[發(fā)明專利]具有聚集的絕緣線的封裝組合件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201580081254.3 | 申請日: | 2015-06-26 |
| 公開(公告)號: | CN108064417B | 公開(公告)日: | 2022-01-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 歐陽攻;B-t.李 | 申請(專利權(quán))人: | 英特爾公司 |
| 主分類號: | H01L23/48 | 分類號: | H01L23/48;H01L23/488;H01L23/49;H01L25/07;H01L21/60 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 鄭浩;劉春元 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 具有 聚集 絕緣線 封裝 組合 | ||
本公開的一些實施例描述了一種集成電路(IC)封裝組合件,其具有與IC管芯上的管芯焊盤線接合的第一、第二和第三絕緣線,其中第二絕緣線的外表面位于距在第一位置處的第一絕緣線的外表面的小于第二絕緣線的外橫截面直徑的距離處,并且位于距在第二位置處的第三絕緣線的外表面的小于外橫截面直徑的距離處。其它實施例可以被描述和/或要求保護。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開的實施例一般涉及集成電路(IC)封裝組合件的互連的領(lǐng)域,并且更具體地涉及線接合配置和方法。
背景技術(shù)
在一些應(yīng)用中,線接合而不是倒裝芯片封裝被用作到PCB的管芯或到封裝互連的管芯。然而,使用典型線接合技術(shù)形成的互連可能具有信號完整性問題,例如由于線之間的高串擾和電感性阻抗不連續(xù)性引起的高插入、返回或裕量(margin)損失和溝道共振。
附圖說明
通過以下結(jié)合附圖的詳細描述,將容易理解實施例。為了促進本描述,相似的參考數(shù)字指定相似的結(jié)構(gòu)元件。在附圖的圖形中作為示例而不是作為限制來圖示實施例。
圖1示意性地圖示根據(jù)一些實施例的具有處于帶狀配置的聚集的絕緣線的示例集成電路(IC)封裝組合件的頂視圖。
圖2示意性地圖示根據(jù)一些實施例的具有處于帶狀配置的聚集的絕緣線的示例IC封裝組合件的側(cè)視圖。
圖3示意性地圖示根據(jù)一些實施例的具有處于交錯配置的管芯焊盤的IC封裝組合件的頂視圖。
圖4示意性地圖示根據(jù)一些實施例的處于帶狀配置的聚集的絕緣線的橫截面?zhèn)纫晥D。
圖5示意性地圖示根據(jù)一些實施例的具有處于堆疊配置的聚集的絕緣線的IC封裝組合件的頂視圖。
圖6示意性地圖示根據(jù)一些實施例的具有處于交錯配置的管芯焊盤以及處于堆疊配置的聚集的絕緣線的示例IC封裝組合件的頂視圖。
圖7示意性地圖示根據(jù)一些實施例的處于堆疊配置的聚集的絕緣線的橫截面?zhèn)纫晥D。
圖8示意性地圖示根據(jù)一些實施例的具有與封裝襯底耦合的聚集的絕緣線的示例IC封裝組合件的頂視圖。
圖9示意性地圖示根據(jù)一些實施例的具有與封裝襯底耦合的聚集的絕緣線的示例IC封裝組合件的側(cè)視圖。
圖10示意性地圖示根據(jù)一些實施例的制造IC封裝組合件的方法的流程圖。
圖11示意性地圖示根據(jù)一些實施例的包含具有如本文所描述的線接合互連結(jié)構(gòu)的IC封裝組合件的計算裝置。
具體實施方式
本公開的一些實施例描述具有聚集的絕緣接合線和關(guān)聯(lián)技術(shù)和配置的集成電路(IC)封裝組合件。在以下描述中,將使用由本領(lǐng)域技術(shù)人員通常采用的術(shù)語來描述說明性實現(xiàn)的各個方面,以將他們的工作的實質(zhì)傳達給本領(lǐng)域的其它技術(shù)人員。然而,對于本領(lǐng)域技術(shù)人員將顯而易見的是,本公開的實施例可以通過所描述的方面中的僅一些來實踐。為了解釋的目的,闡述了特定的數(shù)字、材料和配置以便提供對說明性實現(xiàn)的透徹理解。然而,對于本領(lǐng)域技術(shù)人員將顯而易見的是,可以在沒有特定細節(jié)的情況下實踐本公開的實施例。在其它實例下,眾所周知的特征被省略或簡化以免模糊說明性實現(xiàn)。
在以下詳細描述中,對形成其一部分的附圖進行參考,其中相相似的數(shù)字通篇指定相似的部分,并且其中作為其中可以實踐本公開的主題的說明實施例示出。要理解的是,在不脫離本公開的范圍的情況下,可以利用其它實施例并且可以進行結(jié)構(gòu)或邏輯改變。為了本公開的目的,短語“A和/或B”意味著(A)、(B)或(A和B)。為了本公開的目的,短語“A、B和/或C”意味著(A)、(B)、(C)、(A和B)、(A和C)、(B和C) 或(A、B和C)。
描述可以使用基于透視的描述,諸如頂部/底部、在…中/在…外、在…之上/在…之下等等。此類描述僅用于促進討論,并不意圖將本文描述的實施例的應(yīng)用限于任何特定的取向。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于英特爾公司,未經(jīng)英特爾公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
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