[發明專利]一種影像傳感芯片封裝結構與實現工藝

在審

• 申請號: 201610002545.5
• 申請日: 2016-01-02
• 公開（公告）號: CN105448946A
• 公開（公告）日: 2016-03-30
• 發明（設計）人: 秦飛;別曉銳;史戈;安彤;肖智軼
• 申請（專利權）人: 北京工業大學
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京思海天達知識產權代理有限公司 11203
• 代理人: 劉萍

1.一種影像傳感芯片封裝結構，其特征在于，包括：

影像傳感芯片(104)，包括感光區(100a)、芯片鈍化層(100b)、芯片焊盤(100c)和芯片凸點下金屬層(100d)，所述芯片凸點下金屬層上制作有芯片微凸點(119)；

透明基板(105)，所述透明基板一側依次沉積有金屬鈦層(106)、金屬銅層(107)和基板鈍化層(109)，所述透明基板一端制作有基板微凸點(121)，所述透明基板中間位置留有透光區(116)；

所述影像傳感芯片(104)通過芯片微凸點(119)與透明基板(105)實現互連，芯片感光區(100a)面向透明基板并與透光區(116)對中。

2.根據權利要求1所述的影像傳感芯片封裝結構，其特征在于，所述芯片微凸點(119)是銅微凸點或者金微凸點。

3.根據權利要求1所述的影像傳感芯片封裝結構，其特征在于，所述透明基板(105)是玻璃、石英或陶瓷。

4.一種影像傳感芯片封裝結構的實現工藝，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1，提供一晶圓(100)，所述晶圓功能面為正面，與其相反的一面為反面；正面具有感光區(100a)、芯片鈍化層(100b)、若干芯片焊盤(100c)，所述芯片焊盤上形成有芯片凸點下金屬層(100d)；

步驟2，于所述晶圓(100)正面涂覆第一光阻層(101)，并通過曝光、顯影制程在與芯片凸點下金屬層對應處形成第一光阻層第一開口(110)以暴露底部的芯片凸點下金屬層(100d)；

步驟3，于所述第一光阻層第一開口(110)內沉積芯片銅凸點(102)；

步驟4，于所述芯片銅凸點(102)上沉積芯片焊料層(103)，；

步驟5，去除第一光阻層(101)，并將所述芯片焊料層(103)進行高溫回流形成芯片微凸點(119)；

步驟6，對所述晶圓(100)進行切割，將晶圓分立為單顆芯片(104)；

步驟7，提供一透明基板(105)，于所述透明基板一側沉積金屬鈦層(106)；

步驟8，于所述金屬鈦層(106)上沉積金屬銅層(107)；

步驟9，于所述金屬銅層(107)上涂覆第二光阻層(108)，并通過曝光、顯影制程在與金屬線路和透光區對應處形成第二光阻層第二開口(120)以暴露底部的金屬銅層(107)；

步驟10，以第二光阻層(108)為掩膜進行各向同性濕法刻蝕，去除暴露的金屬銅層(107)和金屬鈦層(106)以露出透光區(116)；

步驟11，去除第二光阻層(108)；

步驟12，于所述金屬銅層(107)上沉積一層基板鈍化層(109)，并暴露出透光區(116)、基板凸點下金屬層(117)和基板焊盤(118)；

步驟13，于所述基板鈍化層(109)上涂覆第三光阻層(111)，并通過曝光、顯影制程在與基板凸點下金屬層對應處形成第三光阻層第三開口(130)以暴露底部基板凸點下金屬層(117)；

步驟14，于所述第三光阻層第三開口(130)內沉積基板銅凸點(112)；

步驟15，于所述基板銅凸點(112)上沉積基板焊料層(113)，；

步驟16，去除第三光阻層(111)；

步驟17，于所述芯片(104)的芯片微凸點(119)上涂覆助焊劑(114)，并將芯片微凸點與透明基板(105)上的基板焊盤(118)對準；

步驟18，將所述芯片(104)的芯片微凸點(119)放置到透明基板(105)的基板焊盤(118)上，并進行回流形成互連焊點(115)和基板微凸點(121)；

步驟19，對所述透明基板(105)進行切割得到單個影像傳感芯片封裝。

5.根據權利要求8所述的一種影像傳感芯片封裝結構的實現工藝，其特征在于，步驟1至步驟6與步驟7至步驟16同步進行,或者先做步驟7至步驟16然后再執行步驟1至步驟6。

6.根據權利要求8所述的一種影像傳感芯片封裝結構的實現工藝，其特征在于，所述晶圓(100)的切割方法為機械切割或激光燒蝕。

7.根據權利要求8所述的一種影像傳感芯片封裝結構的實現工藝，其特征在于，所述金屬鈦層(106)或金屬銅層(107)的形成方法為PVD。