[發明專利]掩膜圖案的形成方法、薄膜晶體管及形成方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 201610004474.2
• 申請日: 2016-01-04
• 公開（公告）號: CN105575776B
• 公開（公告）日: 2019-03-15
• 發明（設計）人: 張斌;周婷婷;劉震;曹占鋒;舒適;姚琪;關峰
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/336;H01L27/12
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

本發明提供了一種掩膜圖案的形成方法、薄膜晶體管及形成方法、顯示裝置，涉及顯示技術領域，該掩膜圖案的形成方法只需采用普通掩膜板即可形成厚度不均的掩膜圖案，從而避免了采用半色調掩膜板。一種掩膜圖案的形成方法，包括：在襯底上形成負性光刻膠；在無氧環境中，利用第一普通掩膜板對負性光刻膠進行第一次曝光，以使得負性光刻膠的完全固化部被曝光、半固化部和去除部不被曝光；在有氧環境中，利用第二普通掩膜板對負性光刻膠進行第二次曝光，以使得負性光刻膠的半固化部被曝光、去除部不被曝光；去除掉未固化的負性光刻膠，形成掩膜圖案。本發明適用于掩膜圖案的制作。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種掩膜圖案的形成方法、薄膜晶體管及形成方法、顯示裝置。

背景技術

目前，顯示裝置中的膜層大多采用構圖工藝形成。構圖工藝是將薄膜形成包含至少一個圖案的層的工藝。構圖工藝一般包括：在薄膜上形成掩膜圖案，然后刻蝕掉掩膜圖案未覆蓋的薄膜部分，最后將剩下的掩膜圖案剝離，便可得到所需要的薄膜圖案。

在實際應用中，往往需要形成具有臺階的薄膜圖案，此時就需要形成圖1所示的具有臺階的掩膜圖案1。目前均采用半色調掩膜板形成上述掩膜圖案，而半色調掩膜板的制作工藝較復雜。

發明內容

本發明的實施例提供一種掩膜圖案的形成方法、薄膜晶體管及形成方法、顯示裝置，該掩膜圖案的形成方法只需采用普通掩膜板即可形成厚度不均的掩膜圖案，避免了使用半色調掩膜板。

為達到上述目的，本發明的實施例采用如下技術方案：

第一方面，提供了一種掩膜圖案的形成方法，包括：

在襯底上形成負性光刻膠，且所述負性光刻膠具有以下特性：在無氧環境中經過曝光后，被曝光部分能夠固化；在有氧環境中經過曝光后，被曝光部分的表面不能固化，除表面外的其他被曝光部分能夠固化；

在無氧環境中，利用第一普通掩膜板對所述負性光刻膠進行第一次曝光，以使得所述負性光刻膠的完全固化部被曝光、半固化部和去除部不被曝光；

在有氧環境中，利用第二普通掩膜板對所述負性光刻膠進行第二次曝光，以使得所述負性光刻膠的所述半固化部被曝光、所述去除部不被曝光；

去除掉未固化的所述負性光刻膠，形成掩膜圖案。

可選的，所述負性光刻膠的所述半固化部位于所述完全固化部和所述去除部之間、并緊鄰所述完全固化部。

可選的，所述第二普通掩膜板和所述第一普通掩膜板為同一掩膜板；

所述在有氧環境中，利用第二普通掩膜板對所述負性光刻膠進行第二次曝光，以使得所述負性光刻膠的所述半固化部被曝光、所述去除部不被曝光具體包括：

在有氧環境中，保持所述第一普通掩膜板與所述負性光刻膠的位置對應關系并調整曝光參數，利用所述第一普通掩膜板對所述負性光刻膠進行第二次曝光，以使得所述負性光刻膠的所述半固化部被曝光、所述去除部不被曝光。

可選的，所述調整曝光參數具體包括：

調整曝光機發出光線的角度以使得所述負性光刻膠接受光線照射的范圍增大、增加曝光量、增加所述掩膜板與所述襯底之間的距離中的任意一種或其組合。

可選的，所述增加曝光量具體包括：

增加曝光時間和/或增加曝光機的照度。

可選的，所述無氧環境為真空環境或者惰性氣體環境。

可選的，所述負性光刻膠的所述半固化部位于所述完全固化部和所述去除部之間、并緊鄰所述完全固化部；