[發(fā)明專(zhuān)利]陣列基板及其制備方法、顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610006495.8
• 申請(qǐng)日: 2016-01-04
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105607368B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-02-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 余道平;金熙哲
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 重慶京東方光電科技有限公司;京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G02F1/1362
• 分類(lèi)號(hào): G02F1/1362;G02F1/1335
• 代理公司: 11274 北京中博世達(dá)專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司
• 代理人: 申健

1.一種陣列基板，包括：薄膜晶體管和設(shè)置于所述薄膜晶體管之上的彩膜層，其特征在于，

所述彩膜層包括：設(shè)置于像素區(qū)域的單基色色阻塊和設(shè)置于遮光區(qū)域的多基色色阻塊，所述單基色色阻塊包括一種基色的色阻層，所述多基色色阻塊包括多個(gè)層疊設(shè)置的色阻層，且每一色阻層對(duì)應(yīng)一種基色；

所述陣列基板還包括：第二透明電極，設(shè)置于所述彩膜層上；金屬層，設(shè)置于所述第二透明電極所在層之上；

所述金屬層包括：位于公共電極線上方非透光區(qū)域?qū)?yīng)位置，并與所述公共電極線并聯(lián)的第二公共電極線；位于數(shù)據(jù)線上方的第一遮蔽部；以及位于柵線上方的第二遮蔽部；

所述金屬層還包括：與隔墊物對(duì)應(yīng)的隔墊物枕。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述遮光區(qū)域包括薄膜晶體管的對(duì)應(yīng)區(qū)域、數(shù)據(jù)線對(duì)應(yīng)區(qū)域、柵線對(duì)應(yīng)區(qū)域和陣列基板周邊需要遮光的區(qū)域。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括：第一透明電極，設(shè)置于所述彩膜層之下。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，還包括：鈍化層，位于所述第一透明電極所在層和所述彩膜層之間。

5.一種顯示裝置，其特征在于，包括：權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的陣列基板。

6.一種陣列基板的制備方法，包括：形成柵金屬層的工序，所述柵金屬層包括柵線和公共電極線；形成柵絕緣層及有源層的工序；形成源漏金屬層的工序，所述源漏金屬層包括源極、漏極和數(shù)據(jù)線；形成第一透明電極的工序；以及，形成鈍化層的工序；其特征在于，在形成鈍化層的工序之后，還包括：

形成彩膜層的工序，所述彩膜層包括：設(shè)置于像素區(qū)域的單基色色阻塊和設(shè)置于遮光區(qū)域的多基色色阻塊，所述單基色色阻塊包括一種基色的色阻層，所述多基色色阻塊包括多個(gè)層疊設(shè)置的色阻層，且每一色阻層對(duì)應(yīng)一種基色；

在形成彩膜層的工序之后，還包括：形成第二透明電極的工序；

所述形成第二透明電極的工序，包括：

沉積透明導(dǎo)電層和金屬層；

通過(guò)半透掩膜工藝，形成第二透明電極和圖案化的金屬層，所述圖案化的金屬層包括：位于公共電極線上方非透光區(qū)域?qū)?yīng)位置，并與所述公共電極線并聯(lián)的第二公共電極線；位于數(shù)據(jù)線上方的第一遮蔽部；位于柵線上方的第二遮蔽部；以及，與隔墊物對(duì)應(yīng)的隔墊物枕。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述形成彩膜層的工序，包括：

形成第一基色層，通過(guò)構(gòu)圖工藝在第一子像素區(qū)域形成第一厚度的色阻塊，在遮光區(qū)域形成第二厚度的色阻塊，所述第二厚度小于所述第一厚度；

形成第二基色層，通過(guò)構(gòu)圖工藝在第二子像素區(qū)域形成第三厚度的色阻塊，在遮光區(qū)域形成第四厚度的色阻塊，所述第四厚度小于所述第三厚度；

形成第三基色層，通過(guò)構(gòu)圖工藝在第三子像素區(qū)域形成第五厚度的色阻塊，在遮光區(qū)域形成第六厚度的色阻塊，所述第六厚度小于所述第五厚度。

8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的制備方法，其特征在于，所述形成彩膜層的工序中，在公共電極線與公共電極連接的對(duì)應(yīng)位置還形成有貫穿所述彩膜層的過(guò)孔；形成所述彩膜層之后，還包括：

以所述彩膜層為隔離保護(hù)層，對(duì)鈍化層和柵絕緣層進(jìn)行干刻，在公共電極線與公共電極連接的對(duì)應(yīng)位置形成貫穿鈍化層及柵絕緣層的過(guò)孔。