下步驟:
獲取參考晶圓的光學(xué)圖像;
將所述參考晶圓的光學(xué)圖像分為多個(gè)面積相等的分區(qū)區(qū)域,并對(duì)各所述分區(qū)區(qū)域內(nèi)的芯片進(jìn)行編號(hào);
獲取待目檢晶圓的電性測(cè)試圖,并將所述待目檢晶圓的電性測(cè)試圖與編號(hào)后的所述參考晶圓的光學(xué)圖像疊加;
在所述待目檢晶圓的電性測(cè)試圖對(duì)應(yīng)于所述參考晶圓的光學(xué)圖像的各個(gè)分區(qū)區(qū)域內(nèi)按照編號(hào)順序選擇需要抽檢數(shù)量的合格芯片進(jìn)行目檢。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶圓自動(dòng)目檢方法,其特征在于:位于區(qū)域分界線上的所述芯片,根據(jù)所述芯片中心所在的位置,將其歸于其中心所在的分區(qū)區(qū)域內(nèi)。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶圓自動(dòng)目檢方法,其特征在于:將所述參考晶圓的光學(xué)圖像分為9個(gè)面積相等的分區(qū)區(qū)域。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶圓自動(dòng)目檢方法,其特征在于:將所述參考晶圓的光學(xué)圖像分為一個(gè)圓形區(qū)域及兩個(gè)圓環(huán)區(qū)域;所述圓形區(qū)域位于所述參考晶圓的光學(xué)圖像的中心,包括一個(gè)所述分區(qū)區(qū)域;所述兩個(gè)圓環(huán)區(qū)域分別位于所述圓形區(qū)域的外圍,且每個(gè)所述圓環(huán)區(qū)域內(nèi)包括4個(gè)所述分區(qū)區(qū)域。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶圓自動(dòng)目檢方法,其特征在于:將編號(hào)后的所述參考晶圓的光學(xué)圖像與所述待目檢晶圓的電性測(cè)試圖進(jìn)行疊加后,所述參考晶圓的光學(xué)圖像內(nèi)的所述芯片與所述待目檢晶圓的電性測(cè)試圖內(nèi)的所述芯片一一對(duì)應(yīng)。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶圓自動(dòng)目檢方法,其特征在于:在所述待目檢晶圓的電性測(cè)試圖對(duì)應(yīng)于所述參考晶圓的光學(xué)圖像的各個(gè)分區(qū)區(qū)域內(nèi)按照編號(hào)順序選擇芯片的過(guò)程中,遇到電性不良或不需要目檢的芯片時(shí)不計(jì)數(shù)并自動(dòng)調(diào)至下一編號(hào)的所述芯片。
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