[發明專利]電路封裝

有效

• 申請號: 201580083526.3
• 申請日: 2015-11-16
• 公開（公告）號: CN108140619B
• 公開（公告）日: 2021-08-06
• 發明（設計）人: 陳健華;M·W·坎比;S·法拉
• 申請（專利權）人: 惠普發展公司;有限責任合伙企業
• 主分類號: H01L23/28
• 分類號: H01L23/28;H01L23/48
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 周學斌;陳嵐

1.一種模制電路的方法，其包括：

在腔體上沉積第一環氧樹脂模制化合物EMC；

當所述第一EMC在預定時間段上膠化時，在所述第一EMC上沉積第二EMC；以及

將電路沉積在所述第一環氧樹脂模制化合物和第二環氧樹脂模制化合物中的至少一個中；

其中所述第二EMC具有比所述第一EMC更高的熱導率。

2.根據權利要求1所述的方法，進一步包括：壓縮和冷卻所述電路以及所述第一EMC和所述第二EMC。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一EMC和第二EMC中的每個在沉積所述第一EMC和第二EMC之前被熔化。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一EMC具有比所述第二EMC更高的填料重量百分比。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述預定的時間段是在5秒與60秒之間。

6.根據權利要求1所述的方法，進一步包括：在所述第一環氧樹脂模制化合物的相對厚的層上沉積所述第二環氧樹脂模制化合物的相對薄的層。

7.根據權利要求1所述的方法，進一步包括：沉積多個第一和第二EMC層。

8.一種電路封裝，其包括：

封裝；以及

在所述封裝中的電路器件；其中

所述封裝包括具有第一CTE的第一EMC以及具有比所述第一CTE更高的第二CTE的第二EMC，在允許所述第一EMC膠化成預定程度之后，所述第二EMC被分配到所述第一EMC上；

其中所述第二EMC具有比所述第一EMC更高的熱導率。

9.根據權利要求8所述的電路封裝，其中所述電路器件包括流體通道，以及所述封裝包括通向所述流體通道的流體孔。

10.根據權利要求8所述的電路封裝，其中所述電路器件延伸穿過所述第二EMC，使得所述電路器件的后部被模制到所述第一EMC內。

11.一種形成流體電路封裝的方法，其包括：

在腔體上沉積第一環氧樹脂模制化合物EMC，所述第一EMC具有限定于其中的多個流體孔；

加熱所述第一EMC直到所述第一EMC膠化；

在所述第一EMC上沉積第二EMC；以及

將多個流體電路器件沉積到所述第二EMC中；

其中所述多個流體孔與所述流體電路器件的布局對齊；

其中所述第二EMC具有比所述第一EMC更高的熱導率。

12.根據權利要求11所述的方法，其中所述流體電路器件包括多行噴嘴。

13.根據權利要求11所述的方法，其中所述流體電路器件在包括多行流體電路器件的流體電路封裝中形成陣列。

14.根據權利要求11所述的方法，其中由在所述腔體內限定的特征來形成在所述第一EMC中限定的流體孔。