[發明專利]薄膜晶體管及其操作方法有效
| 申請號： | 201610003308.0 | 申請日： | 2016-01-04 |
| 公開（公告）號： | CN105428421B | 公開（公告）日： | 2018-12-25 |
| 發明（設計）人： | 楊育鑫;陳國光;石宗祥;蔡明諺;張鼎張 | 申請（專利權）人： | 友達光電股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/786 | 分類號： | H01L29/786;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁揮;李巖 |
| 地址： | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 薄膜晶體管 及其 操作方法 | ||
1.一種薄膜晶體管的操作方法，該薄膜晶體管，
一基板；
一底柵極，配置于該基板上方；
一通道層，配置于該底柵極上方；
一源極與一漏極，電性耦接該通道層；以及
一頂柵極，位于該通道層與該源極與該漏極上方，
其特征在于，該操作方法包括：該底柵極用以接收一第一電位，該頂柵極用以接收一第二電位，且該第二電位小于該第一電位而關閉該薄膜晶體管。
2.一種薄膜晶體管的操作方法，該薄膜晶體管，包括：
一基板；
一底柵極，配置于該基板上方；
一通道層，位于該底柵極上方；
一源極與一漏極，電性耦接該通道層；以及
一頂柵極，位于該通道層與該源極與該漏極上，其中該通道層位于該底柵極與該頂柵極之間，該底柵極與該頂柵極電性分離，
其特征在于，該操作方法包括：
使該底柵極接收一接地電壓，同時使該頂柵極接收一小于該接地電壓的電壓，以關閉該薄膜晶體管。
3.如權利要求2所述的薄膜晶體管的操作方法，其特征在于，還包括使該頂柵極接收一接地電壓，同時使該底柵極接收一大于該接地電壓的電壓，以開啟該薄膜晶體管。
4.如權利要求2或3所述的薄膜晶體管的操作方法，其特征在于，該底柵極與該頂柵極之間的電壓差至少等于或大于該晶體管的臨界電壓以關閉該薄膜晶體管。
5.如權利要求2或3所述的薄膜晶體管的操作方法，其特征在于，該底柵極與該頂柵極之間的電壓差至少等于或大于該晶體管的臨界電壓以開啟該薄膜晶體管。
6.如權利要求2所述的薄膜晶體管的操作方法，其特征在于，該底柵極與該頂柵極分別與不同掃描線連接。
7.如權利要求2所述的薄膜晶體管的操作方法，其特征在于，該頂柵極與該通道層在一投影方向上的重疊區域的重疊寬度至少大于1μm。
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