[發(fā)明專利]太陽能電池的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201580082173.5
• 申請日: 2015-10-21
• 公開（公告）號: CN107924956B
• 公開（公告）日: 2020-01-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 森川浩昭;西野裕久;中澤幸子;浜篤郎;細川雄一朗
• 申請（專利權(quán)）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/18
• 代理公司: 11038 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務(wù)所
• 代理人: 肖靖

1.一種太陽能電池的制造方法，其特征在于，包括：

將具有第1部位和第2部位的擴散層形成于半導(dǎo)體基板的受光面?zhèn)鹊牟襟E，其中，所述第1部位包含第1濃度的雜質(zhì)且具有第1電阻值，所述第2部位為所述雜質(zhì)的濃度是高于所述第1濃度的第2濃度且具有小于所述第1電阻值的第2電阻值的部位；

在進行形成所述擴散層的步驟之后，在所述擴散層之上形成作為硅氮化膜的防反射膜的步驟；

在進行形成所述防反射膜的步驟之后，使針對所述第1部位的反射率大于針對所述第2部位的反射率并且波長是392nm至470nm中的任意波長的檢測光通過所述防反射膜而照射到所述擴散層的步驟；

基于被所述擴散層的各部位反射的所述檢測光的反射率的差異，檢測所述擴散層中的與第1反射率對應(yīng)的所述第1部位和與小于所述第1反射率的第2反射率對應(yīng)的所述第2部位的步驟；以及

在檢測到的所述第2部位形成受光面?zhèn)入姌O的步驟，

所述第2部位包括直線狀的部位和與所述直線狀的部位相接的對準標記，

在檢測所述第1部位和所述第2部位的步驟中，著眼于所述對準標記，從而檢測所述第2部位，

所述防反射膜的厚度是下限的厚度至上限的厚度中的任意厚度，

所述下限的厚度是關(guān)于所述第1部位反射率最低的入射光的波長是444nm、并且關(guān)于所述第2部位反射率最低的入射光的波長是503nm的厚度，

作為所述下限的厚度與所述上限的厚度之間的厚度的標準的厚度是關(guān)于所述第1部位反射率最低的入射光的波長是576nm、并且關(guān)于所述第2部位反射率最低的入射光的波長是617nm的厚度，

所述上限的厚度是關(guān)于所述第1部位反射率最低的入射光的波長是638nm、并且關(guān)于所述第2部位反射率最低的入射光的波長是732nm的厚度，

所述檢測光是無論所述防反射膜的厚度是所述下限的厚度、所述標準的厚度以及所述上限的厚度中的哪個厚度，在兩次通過所述防反射膜的情況下針對所述第1部位的反射率都大于針對所述第2部位的反射率的光。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，

所述檢測光的波長是402nm至408nm中的任意波長。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，

所述檢測光是從圓環(huán)狀的檢測光照明單元發(fā)出的光，

在檢測所述第1部位和所述第2部位的步驟中，使用透鏡和攝像機，根據(jù)如下差異，檢測所述第2部位，該差異是基于被所述擴散層的各部位反射的所述檢測光的反射率的差異的差異，且是由所述攝像機取得的光的像的明亮度的差異，其中，

所述透鏡配置于法線上的相對于配置有所述半導(dǎo)體基板的工作臺比所述檢測光照明單元遠的位置，該法線是作為通過所述檢測光照明單元的內(nèi)側(cè)的線的、針對所述工作臺的法線，

所述攝像機配置于所述法線上的相對于所述工作臺比所述透鏡遠的位置。