[發明專利]流體噴射設備

有效

• 申請號: 201580083546.0
• 申請日: 2015-10-30
• 公開（公告）號: CN108136776B
• 公開（公告）日: 2020-08-11
• 發明（設計）人: J·R·普日拜拉;陳之章
• 申請（專利權）人: 惠普發展公司;有限責任合伙企業
• 主分類號: B41J2/05
• 分類號: B41J2/05;B41J2/14
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 李雪娜;陳嵐

1.一種流體噴射設備，其包括：

基底；

定位在所述基底上包括電阻器的熱電阻層；

導體跡線，其定位在不同于所述電阻器的熱電阻層的部分上；

定位在所述電阻器和所述導體跡線之上的外涂層，其中所述導體跡線定位在所述熱電阻層的部分和所述外涂層之間；

具有表面的流體層，所述表面在所述電阻器周圍形成發射腔，其中所述外涂層被定位在所述電阻器和所述發射腔之間；以及

薄膜膜片,所述薄膜膜片包括電介質材料，其中所述薄膜膜片覆蓋形成所述發射腔的所述流體層的表面并且覆蓋在所述發射腔中的外涂層的部分。

2.根據權利要求1所述的流體噴射設備，還包括：

孔板，其被定位在所述流體層上，所述孔板具有被定位成與所述發射腔流體連通的噴嘴；以及

其中所述薄膜膜片覆蓋所述孔板和覆蓋形成所述噴嘴的孔板的壁。

3.根據權利要求1所述的流體噴射設備，還包括：

接合焊盤，其被定位在所述發射腔外的基底上，其中所述薄膜膜片覆蓋所述接合焊盤。

4.根據權利要求1所述的流體噴射設備，還包括：

接合焊盤，其被定位在所述發射腔外的基底上；

電互連，其具有到所述接合焊盤的電連接；以及

其中所述薄膜膜片覆蓋所述電互連。

5.根據權利要求1所述的流體噴射設備，其中所述薄膜膜片的所述電介質材料包括提供所述流體層和包含在所述發射腔中的流體之間的屏障的金屬氧化物材料。

6.根據權利要求1所述的流體噴射設備，其中所述薄膜膜片在小于150攝氏度的溫度下經由金屬氧化物材料的原子層沉積而進行沉積。

7.根據權利要求1所述的流體噴射設備，其中所述薄膜膜片的厚度為100埃。

8.一種制造流體噴射設備的方法，所述方法包括：

在基底上形成包括電阻器的熱電阻層；

形成導體跡線，其定位在不同于所述電阻器的熱電阻層的部分上；

在所述電阻器和所述導體跡線上形成外涂層，其中所述導體跡線定位在所述熱電阻層的部分和所述外涂層之間；

形成具有表面的流體層，所述表面限定發射腔，其中所述外涂層形成所述發射腔的部分；以及

將包括電介質材料的薄膜材料沉積到限定所述發射腔的流體層的表面上和沉積到形成所述發射腔的部分的外涂層的部分，以形成薄膜膜片，所述薄膜膜片覆蓋形成限定所述發射腔的所述流體層的表面并且覆蓋形成所述發射腔的部分的外涂層的部分。

9.根據權利要求8所述的方法，其中所述流體噴射設備還包括定位在所述流體層上的孔板，所述孔板具有定位成與所述發射腔流體連通的噴嘴，并且其中沉積所述薄膜材料還包括將所述薄膜材料沉積到所述孔板上以使所述薄膜材料覆蓋所述孔板和覆蓋形成所述噴嘴的孔板的壁。

10.根據權利要求8所述的方法，其中沉積所述薄膜材料還包括在小于150攝氏度的溫度下經由原子層沉積來沉積所述薄膜材料。

11.根據權利要求8所述的方法，其中所述流體噴射設備還包括被電連接到所述電阻器的接合焊盤以及被電連接到所述接合焊盤的電互連，并且其中沉積所述薄膜材料還包括將所述薄膜材料沉積到所述電互連上以使所述薄膜膜片覆蓋所述電互連。

12.根據權利要求8所述的方法，其中沉積所述薄膜材料還包括沉積所述薄膜材料以形成所述薄膜膜片，以具有遍及所述薄膜膜片的大體上均勻的厚度。