[發(fā)明專利]分離柵快閃存儲(chǔ)器的制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610004500.1
• 申請(qǐng)日: 2016-01-05
• 公開（公告）號(hào): CN106952918A
• 公開（公告）日: 2017-07-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳永玉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/115
• 分類號(hào): H01L27/115;H01L27/11517;H01L21/265
• 代理公司: 北京德琦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11018
• 代理人: 牛崢,王麗琴

1.一種分離柵快閃存儲(chǔ)器的制備方法，其特征在于，包括：

提供半導(dǎo)體基底，在所述半導(dǎo)體基底上于存儲(chǔ)單元區(qū)域形成存儲(chǔ)單元堆棧，外圍電路區(qū)域形成外圍電路器件氧化物；

在半導(dǎo)體基底上覆蓋形成第一多晶硅層，并與外圍電路區(qū)域的第一多晶硅層上形成上表面與存儲(chǔ)單元堆棧上表面平齊的停止層；

在半導(dǎo)體基底上沉積覆蓋形成第二多晶硅層；

執(zhí)行化學(xué)機(jī)械研磨，以暴露存儲(chǔ)單元堆棧上表面以及停止層上表面；

對(duì)存儲(chǔ)單元區(qū)域執(zhí)行預(yù)非晶化離子注入，并快速退火；

去除停止層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述預(yù)非晶化離子注入的元素為Ge、As、Sb中的一種或多種組合；預(yù)非晶化離子注入的能量為5K至40K，注入濃度為1E12至1E15。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述快速退火的溫度為1000℃。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述停止層的材質(zhì)為氧化物，通過濕法刻蝕去除所述停止層。