[發明專利]太陽能電池的制造方法

有效

• 申請號: 201580082173.5
• 申請日: 2015-10-21
• 公開（公告）號: CN107924956B
• 公開（公告）日: 2020-01-17
• 發明（設計）人: 森川浩昭;西野裕久;中澤幸子;浜篤郎;細川雄一朗
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/18
• 代理公司: 11038 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 肖靖

太陽能電池的制造方法包括：將具有包含第1濃度的雜質且具有第1電阻值的第1部位(61)和雜質的濃度是高于第1濃度的第2濃度且具有小于第1電阻值的第2電阻值的第2部位(62)的擴散層(6)形成于半導體基板(1)的受光面側的步驟；將針對第1部位(61)的反射率大于針對第2部位(62)的反射率的檢測光(70)照射到擴散層(6)的步驟；以及基于被擴散層(6)的各部位反射的檢測光(70)的反射率的差異，檢測擴散層(6)中的與第1反射率對應的第1部位(61)和與小于第1反射率的第2反射率對應的第2部位(62)的步驟。

技術領域

本發明涉及將光能高效率地變換成電力的太陽能電池的制造方法。

背景技術

正在開發配置于受光面側的電極的下部的雜質的濃度相對高且電阻相對小并且配置有電極的部位以外的受到光的部位的下部的雜質的濃度相對低且電阻相對大的太陽能電池。在該太陽能電池中，有助于能量變換的電阻小且相對地抑制電子與空穴在受光面側處復合，所以能夠將光能高效率地變換成電力。

該太陽能電池的構造是選擇性發射極構造，以往，作為在該構造的太陽能電池中形成受光面側電極的方法，已知使用絲網印刷的方法。更具體地，作為檢測利用絲網印刷形成的受光面側電極的位置的方法，已知將半導體基板的外緣中的3個點作為基準點而間接地檢測應該形成受光面側電極的位置的方法。

作為檢測位置的方法，還提出如下方法：將透過形成有高濃度選擇擴散層的半導體基板的光照射到該半導體基板，基于透過后的光的強度分布，檢測應該形成受光面側電極的位置(例如，參照專利文獻1)。另外，還提出如下方法：使硅納米粒子堆積于半導體基板的表面，對硅納米粒子的區域照射光，利用該光的反射率來檢測位置(例如，參照專利文獻2)。

專利文獻1：日本特開2013－232607號公報

專利文獻2：日本特表2012－527777號公報

發明內容

然而，在將上述半導體基板的外緣中的3個點作為基準點來檢測應該形成受光面側電極的位置的方法中，由于半導體基板的設置位置稍微偏移等，高精度地檢測應該形成受光面側電極的位置非常難。因此，存在有時在從本來應該形成受光面側電極的位置偏移后的位置處形成受光面側電極這樣的課題。在專利文獻1所記載的方法中，由于利用透射光，需要將照射部配置在半導體基板的一個面的一側，并且將檢測部配置在另一個面的一側，存在用于執行該方法的裝置的結構復雜這樣的課題。在專利文獻2所記載的方法中，存在需要硅納米粒子這樣的特殊材料這樣的課題。

本發明是鑒于上述而完成的，其目的在于，得到不使裝置的結構變復雜且不需要特殊材料而高精度地檢測應該形成受光面側電極的位置并在檢測到的位置處形成受光面側電極的太陽能電池的制造方法。

為了解決上述課題而達到目的，本發明的特征在于，包括：將具有第1部位和第2部位的擴散層形成于半導體基板的受光面側的步驟，其中，所述第1部位是包含第1濃度的雜質且具有第1電阻值的部位，所述第2部位為所述雜質的濃度是高于所述第1濃度的第2濃度且具有小于所述第1電阻值的第2電阻值的部位；將針對所述第1部位的反射率大于針對所述第2部位的反射率、并且波長是392nm至470nm中的任意波長的檢測光照射到所述擴散層的步驟；基于被所述擴散層的各部位反射的所述檢測光的反射率的差異，檢測所述擴散層中的與第1反射率對應的所述第1部位和與小于所述第1反射率的第2反射率對應的所述第2部位的步驟；以及在檢測到的所述第2部位形成受光面側電極的步驟。

根據本發明，起到能夠得到不使裝置的結構變復雜且不需要特殊材料而高精度地檢測應該形成受光面側電極的位置并在檢測到的位置處形成受光面側電極的太陽能電池的制造方法這樣的效果。

附圖說明

圖1是示出利用實施方式1中的太陽能電池的制造方法制造的太陽能電池的受光面側的圖。

圖2是圖1的太陽能電池的切斷線II－II處的剖視圖。