[發明專利]陣列基板及其制備方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 201610006495.8
• 申請日: 2016-01-04
• 公開（公告）號: CN105607368B
• 公開（公告）日: 2020-02-07
• 發明（設計）人: 余道平;金熙哲
• 申請（專利權）人: 重慶京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1335
• 代理公司: 11274 北京中博世達專利商標代理有限公司
• 代理人: 申健

本發明公開了一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置，涉及顯示領域，能夠將彩膜制作于陣列基板上，且減少構圖次數，降低成本。本發明的陣列基板制備方法，包括：薄膜晶體管和設置于所述薄膜晶體管之上的彩膜層，所述彩膜層包括：設置于像素區域的單基色色阻塊和設置于遮光區域的多基色色阻塊，所述單基色色阻塊包括一種基色的色阻層，所述多基色色阻塊包括多個層疊設置的色阻層，且每一色阻層對應一種基色。

技術領域

本發明涉及顯示領域，尤其涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置。

背景技術

液晶顯示器因其質量輕、功耗低，輻射小、能大量節省空間等優點，現已取代傳統的陰極射線管顯示器，廣泛應用于各個顯示領域，如家庭、公共場所、辦公場及個人電子相關產品等。

現有液晶面板的制作工藝都是單獨制造陣列(Array)基板和彩膜(Color Filter)基板，然后再將陣列基板和彩膜基板進行對位、成盒(Cell)。但在陣列基板與彩膜基板對位成盒時，由于對位精度的限制，極易出現對位偏差，而對位偏差又會導致漏光、透過率降低等不良；如果將黑矩陣做的足夠寬來避免這些問題，又會損失面板的透過率，增加背光成本。

目前解決的辦法是將彩膜也制作于陣列基板上，該項技術通常稱為COA(ColorFilter On Array)。如圖1所示，為現有采用COA技術的高級超維場轉換(ADvanced SuperDimension Switch，簡稱ADS)模式的陣列基板的結構示意圖。基板10上依次設置柵金屬層11、柵絕緣層12、有源層13(半導體層)和源漏金屬層14，以構成薄膜晶體管及信號線。薄膜晶體管之后，形成第一透明電極17和彩膜，其中，黑矩陣15設置在源漏金屬層14之上，覆蓋薄膜晶體管對應區域，彩膜層16(R/G/B)覆蓋第一透明電極17。黑矩陣15及彩膜層16之上依次設置有機膜層18、鈍化層19，鈍化層19之上設置第二透明電極20。上述ADS模式的陣列基板結構，制造時需要的構圖次數較多，工藝較復雜。

發明內容

本發明提供一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置，能夠將彩膜制作于陣列基板上，且減少構圖次數，降低成本。

為達到上述目的，本發明的實施例采用如下技術方案：

一種陣列基板，包括：薄膜晶體管和設置于所述薄膜晶體管之上的彩膜層，所述彩膜層包括：設置于像素區域的單基色色阻塊和設置于遮光區域的多基色色阻塊，所述單基色色阻塊包括一種基色的色阻層，所述多基色色阻塊包括多個層疊設置的色阻層，且每一色阻層對應一種基色。

所述遮光區域包括薄膜晶體管的對應區域、數據線對應區域、柵線對應區域和陣列基板周邊需要遮光的區域。

所述陣列基板還包括：第一透明電極，設置于所述彩膜層之下。

所述陣列基板，還包括：鈍化層，位于所述第一透明電極所在層和所述彩膜層之間。

所述陣列基板還包括：第二透明電極，設置于所述彩膜層上。

所述陣列基板還包括：金屬層，設置于所述第二透明電極所在層上；所述金屬層包括：位于公共電極線上方非透光區域對應位置，并與所述公共電極線并聯的第二公共電極線。

所述金屬層還包括：位于數據線上方的第一遮蔽部。

所述金屬層還包括：位于柵線上方的第二遮蔽部。

所述金屬層還包括：與隔墊物對應的隔墊物枕。

本發明還提供一種顯示裝置，包括：任一項所述的陣列基板。