[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201580080945.1
• 申請日: 2015-06-16
• 公開（公告）號: CN107710417B
• 公開（公告）日: 2021-06-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 川瀨祐介
• 申請（專利權(quán)）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L21/265;H01L29/78
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張?zhí)焓?/td>

1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，具有下述工序：

在第1導(dǎo)電型的襯底的上表面?zhèn)刃纬傻?導(dǎo)電型的層的工序；

緩沖層形成工序，在該緩沖層形成工序中以使在后的離子注入工序的離子注入角度小于在先的離子注入工序的方式，實施多次將相對于所述襯底的下表面的離子注入角度固定而在所述襯底的下表面?zhèn)葘Φ?導(dǎo)電型的雜質(zhì)進行離子注入的離子注入工序；以及

在所述緩沖層形成工序之后進行的退火工序，

在所述緩沖層形成工序中，以恒定的加速能量進行多次所述離子注入工序，

通過所述退火工序，在所述緩沖層形成工序形成的緩沖層的深度方向的雜質(zhì)濃度的極大點僅為1個。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

在所述緩沖層形成工序中，使所述襯底旋轉(zhuǎn)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

在第1次的所述離子注入工序中，相對于所述襯底的下表面垂直地進行離子注入，

在第2次及其以后的所述離子注入工序中，使所述襯底旋轉(zhuǎn)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

在所述緩沖層形成工序中，使所述襯底定期地沿旋轉(zhuǎn)方向移動。

5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

在所述緩沖層形成工序中，對質(zhì)子或氦進行離子注入。

6.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

具有：在所述襯底的下表面?zhèn)刃纬傻?導(dǎo)電型的集電極層的工序；以及

在形成所述集電極層后進行退火的工序，

所述緩沖層形成工序是在所述退火 之后進行的。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

具有下述工序：

形成與所述集電極層接觸的集電極電極的工序。

8.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，具有下述工序：

在第1導(dǎo)電型的襯底的上表面?zhèn)刃纬傻?導(dǎo)電型的層的工序；

緩沖層形成工序，在該緩沖層形成工序中以使在后的離子注入工序的離子注入角度小于在先的離子注入工序的方式，實施多次將相對于所述襯底的下表面的離子注入角度固定而在所述襯底的下表面?zhèn)葘Φ?導(dǎo)電型的雜質(zhì)進行離子注入的離子注入工序；

在所述襯底的下表面?zhèn)刃纬傻?導(dǎo)電型的集電極層的工序；

形成與所述集電極層接觸的集電極電極的工序；

在所述緩沖層形成工序之后進行的退火工序；以及

中間緩沖層形成工序，該中間緩沖層形成工序是在所述退火工序之前將P注入至所述襯底的下表面而形成中間緩沖層，

在所述緩沖層形成工序中，以恒定的加速能量進行多次所述離子注入工序，

在所述退火工序之后，在通過所述緩沖層形成工序形成的緩沖層的雜質(zhì)濃度峰值位置與所述集電極層的雜質(zhì)濃度峰值位置之間，存在所述中間緩沖層的雜質(zhì)濃度峰值，

所述中間緩沖層的雜質(zhì)濃度峰值高于所述緩沖層的雜質(zhì)濃度峰值。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

通過所述退火工序，緩沖層的深度方向的雜質(zhì)濃度的極大點僅為1個。