[發(fā)明專利]掩膜圖案的形成方法、薄膜晶體管及形成方法、顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610004474.2
• 申請日: 2016-01-04
• 公開（公告）號: CN105575776B
• 公開（公告）日: 2019-03-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張斌;周婷婷;劉震;曹占鋒;舒適;姚琪;關(guān)峰
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/336;H01L27/12
• 代理公司: 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種厚度不均的掩膜圖案的形成方法，其特征在于，包括：

在襯底上形成負(fù)性光刻膠，且所述負(fù)性光刻膠具有以下特性：在無氧環(huán)境中經(jīng)過曝光后，被曝光部分能夠固化；在有氧環(huán)境中經(jīng)過曝光后，被曝光部分的表面不能固化，除表面外的其他被曝光部分能夠固化；

在無氧環(huán)境中，利用第一普通掩膜板對所述負(fù)性光刻膠進(jìn)行第一次曝光，以使得所述負(fù)性光刻膠的完全固化部被曝光、半固化部和去除部不被曝光；

在有氧環(huán)境中，利用第二普通掩膜板對所述負(fù)性光刻膠進(jìn)行第二次曝光，以使得所述負(fù)性光刻膠的所述半固化部被曝光、所述去除部不被曝光，具體包括：

所述第二普通掩膜板和所述第一普通掩膜板為同一掩膜板；

在有氧環(huán)境中，保持所述第一普通掩膜板與所述負(fù)性光刻膠的位置對應(yīng)關(guān)系并調(diào)整曝光參數(shù)，利用所述第一普通掩膜板對所述負(fù)性光刻膠進(jìn)行第二次曝光，以使得所述負(fù)性光刻膠的所述半固化部被曝光、所述去除部不被曝光；

所述調(diào)整曝光參數(shù)具體包括：

調(diào)整曝光機(jī)發(fā)出光線的角度以使得所述負(fù)性光刻膠接受光線照射的范圍增大、增加曝光量、增加所述掩膜板與所述襯底之間的距離中的任意一種或其組合；

去除掉未固化的所述負(fù)性光刻膠，形成掩膜圖案。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述負(fù)性光刻膠的所述半固化部位于所述完全固化部和所述去除部之間、并緊鄰所述完全固化部。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述增加曝光量具體包括：

增加曝光時間和/或增加曝光機(jī)的照度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述無氧環(huán)境為真空環(huán)境或者惰性氣體環(huán)境。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述在有氧環(huán)境中，利用第二普通掩膜板對所述負(fù)性光刻膠進(jìn)行第二次曝光，以使得所述負(fù)性光刻膠的所述半固化部被曝光、所述去除部不被曝光具體包括：

在有氧環(huán)境中，利用第二普通掩膜板對所述負(fù)性光刻膠進(jìn)行第二次曝光，以使得所述負(fù)性光刻膠的所述半固化部被曝光、所述去除部不被曝光。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述在有氧環(huán)境中，利用第二普通掩膜板對所述負(fù)性光刻膠進(jìn)行第二次曝光，以使得所述負(fù)性光刻膠的所述半固化部被曝光、所述去除部不被曝光具體包括：

在有氧環(huán)境中，利用第二普通掩膜板對所述負(fù)性光刻膠進(jìn)行第二次曝光，以使得所述負(fù)性光刻膠的所述半固化部被曝光、所述去除部不被曝光。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的形成方法，其特征在于，所述在襯底上形成負(fù)性光刻膠具體包括：

在襯底上涂覆負(fù)性光刻膠，或者通過轉(zhuǎn)印方法在襯底上形成負(fù)性光刻膠。

8.一種薄膜晶體管的形成方法，其特征在于，所述方法包括：

在襯底上依次形成金屬氧化物層、刻蝕阻擋層；

在所述刻蝕阻擋層上采用權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的方法形成厚度不均的掩膜圖案，其中，所述掩膜圖案包括本體部和位于所述本體部周圍的臺階部，且所述本體部的厚度大于所述臺階部的厚度；

刻蝕掉所述金屬氧化物層和所述刻蝕阻擋層中所述掩膜圖案未覆蓋的部分；

對所述掩膜圖案進(jìn)行灰化，以去除所述臺階部、并減薄所述本體部；

刻蝕掉所述刻蝕阻擋層中灰化后的所述掩膜圖案未覆蓋的部分；

剝離剩下的所述掩膜圖案，以形成金屬氧化物層圖案和刻蝕阻擋層圖案。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的形成方法，其特征在于，所述金屬氧化物層的材料為銦鎵鋅氧化物、銦錫鋅氧化物、鋅銦錫氧化物或者鎂銦鋅氧化物。