[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201580084162.0
• 申請日: 2015-10-28
• 公開（公告）號: CN108352321B
• 公開（公告）日: 2022-09-16
• 發明（設計）人: 巢山拓郎
• 申請（專利權）人: 奧林巴斯株式會社
• 主分類號: H01L21/3205
• 分類號: H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/522
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;于靖帥

1.一種半導體裝置，其具有：

半導體元件，其在第一主面形成有半導體電路，在與所述第一主面對置的第二主面具有通孔，該通孔具有開口；

第一布線，其配設于所述半導體元件的所述第一主面側，與所述半導體電路連接，該第一布線構成所述通孔的底面的一部分；

第一絕緣層，其覆蓋所述第一布線；以及

再布線，其從在所述通孔的底面與所述第一布線接觸的觸頭部經由所述通孔的內部延伸設置至所述第二主面上，

其特征在于，

在所述第一布線上形成有多個縫狀的第一貫通孔，所述縫狀的所述第一貫通孔的兩端延伸至所述通孔的底面的外側，所述觸頭部與所述第一布線的多個面接觸。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

該半導體裝置還具有第二布線，該第二布線配設在所述第一絕緣層上，與所述半導體電路和所述第一布線連接，

所述第一貫通孔貫穿所述第一布線和所述第一絕緣層，所述觸頭部與所述第二布線接觸。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，

該半導體裝置還具有第二絕緣層，該第二絕緣層覆蓋所述第二布線，

在所述第二布線上形成有與所述第一布線的所述第一貫通孔垂直的方向上的多個縫狀的第二貫通孔。

4.根據權利要求1至3中的任意一項所述的半導體裝置，其特征在于，

所述半導體電路是受光電路，

所述第一絕緣層覆蓋所述受光電路，所述第一絕緣層由透明材料構成。

5.一種半導體裝置，其具有：

半導體元件，其在第一主面形成有半導體電路，在與所述第一主面對置的第二主面具有通孔，該通孔具有開口；

第一布線，其配設于所述半導體元件的所述第一主面側，與所述半導體電路連接，該第一布線構成所述通孔的底面的一部分；

第一絕緣層，其覆蓋所述第一布線；

第二布線，該第二布線配設在所述第一絕緣層上；

第二絕緣層，該第二絕緣層覆蓋所述第二布線；以及

再布線，其從在所述通孔的底面與所述第一布線接觸的觸頭部經由所述通孔的內部延伸設置至所述第二主面上，

其特征在于，

在所述第一布線和所述第一絕緣層上形成有多個縫狀的第一貫通孔，所述觸頭部與所述第一布線的多個面接觸，所述觸頭部與所述第二布線接觸，

在所述第二布線上形成有與所述第一布線的所述第一貫通孔垂直的方向上的多個縫狀的第二貫通孔，所述第一貫通孔和所述第二貫通孔在所述通孔延伸的方向上部分重疊。

6.根據權利要求5所述的半導體裝置，其特征在于：

所述半導體電路是受光電路，

所述第一絕緣層覆蓋所述受光電路，所述第一絕緣層由透明材料構成。