[發明專利]半導體裝置的制造方法有效
| 申請號： | 201580081702.X | 申請日： | 2015-07-15 |
| 公開（公告）號： | CN107851574B | 公開（公告）日： | 2021-08-13 |
| 發明（設計）人： | 加地考男;吉浦康博 | 申請（專利權）人： | 三菱電機株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/306 | 分類號： | H01L21/306;H01L21/329;H01L29/868 |
| 代理公司： | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;張天舒 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 制造 方法 | ||
1.一種半導體裝置的制造方法，其具有下述工序：
在硅襯底之上形成硅氧化膜的工序，該硅氧化膜具有至少1個開口部；
形成構造體的工序，該構造體設置在所述硅氧化膜之上，在所述開口部處到達至所述硅襯底，由與所述硅氧化膜相比不易被氫氟酸蝕刻的材料制作；以及
對設置有所述硅氧化膜以及所述構造體的所述硅襯底，進行使用了氫氟酸的濕式蝕刻的工序，
在進行所述濕式蝕刻的工序中，所述硅氧化膜與所述構造體的界面被暴露于氫氟酸，
所述構造體包含絕緣膜，
在進行所述濕式蝕刻的工序中，所述硅氧化膜與所述絕緣膜的界面被暴露于氫氟酸，
在所述濕式蝕刻后，所述硅氧化膜以及所述構造體被殘留下來。
2.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中，
所述絕緣膜在所述開口部處到達至所述硅襯底。
3.根據權利要求2所述的半導體裝置的制造方法，其中，
所述至少1個開口部包含多個開口部。
4.根據權利要求3所述的半導體裝置的制造方法，其中，
所述絕緣膜包含第1膜和第2膜，該第1膜由第1材料制作，第2膜由與所述第1材料不同的第2材料制作，
所述第1膜以及所述第2膜分別在所述多個開口部所包含的第1開口部以及第2開口部處到達至所述硅襯底。
5.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中，
所述構造體包含在所述開口部處到達至所述硅襯底的金屬膜。
6.根據權利要求5所述的半導體裝置的制造方法，其中，
所述至少1個開口部包含多個開口部。
7.根據權利要求6所述的半導體裝置的制造方法，其中，
所述金屬膜包含第1金屬部分以及第2金屬部分，該第1金屬部分以及第2金屬部分分別在所述多個開口部所包含的第1開口部以及第2開口部處到達至所述硅襯底，
所述絕緣膜包含由第1材料制作的第1膜和由與所述第1材料不同的第2材料制作的第2膜，該第1膜將所述第1金屬部分覆蓋，該第2膜將所述第2金屬部分覆蓋。
8.根據權利要求1至7中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其中，
進行所述濕式蝕刻的工序包含將所述硅襯底潔凈化的工序。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
