[發明專利]半導體裝置的制造方法

有效

• 申請號: 201580081702.X
• 申請日: 2015-07-15
• 公開（公告）號: CN107851574B
• 公開（公告）日: 2021-08-13
• 發明（設計）人: 加地考男;吉浦康博
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306;H01L21/329;H01L29/868
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張天舒

在硅襯底之上形成硅氧化膜，該硅氧化膜具有至少1個開口部(OP)。形成構造體，該構造體設置在硅氧化膜之上，在開口部處到達至硅襯底，由與硅氧化膜相比不易被氫氟酸蝕刻的材料制作。對設置有硅氧化膜以及構造體的硅襯底，進行使用了氫氟酸的濕式蝕刻。在進行濕式蝕刻的工序中，硅氧化膜與構造體的界面被暴露于氫氟酸。

技術領域

本發明涉及半導體裝置的制造方法，特別是涉及使用了濕式蝕刻的半導體裝置的制造方法。

背景技術

就半導體裝置的制造方法而言，有時需要對Si(硅)襯底的表面進行潔凈化。具體而言，有時需要將自然氧化膜或異物從Si襯底的表面去除。例如，Si表面之上的異物有可能成為雜質添加時的異常擴散的原因。

例如，根據日本特開平8-339996號公報(專利文獻1)，在Si襯底之上形成SiO₂膜(硅氧化膜)。然后，在硅氧化膜之上形成SiO_x膜(x2)。然后，在硅氧化膜以及SiO_x膜的層疊結構形成開口部。伴隨開口部的形成工序，在開口部處在Si襯底之上形成自然氧化膜。使用氫氟酸將該自然氧化膜去除。由此，在開口部處得到被氫末端化的潔凈的Si表面。

專利文獻1：日本特開平8-339996號公報

發明內容

根據上述公報所記載的技術，硅氧化膜的表面被SiOx膜(x2)覆蓋，由此相對于由氫氟酸引起的蝕刻得到保護。然而，在上述公報的技術中，氫氟酸沿硅氧化膜與SiOx膜的界面侵入，由此，SiO_x膜有可能從硅氧化膜剝離。

更為通常地進行說明的話，則如下所述。首先，在Si襯底之上設置硅氧化膜。然后，在硅氧化膜之上設置構造體，該構造體是由與硅氧化膜相比不易被氫氟酸蝕刻的材料制作的。在對以上述方式準備好的Si襯底進行使用了氫氟酸的蝕刻的情況下，氫氟酸沿硅氧化膜與構造體的界面侵入，由此構造體有可能從硅氧化膜剝離。就該剝離而言，如果其在半導體裝置的制造時產生，則導致成品率的降低，另外，如果在制造后產生，則導致產品壽命的降低。

本發明就是為了解決上述的課題而提出的，其目的在于提供一種半導體裝置的制造方法，該半導體裝置的制造方法能夠針對使用了氫氟酸的蝕刻，對設置在硅氧化膜之上的構造體的剝離進行抑制。

本發明的半導體裝置的制造方法具有下述工序。在硅襯底之上形成硅氧化膜，該硅氧化膜具有至少1個開口部。形成構造體，該構造體設置在硅氧化膜之上，在開口部處到達至硅襯底，由與硅氧化膜相比不易被氫氟酸蝕刻的材料制作。對設置有硅氧化膜以及構造體的硅襯底，進行使用了氫氟酸的濕式蝕刻。在進行濕式蝕刻的工序中，硅氧化膜與構造體的界面被暴露于氫氟酸。

發明的效果

根據本發明的半導體裝置的制造方法，第一，設置在硅氧化膜之上的構造體在硅氧化膜的開口部處到達至硅襯底。由此，在設置構造體的面，設置由開口部形成的凹凸。第二，由與硅氧化膜相比不易被氫氟酸蝕刻的材料制作的構造體向硅氧化膜的開口部內延伸。由此，從硅氧化膜與構造體的界面侵入的氫氟酸的行進被開口部內的構造體阻礙。由此，構造體從硅氧化膜的剝離得到抑制。

本發明的目的、特征、方案以及優點通過以下的詳細說明和附圖變得更清楚。

附圖說明

圖1是概略地表示本發明的實施方式1的半導體裝置的結構的局部剖視圖。

圖2是概略地表示本發明的實施方式1的半導體裝置的制造方法的結構的流程圖。

圖3是概略地表示本發明的實施方式1的半導體裝置的制造方法的一個工序的局部剖視圖。

圖4是概略地表示本發明的實施方式1的半導體裝置的制造方法的一個工序的局部剖視圖。

圖5是概略地表示對比例的半導體裝置的制造方法的一個工序的局部剖視圖。