[發(fā)明專利]成型模具、成型模具的制造方法和復(fù)制品的制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201580082025.3 | 申請(qǐng)日: | 2015-09-03 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107848151B | 公開(公告)日: | 2020-03-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 山本和也;山本剛司 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 納盧克斯株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | B29C33/38 | 分類號(hào): | B29C33/38;B29C33/42;G02B1/118;H01L21/302;H01L21/3065 |
| 代理公司: | 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人: | 龐東成;褚瑤楊 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 成型 模具 制造 方法 復(fù)制品 | ||
提供一種成型模具的制造方法,該制造方法能夠?qū)V泛區(qū)域的間距的微細(xì)凹凸結(jié)構(gòu)的形狀調(diào)整為可令人充分滿意的程度。一種成型模具的制造方法,其中,在反應(yīng)性離子蝕刻裝置內(nèi)配置與六氟化硫反應(yīng)的半導(dǎo)體基材或金屬基材,導(dǎo)入六氟化硫與氧的混合氣體,在等離子體干法蝕刻工藝中,使氧化物散布到該基材的表面,將該氧化物作為防蝕刻掩模,利用六氟化硫在該基材的表面進(jìn)行蝕刻,由此在該基材的表面形成微細(xì)凹凸結(jié)構(gòu),之后,對(duì)該微細(xì)凹凸結(jié)構(gòu)照射離子束以調(diào)整該微細(xì)凹凸結(jié)構(gòu)的凸部的形狀。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及在表面具備微細(xì)凹凸結(jié)構(gòu)的成型模具、成型模具的制造方法和使用成型模具的復(fù)制品的制造方法。
背景技術(shù)
在光學(xué)元件中使用了防反射結(jié)構(gòu),該防反射結(jié)構(gòu)由以小于光波長(zhǎng)的間距(周期)進(jìn)行排列的微細(xì)凹凸結(jié)構(gòu)構(gòu)成。作為這種微細(xì)凹凸結(jié)構(gòu)用的成型模具的制造方法,已知有使用干涉曝光裝置或電子束描繪裝置將抗蝕劑圖案化并進(jìn)行蝕刻或電鑄的方法。但是,利用這些方法難以在大面積的平面或曲面形成微細(xì)凹凸結(jié)構(gòu)。
因此,本申請(qǐng)的發(fā)明人開發(fā)出了一種制造方法,該制造方法不需要進(jìn)行圖案化,可通過(guò)反應(yīng)性離子蝕刻工藝制造具備微細(xì)凹凸結(jié)構(gòu)的成型模具(專利文獻(xiàn)1)。根據(jù)該方法,能夠不進(jìn)行圖案化而在大面積的平面或曲面形成微細(xì)凹凸結(jié)構(gòu)。
但是,在形成與可見(jiàn)光的最小波長(zhǎng)以下的波長(zhǎng)對(duì)應(yīng)的、例如0.26μm以下的間距的微細(xì)凹凸結(jié)構(gòu)時(shí),僅通過(guò)反應(yīng)性離子蝕刻工藝難以將微細(xì)凹凸結(jié)構(gòu)的形狀調(diào)整為可令人充分滿意的程度。
因此,需要能夠?qū)梢?jiàn)光的波長(zhǎng)以下的區(qū)域在內(nèi)的廣泛區(qū)域的間距的微細(xì)凹凸結(jié)構(gòu)的形狀調(diào)整為可令人充分滿意的程度的成型模具的制造方法;以及通過(guò)該制造方法所制造的具備形狀被調(diào)整為可令人充分滿意的程度的微細(xì)凹凸結(jié)構(gòu)的成型模具。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1:WO2014/076983A1
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明所要解決的課題
因此,本發(fā)明的技術(shù)課題在于提供一種能夠?qū)梢?jiàn)光的波長(zhǎng)以下的區(qū)域在內(nèi)的廣泛區(qū)域的間距的微細(xì)凹凸結(jié)構(gòu)的形狀調(diào)整為可令人充分滿意的程度的成型模具的制造方法;以及通過(guò)該制造方法所制造的具備形狀被調(diào)整為可令人充分滿意的程度的微細(xì)凹凸結(jié)構(gòu)的成型模具。
用于解決課題的手段
本發(fā)明的第1方案的成型模具的制造方法包括:在反應(yīng)性離子蝕刻裝置內(nèi)配置與六氟化硫反應(yīng)的半導(dǎo)體基材或金屬基材,導(dǎo)入六氟化硫與氧的混合氣體,在等離子體干法蝕刻工藝中,使氧化物散布在該基材的表面,將該氧化物作為防蝕刻掩模,利用六氟化硫在該基材的表面進(jìn)行蝕刻,由此在該基材的表面形成微細(xì)凹凸結(jié)構(gòu),之后,對(duì)該微細(xì)凹凸結(jié)構(gòu)照射離子束以調(diào)整該微細(xì)凹凸結(jié)構(gòu)的凸部的形狀。
本方案的成型模具的制造方法除了在反應(yīng)性離子蝕刻裝置中形成微細(xì)凹凸結(jié)構(gòu)以外,還包括對(duì)該微細(xì)凹凸結(jié)構(gòu)照射離子束以調(diào)整該微細(xì)凹凸結(jié)構(gòu)的凸部的形狀,因此能夠使該微細(xì)凹凸結(jié)構(gòu)的凸部的形狀為所期望的形狀。其結(jié)果,作為一例,能夠提高由微細(xì)凹凸結(jié)構(gòu)所產(chǎn)生的防反射功能。
本發(fā)明的第1方案的第1實(shí)施方式的成型模具的制造方法進(jìn)一步包括通過(guò)電鑄使該微細(xì)結(jié)構(gòu)再生。
根據(jù)本實(shí)施方式,能夠應(yīng)用于更廣泛的領(lǐng)域。
本發(fā)明的第1方案的第2實(shí)施方式的成型模具的制造方法中,在照射離子束時(shí),離子束相對(duì)于該基材的表面的角度為0度至20度的范圍。
根據(jù)本實(shí)施方式,容易將該微細(xì)凹凸結(jié)構(gòu)的凸部的形狀形成為例如對(duì)于提高防反射功能有利的錐狀。
本發(fā)明的第1方案的第3實(shí)施方式的成型模具的制造方法中,該基材形成為基板或膜。
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