[發明專利]源費米濾波器場效應晶體管

有效

• 申請號: 201580081177.1
• 申請日: 2015-06-22
• 公開（公告）號: CN107787525B
• 公開（公告）日: 2022-08-02
• 發明（設計）人: U.E.阿夫西;I.A.揚
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/775;H01L29/06;H01L21/335;H01L21/336
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 徐予紅;楊美靈

1.一種晶體管，包括：

布置在源極和漏極之間的溝道，其中所述源極和所述漏極包括第一極性；

鄰近所述溝道的柵極；以及

布置在所述源極和源極觸點之間的費米濾波器，其中所述費米濾波器包括與所述第一極性互補的第二極性，并且其中所述費米濾波器和所述源極包括在它們之間的、具有距所述柵極的橫向距離的隧道結，其中所述隧道結包括異質結；

其中所述源極、所述溝道和所述漏極包括砷化銦鎵或砷化銦中的至少一個的相同材料并且所述費米濾波器包括硅或銻化鎵中的至少一個；或者

其中所述源極、所述溝道和所述漏極包括銻化鎵的相同材料并且所述費米濾波器包括砷化銦或砷化銦鎵中的至少一個；并且

其中所述源極具有與從所述柵極到隧道結的所述橫向距離相同的橫向距離，并且所述費米濾波器具有不小于5納米并且不大于20納米的橫向距離。

2.如權利要求1所述的晶體管，其中從所述柵極到所述隧道結的所述橫向距離包括不小于5納米并且不大于20納米的距離。

3.如權利要求1所述的晶體管，其中所述晶體管包括平面晶體管結構、雙柵晶體管結構、鰭式FET晶體管結構或納米線晶體管結構中的至少一個。

4.一種晶體管，包括：

布置在源極和漏極之間的溝道，其中所述源極和所述漏極包括第一極性，并且其中所述溝道、所述源極和所述漏極包括硅；

布置在所述溝道之上的柵極；以及

布置在所述源極和源極觸點之間的費米濾波器，其中所述費米濾波器包括與所述第一極性互補的第二極性，并且其中所述費米濾波器和所述源極包括在它們之間的、具有距所述柵極的橫向距離的隧道異質結，并且所述費米濾波器包括鍺、錫化鍺、砷化銦或銻化銦中的至少一個，并且

其中所述源極具有與從所述柵極到隧道結的所述橫向距離相同的橫向距離，并且所述費米濾波器具有不小于5納米并且不大于20納米的橫向距離。

5.如權利要求4所述的晶體管，其中所述源極包括N+摻雜硅并且所述費米濾波器包括鍺或錫化鍺中的至少一個。

6.如權利要求4所述的晶體管，其中所述源極包括P+摻雜硅并且所述費米濾波器包括砷化銦或銻化銦中的至少一個。

7.如權利要求4所述的晶體管，其中從所述柵極到所述隧道結的所述橫向距離包括不小于5納米并且不大于20納米的距離。

8.如權利要求4所述的晶體管，其中所述晶體管包括平面晶體管結構、雙柵晶體管結構、鰭式FET晶體管結構或納米線晶體管結構中的至少一個。

9.一種用于制造晶體管的方法，包括：

形成各自鄰近溝道的源極和漏極，其中所述溝道被布置在所述源極和所述漏極之間，并且其中所述源極和所述漏極包括第一極性；

鄰近所述溝道來布置柵極；

鄰近所述源極并且在所述溝道對面布置費米濾波器，其中所述費米濾波器包括與所述第一極性互補的第二極性，并且其中所述費米濾波器和所述源極包括在它們之間的、具有距所述柵極的橫向距離的隧道結；以及

鄰近所述費米濾波器并且在所述源極對面形成源極觸點，

其中所述隧道結包括異質結，以及其中鄰近所述源極并且在所述溝道對面布置所述費米濾波器包括外延生長，其中所述溝道、所述源極、和所述漏極包括硅，并且所述費米濾波器包括鍺、錫化鍺、砷化銦或銻化銦中的至少一個，并且

其中所述源極具有與從所述柵極到隧道結的所述橫向距離相同的橫向距離，并且所述費米濾波器具有不小于5納米并且不大于20納米的橫向距離。

10.如權利要求9所述的方法，其中所述晶體管包括平面晶體管結構、雙柵晶體管結構或鰭式FET晶體管結構中的至少一個。