[發(fā)明專利]封裝基板及其制作方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610004607.6
• 申請(qǐng)日: 2016-01-05
• 公開（公告）號(hào): CN106941101A
• 公開（公告）日: 2017-07-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 胡竹青;許詩(shī)濱;劉晉銘
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 恒勁科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/48
• 分類號(hào): H01L23/48;H01L23/31;H01L23/34;H01L21/56
• 代理公司: 北京科龍寰宇知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司11139
• 代理人: 孫皓晨

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明關(guān)于一種封裝基板以及其制作方法，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)

新一代電子產(chǎn)品不僅追求輕薄短小的高密度，更有朝向高功率發(fā)展的趨勢(shì)；因此，積體電路(Integrated Circuit，簡(jiǎn)稱IC)技術(shù)及其后端的晶片封裝技術(shù)亦隨之進(jìn)展，以符合此新一代電子產(chǎn)品的效能規(guī)格。電路晶片埋入封裝基板的內(nèi)埋元件技術(shù)，因?yàn)榫哂薪档头庋b基板產(chǎn)品受到雜訊干擾及產(chǎn)品尺寸減小的優(yōu)點(diǎn)，近年來已成為本領(lǐng)域制造商的研發(fā)重點(diǎn)。現(xiàn)有技術(shù)通常是先將電路晶片或晶粒埋入作為封裝基板主體的鑄模化合物中，再來制作作為封裝基板電路布局的導(dǎo)線層。

然而，導(dǎo)線層大多為寬度較窄的細(xì)線路，制程難度高，使得當(dāng)導(dǎo)線層發(fā)生制作上的缺陷時(shí)，該電路晶片或晶粒也必須連帶報(bào)廢。此外，一旦電路晶片或晶粒被埋入封裝基板中，該電路晶片或晶粒與外部電路的電性連接線路將會(huì)變得難以處理，例如，額外的雷射開孔、介電材料層壓合等加工制程及復(fù)雜結(jié)構(gòu)的電性連接線路，這些都會(huì)提高制造成本及降低產(chǎn)品良率。因此，有必要發(fā)展新的封裝基板技術(shù)，以對(duì)治及改善上述的問題。

發(fā)明內(nèi)容

為達(dá)成此目的，本發(fā)明提供一種封裝基板，其包含：一導(dǎo)線層，包含至少一金屬走線；一導(dǎo)電連接單元，位于該導(dǎo)線層上；一電路晶片，具有至少一外接腳墊，并設(shè)置于該導(dǎo)電連接單元上；以及一鑄模化合物層，包覆該導(dǎo)線層、該導(dǎo)電連接單元及該電路晶片；其中，該導(dǎo)電連接單元用以連接該至少一外接腳墊的其中一個(gè)與該至少一金屬走線的其中一個(gè)。

在一實(shí)施例中，該導(dǎo)電連接單元為一金屬柱狀物。

在一實(shí)施例中，該導(dǎo)電連接單元為一焊錫凸塊物。

在一實(shí)施例中，該封裝基板更包含一散熱片，其設(shè)置于該電路晶片上，并連接該電路晶片。

在一實(shí)施例中，該封裝基板更包含一金屬承載板，其設(shè)置于該導(dǎo)線層下。

另一方面，本發(fā)明提供一種封裝基板的制作方法，其步驟包含：提供一承載板；形成一第一導(dǎo)線層在該承載板上，使得該第一導(dǎo)線層包含至少一第一金屬走線；形成一導(dǎo)電連接單元在該第一導(dǎo)線層上；設(shè)置一具有至少一外接腳墊的電路晶片在該導(dǎo)電連接單元上，使得該導(dǎo)電連接單元連接該至少一外接腳墊的其中一個(gè)與該至少一第一金屬走線的其中一個(gè)；以及形成一鑄模化合物層在該電路晶片上，并使得該鑄模化合物層充填該電路晶片與該承載板之間的空間。

在一實(shí)施例中，該導(dǎo)電連接單元為一第一金屬柱狀物。

在一實(shí)施例中，該導(dǎo)電連接單元為一焊錫凸塊物。

在一實(shí)施例中，該方法更包含：移除部分的該鑄模化合物層，以露出該電路晶片的上表面；以及移除該承載板。

在一實(shí)施例中，該方法更包含：設(shè)置一散熱片在該電路晶片上，使得該散熱片連接該電路晶片的上表面。

在一實(shí)施例中，該方法更包含：形成一第二導(dǎo)線層在該鑄模化合物層上，使得該第二導(dǎo)線層包含至少一第二金屬走線；形成一導(dǎo)電柱層在該第二導(dǎo)線層上，該導(dǎo)電柱層包含至少一第二金屬柱狀物；以及形成一介電材料層在該鑄模化合物層上，并使得該介電材料層包覆該鑄模化合物層上所有的該至少一第二金屬走線與該至少一第二金屬柱狀物。

附圖說明

圖1為根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例封裝基板的剖面示意圖。

圖2～6為本發(fā)明第一實(shí)施例封裝基板的各個(gè)制程步驟的剖面圖。

圖7A及7B為根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的封裝基板的剖面示意圖。

圖8～10為根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例封裝基板的各個(gè)制程步驟的剖面圖。

附圖標(biāo)記說明：100、200、300—封裝基板；110—承載板；120—第一導(dǎo)線層；121～125—第一金屬走線；130、131～134—導(dǎo)電連接單元；140—電路晶片；141～144—外接腳墊；150—鑄模化合物層；160—散熱片；170—第二導(dǎo)線層；171～174—第二金屬走線；180—導(dǎo)電柱層；181～184—金屬柱狀物；190—介電材料層。

具體實(shí)施方式

為使對(duì)本發(fā)明的特征、目的及功能有更進(jìn)一步的認(rèn)知與了解，茲配合圖式詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施例如后。在所有的說明書及圖示中，將采用相同的元件編號(hào)以指定相同或類似的元件。