[發明專利]形成用于納米線設備結構的自對準墊片的方法

有效

• 申請號: 201580085509.3
• 申請日: 2015-12-24
• 公開（公告）號: CN108369957B
• 公開（公告）日: 2022-03-01
• 發明（設計）人: K.賈姆布納坦;G.格拉斯;A.墨菲;J.S.江;S.金
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 周學斌;鄭冀之

1.一種微電子結構，其包括：

溝道結構，其包括第一納米線和第二納米線；

鄰近納米線溝道結構的源極/漏極結構，其中所述源極/漏極結構包括鄰近所述源極/漏極結構的側壁區域的襯墊，以及其中所述襯墊鄰近第一和第二納米線中的至少一個；以及

所述第一納米線和所述第二納米線之間的內部墊片結構，其中所述內部墊片結構除了氧或氮中的至少一種之外還包括所述襯墊的一種或多種組成成分，

其中所述內部墊片包括碳化硅的氧化物。

2.根據權利要求1所述的結構，其中所述襯墊材料包括：從由硅和碳組成的組中選擇的材料。

3.根據權利要求2所述的結構，其中所述襯墊材料包括碳化硅材料，其中碳百分比是在百分之1碳到百分之30碳之間。

4.根據權利要求1所述的結構，其中所述襯墊包括0.5 nm到5 nm之間的厚度。

5.根據權利要求1所述的結構，其中所述第一和第二納米線中的至少一個包括硅。

6.根據權利要求1所述的結構，其中所述襯墊的一部分與所述內部墊片直接接觸。

7.根據權利要求1所述的結構，其中所述內部墊片結構不完全跨越溝道區進行延伸。

8.一種設備結構，其包括：

溝道結構，其包括第一納米線和第二納米線，其中第一和第二納米線被分離一定距離；

鄰近所述溝道結構的源極/漏極結構，其中襯墊被布置在下述各項的至少一部分上：所述源極/漏極結構的第一側、第二側和底部；以及

墊片結構，其與襯墊的一部分相接觸并且被布置在所述第一納米線和所述第二納米線之間，其中所述墊片結構除了氧或氮中的至少一種之外還包括所述襯墊的一種或多種組成成分，

其中所述墊片結構包括碳化硅的氧化物。

9.根據權利要求8所述的設備結構，其中所述墊片結構包括介電材料，并且不完全跨越所述溝道結構進行延伸。

10.根據權利要求8所述的設備結構，進一步包括：耦合到所述源極/漏極結構的源極/漏極接觸部。

11.根據權利要求8所述的設備結構，其中所述設備包括NMOS或PMOS晶體管結構中的一個的一部分。

12.根據權利要求8所述的設備結構，其中所述設備包括下述各項中的一個：非平面設備、柵極全包圍設備或納米線設備。

13.根據權利要求8所述的設備結構，其中所述第一和第二納米線包括硅。

14.根據權利要求8所述的設備結構，其中所述墊片結構包括襯墊材料的經化學轉化的部分。

15.根據權利要求8所述的設備結構，其中所述設備結構包括：納米帶晶體管結構。

16.一種形成微電子結構的方法，其包括：

在基板上形成多層鰭結構，其中所述多層鰭結構包括犧牲材料和納米線材料的交替層；

在所述多層鰭結構上形成柵極，其中所述多層鰭結構的一部分包括溝道區；

鄰近所述溝道區形成源極/漏極結構，其中在所述源極/漏極結構的至少側壁部分上形成襯墊，其中所述襯墊鄰近所述納米線材料；

通過選擇性蝕刻在所述溝道區中形成納米線；以及

氧化襯墊材料的一部分，其中所述襯墊材料的被氧化部分在鄰近的納米線之間形成納米線墊片，

其中所述襯墊材料包括碳和硅。

17.根據權利要求16所述的方法，進一步包括：其中通過從所述溝道區蝕刻所述犧牲材料來形成所述納米線。