[發明專利]薄膜晶體管及其操作方法

有效

• 申請號: 201610003308.0
• 申請日: 2016-01-04
• 公開（公告）號: CN105428421B
• 公開（公告）日: 2018-12-25
• 發明（設計）人: 楊育鑫;陳國光;石宗祥;蔡明諺;張鼎張
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/423
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 梁揮;李巖

本發明公開了一種薄膜晶體管及其操作方法，該薄膜晶體管包括基板、底柵極、通道層、源極與漏極以及頂柵極。底柵極配置于基板上。通道層位于底柵極上。源極與漏極位于通道層的兩側上。頂柵極位于通道層與源極與漏極上，其中通道層位于底柵極與頂柵極之間，其中底柵極與頂柵極電性分離。

技術領域

本發明是有關于一種主動元件及其操作方法，且特別是有關于一種薄膜晶體管及其操作方法。

背景技術

平面顯示器主要包括具有多個切換元件的陣列基板以及對向基板。一般來說，切換元件包括柵極、通道層以及與通道層電性耦接的源極與漏極。切換元件可以是非晶硅(a-Si)薄膜晶體管、低溫多晶硅薄膜晶體管、有機薄膜晶體管或氧化物半導體(oxidesemiconductor)薄膜晶體管等。

然而，在薄膜晶體管的操作中，薄膜晶體管容易受到背光光源、環境的藍光或紫外光照射等影響，而產生臨界電壓(Threshold Voltage,Vth)偏移的問題，進而影響到薄膜晶體管的電特性與穩定性。

發明內容

本發明提供一種薄膜晶體管，包括分別接收不同電位的底柵極與頂柵極。

本發明提供另一種薄膜晶體管，包括電性分離的底柵極與頂柵極。

本發明另提供一種薄膜晶體管的操作方法，包括同時給予底柵極與頂柵極不同電壓以關閉或開啟薄膜晶體管。

本發明的薄膜晶體管包括基板、底柵極、通道層、源極與漏極以及頂柵極。底柵極配置于基板上。通道層位于底柵極上。源極與漏極位于通道層的兩側上。頂柵極位于通道層與源極與漏極上，其中底柵極用以接收第一電位，頂柵極用以接收第二電位，且第二電位小于第一電位以關閉薄膜晶體管。

本發明的薄膜晶體管包括基板、底柵極、通道層、源極與漏極以及頂柵極。底柵極配置于基板上。通道層位于底柵極上。源極與漏極位于通道層的兩側上。頂柵極位于通道層與源極與漏極上，其中通道層位于底柵極與頂柵極之間，其中底柵極與頂柵極電性分離。

在本發明的一實施例中，上述的底柵極與頂柵極分別與不同掃描線連接。

在本發明的一實施例中，上述的底柵極用以接收接地電壓，同時頂柵極用以接收小于接地電壓的電壓以關閉薄膜晶體管。

在本發明的一實施例中，上述的頂柵極用以接收接地電壓，同時底柵極用以接收大于接地電壓的電壓以開啟薄膜晶體管。

在本發明的一實施例中，上述的頂柵極與通道層在投影方向上的重疊區域的重疊寬度至少大于1μm。

本發明的上述薄膜晶體管的操作方法包括以下步驟：使底柵極接收接地電壓，同時使頂柵極接收小于接地電壓的電壓，以關閉薄膜晶體管。

在本發明的一實施例中，還包括使頂柵極接收接地電壓，同時使底柵極接收大于接地電壓的電壓，以開啟薄膜晶體管。

在本發明的一實施例中，上述的底柵極與頂柵極之間的電壓差至少等于或大于晶體管的臨界電壓以關閉薄膜晶體管。

在本發明的一實施例中，上述的底柵極與頂柵極之間的電壓差至少等于或大于晶體管的臨界電壓以開啟薄膜晶體管。

基于上述，本發明的薄膜晶體管具有電性分離的底柵極與頂柵極或接收不同電位的底柵極與頂柵極，其中底柵極主導開啟晶體管，頂柵極主導關閉晶體管。如此一來，可以改善薄膜晶體管的臨界電壓發生偏移的問題，使得薄膜晶體管具有較佳的電特性與穩定性。

為讓本發明的上述特征和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所附圖式作詳細說明如下。

附圖說明

圖1是依照本發明的一實施例的一種薄膜晶體管的示意圖；