[發(fā)明專利]形成用于納米線設(shè)備結(jié)構(gòu)的自對準(zhǔn)墊片的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201580085509.3
• 申請日: 2015-12-24
• 公開（公告）號: CN108369957B
• 公開（公告）日: 2022-03-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: K.賈姆布納坦;G.格拉斯;A.墨菲;J.S.江;S.金
• 申請（專利權(quán)）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 周學(xué)斌;鄭冀之

描述了形成自對準(zhǔn)納米線墊片結(jié)構(gòu)的方法。實施例包括：形成包括第一納米線和第二納米線的溝道結(jié)構(gòu)。鄰近溝道結(jié)構(gòu)形成源極/漏極結(jié)構(gòu)，其中襯墊材料被布置在源極/漏極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁的至少一部分上。在第一和第二納米線之間形成納米線墊片結(jié)構(gòu)，其中納米線墊片包括襯墊的被氧化部分。

背景技術(shù)

集成電路部件的更高性能、更低成本、增加的小型化是微電子產(chǎn)業(yè)對于微電子設(shè)備制造而言的持續(xù)目標(biāo)。為了實現(xiàn)這些目標(biāo)，微電子設(shè)備內(nèi)的晶體管必須按比例縮小，即變得更小。連同晶體管大小上的縮小，還存在著一種驅(qū)動力來利用在它們的設(shè)計、所使用的材料方面和/或它們的制造過程中的改善來改善它們的效率。這樣的設(shè)計改善包括獨特結(jié)構(gòu)的開發(fā)，諸如非平面晶體管，其包括三柵極晶體管、FinFET、TFETS、歐米加FET、納米線、納米帶、雙柵極和柵極全包圍（GAA）晶體管。

附圖說明

雖然本說明書以特別地指出且明確地要求保護(hù)某些實施例的權(quán)利要求作為結(jié)束，但是可以根據(jù)當(dāng)結(jié)合附圖進(jìn)行解讀時的本發(fā)明的以下描述來更容易地確認(rèn)這些實施例的優(yōu)點，在附圖中：

圖1表示根據(jù)實施例的非平面晶體管結(jié)構(gòu)的透視圖。

圖2表示根據(jù)實施例的結(jié)構(gòu)的截面圖。

圖3表示根據(jù)實施例的結(jié)構(gòu)的截面圖。

圖4表示根據(jù)實施例的結(jié)構(gòu)的截面圖。

圖5表示根據(jù)實施例的結(jié)構(gòu)的截面圖。

圖6表示根據(jù)實施例的結(jié)構(gòu)的截面圖。

圖7表示根據(jù)實施例的結(jié)構(gòu)的截面圖。

圖8表示根據(jù)實施例的結(jié)構(gòu)的截面圖。

圖9表示根據(jù)實施例的結(jié)構(gòu)的截面圖。

圖10表示根據(jù)實施例的結(jié)構(gòu)的截面圖。

圖11表示根據(jù)實施例的結(jié)構(gòu)的截面圖。

圖12表示根據(jù)實施例的方法的流程圖。

圖13表示實現(xiàn)一個或多個實施例的中介層（interposer）。

圖14表示根據(jù)實施例的系統(tǒng)的示意圖。

具體實施方式

在以下詳細(xì)描述中，對附圖做出參考，附圖作為圖示示出了其中可以實踐方法和結(jié)構(gòu)的具體實施例。足夠詳細(xì)地描述這些實施例以使得本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠?qū)嵺`實施例。要理解的是，各種實施例盡管不同，但不一定是相互排斥的。例如，可以在不偏離實施例的精神和范圍的情況下，在其他實施例內(nèi)實現(xiàn)在本文中結(jié)合一個實施例所描述的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性。此外，要理解的是，可以在不偏離實施例的精神和范圍的情況下，修改每個公開的實施例內(nèi)的各個要素的位置或布置。因此，并不以限制意義考慮以下詳細(xì)描述，并且實施例的范圍僅由適當(dāng)闡釋的所附權(quán)利要求以及對權(quán)利要求所賦予的等價方式的全部范圍來限定。在附圖中，遍及若干視圖，相同的數(shù)字可以指代相同或類似的功能性。如本文中使用的術(shù)語“在……之上”、“到……”、“在……之間”和“在……上”指代一層相對于其他層的相對位置。一層“在”另一層“之上”或“上”或者結(jié)合“到”另一層可以是與該另一層直接接觸，或者可以具有一個或多個介于中間的層。一層“在”多層“之間”可以是與所述層直接接觸，或者可以具有一個或多個介于中間的層。層和/或結(jié)構(gòu)彼此“鄰近”可以具有或可以不具有它們之間的介于中間的結(jié)構(gòu)/層。

可以在諸如半導(dǎo)體基板之類的基板上形成或?qū)嵤┍疚闹械膶嵤├膶崿F(xiàn)方式。在一個實現(xiàn)方式中，半導(dǎo)體基板可以是使用塊體硅或絕緣體上硅底層結(jié)構(gòu)所形成的晶態(tài)基板。在其他實現(xiàn)方式中，可以使用可以與硅組合或可以不與硅組合的替代材料來形成半導(dǎo)體基板，該替代材料包括但不限于鍺、銻化銦、碲化鉛、砷化銦、磷化銦、砷化鎵、砷化銦鎵、銻化鎵或者III-V族或IV族材料的其他組合。雖然此處描述了可以由其形成基板的材料的幾個示例，但是可以用作可以在其上構(gòu)建半導(dǎo)體設(shè)備的基礎(chǔ)的任何材料都落入本精神和范圍內(nèi)。