[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201580084162.0
• 申請日: 2015-10-28
• 公開（公告）號: CN108352321B
• 公開（公告）日: 2022-09-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 巢山拓郎
• 申請（專利權(quán)）人: 奧林巴斯株式會社
• 主分類號: H01L21/3205
• 分類號: H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/522
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;于靖帥

半導(dǎo)體裝置(1)具有：半導(dǎo)體元件(10)，其在第一主面(10SA)形成有半導(dǎo)體電路(11)，在第二主面(10SB)具有通孔(H10)，該通孔(H10)具有開口；第一布線(21A)，其配設(shè)于所述半導(dǎo)體元件(10)的所述第一主面(10SA)，與所述半導(dǎo)體電路(11)連接，該第一布線(21A)的一部分在所述通孔(H10)的底面露出；第一絕緣層(22A)，其覆蓋所述第一布線(21A)；以及再布線(30)，其從在所述通孔(H10)的底面與所述第一布線(21A)接觸的觸頭部(30A)經(jīng)由所述通孔(H10)的內(nèi)部延伸設(shè)置至所述第二主面(10SB)上，在所述第一布線(21A)上形成有第一貫通孔(H21A)，所述觸頭部(30A)與所述第一布線(21A)的多個面接觸。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置，該半導(dǎo)體裝置具有：半導(dǎo)體元件，其在第一主面形成有半導(dǎo)體電路，在第二主面具有通孔，該通孔具有開口；以及再布線，其從所述通孔的底面的觸頭部延伸設(shè)置至第二主面上。

背景技術(shù)

近年來，對于半導(dǎo)體裝置的小型化和薄型化等要求正在提高。因此，開發(fā)了具有貫穿半導(dǎo)體元件的貫通布線的芯片尺寸封裝(CSP)型的半導(dǎo)體裝置。在日本特開2010-205921公報中公開了如下的半導(dǎo)體裝置：將半導(dǎo)體元件的形成有半導(dǎo)體電路的第一主面上的布線經(jīng)由再布線而延伸設(shè)置至第二主面上。再布線通過在第二主面上與在具有開口的通孔的底面露出的第一主面上的布線的背面接觸而電連接。

在上述半導(dǎo)體裝置中，覆蓋通孔的內(nèi)表面的絕緣層的一部分也殘存在通孔的底面。因此，在再布線的通孔底面的觸頭部具有凹凸。但是，第一主面上的布線僅與觸頭部的上表面接觸。即。通孔的觸頭部與第一主面上的布線的接觸是平坦面與平坦面的面接觸。因此，有可能觸頭部的接合強(qiáng)度不足、或者接觸電阻增加而導(dǎo)致可靠性降低。

另外，在日本特開平5-09730號公報中公開了降低通孔的接觸電阻的半導(dǎo)體裝置的制造方法。在上述半導(dǎo)體裝置的制造方法中，為了增加觸頭部分的表面積，在配設(shè)了具有凹凸的多晶硅膜之后，通過離子注入使多晶硅膜成為金屬硅化物基底層。即，在配設(shè)了具有凹凸的基底膜之后，配設(shè)形成有通孔的絕緣層。

因此，無法將上述半導(dǎo)體裝置的制造方法應(yīng)用于貫穿半導(dǎo)體元件的貫通布線的觸頭部。另外，即使在接觸面上具有凹凸，通孔的觸頭部與第一主面上的布線的接觸也是面與面的面接觸。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開2010-205921號公報

專利文獻(xiàn)2：日本特開平5-09730號公報

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的課題

本發(fā)明的實施方式的目的在于提供從半導(dǎo)體元件的通孔的底面的觸頭部延伸設(shè)置至第二主面上的再布線的所述觸頭部的連接可靠性高的半導(dǎo)體裝置。

用于解決課題的手段

本發(fā)明的實施方式的半導(dǎo)體裝置具有：半導(dǎo)體元件，其在第一主面形成有半導(dǎo)體電路，在與所述第一主面對置的第二主面具有通孔，該通孔具有開口；第一布線，其配設(shè)于所述半導(dǎo)體元件的所述第一主面，與所述半導(dǎo)體電路連接，該第一布線構(gòu)成所述通孔的底面的一部分；第一絕緣層，其覆蓋所述第一布線；以及再布線，其從在所述通孔的底面與所述第一布線接觸的觸頭部經(jīng)由所述通孔的內(nèi)部延伸設(shè)置至所述第二主面上，在所述第一布線上形成有第一貫通孔，所述觸頭部與所述第一布線的多個面接觸。

發(fā)明效果

根據(jù)本發(fā)明的實施方式，能夠提供從半導(dǎo)體元件的通孔的底面的觸頭部延伸設(shè)置至第二主面上的再布線的所述觸頭部的連接可靠性高的半導(dǎo)體裝置。

附圖說明

圖1是第一實施方式的半導(dǎo)體裝置的俯視圖。

圖2是第一實施方式的半導(dǎo)體裝置的仰視圖。